三極管與MOS管的正確應(yīng)用

三極管與MOS管

三極管是電流控制器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種，符號如下：

??? MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管（簡稱PMOS）和N溝道MOS管（簡稱NMOS），符號如下（此處只討論常用的增強型MOS管）：

三極管與MOS管的正確應(yīng)用

NPN型三極管 ????

適合發(fā)射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導(dǎo)通?；鶚O用高電平驅(qū)動NPN型三極管導(dǎo)通（低電平時不導(dǎo)通）；基極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接下拉電阻10-20k到GND。 ????優(yōu)點是：

使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，NPN型三極管能夠更快更可靠地截止

系統(tǒng)剛上電時，基極是確定的低電平

如下，左圖所示。 PNP型三極管 ????適合發(fā)射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低于射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發(fā)射結(jié)反偏（VBE為負），PNP型三極管即可開始導(dǎo)通?；鶚O用低電平驅(qū)動PNP型三極管導(dǎo)通（高電平時不導(dǎo)通）；基極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接上拉電阻10-20k到VCC。 ????優(yōu)點是：

使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，PNP型三極管能夠更快更可靠地截止

系統(tǒng)剛上電時，基極是確定的高電平

如下，右圖所示。

????所以，如上所述： ????對NPN三極管來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R12接在射極和GND之間。 ????對PNP三極管來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R14接在發(fā)射極和VCC之間。這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。? PMOS ????適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低于源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導(dǎo)通。柵極用低電平驅(qū)動PMOS導(dǎo)通（高電平時不導(dǎo)通）；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。? NMOS ????適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高于源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導(dǎo)通。柵極用高電平驅(qū)動NMOS導(dǎo)通（低電平時不導(dǎo)通）；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。

????所以，如上所述： ????對PMOS來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R16接在源極和VCC之間。 ????對NMOS來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R18接在源極和GND之間。 總結(jié) ????為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應(yīng)接在集電極或漏極。

編輯：黃飛