作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:10
10918 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
將超過(guò)30％。 ? 根據(jù)進(jìn)行的一項(xiàng)研究，新型材料半導(dǎo)體的特點(diǎn)是尺寸小且功率密度高，Global Market Insights預(yù)計(jì)，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將超過(guò)45億美元
2021-05-21 14:57:182257 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。三大化合物半導(dǎo)體材料
2019-05-06 10:04:10
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來(lái)，這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問(wèn)我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問(wèn)題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒(méi)把應(yīng)用條件納入到開(kāi)關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過(guò)SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩⑿枰嗟难邪l(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一
材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的
材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，
GaN是高頻器件
材料技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無(wú)線
2017-08-30 10:51:37
多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端，由于對(duì)高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
旋轉(zhuǎn)盤伏安法、循環(huán)伏安法和電阻抗測(cè)量方法，研究了n-GaN在各種水溶液中的（光）電化學(xué)行為。結(jié)果表明，半導(dǎo)體的邊緣位移超過(guò)60mV/pH單位，表明在界面上存在酸堿平衡。在硫酸和氫氧化鉀溶液中，陽(yáng)極偏置
2021-10-13 14:43:35
電源開(kāi)關(guān)的能力是 GaN 電源 IC 的一大優(yōu)勢(shì)，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長(zhǎng)，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍(lán)寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動(dòng)。當(dāng)務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化
2020-11-27 16:30:52
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
今年7月，東南大學(xué)有序物質(zhì)科學(xué)研究中心研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達(dá)到了傳統(tǒng)無(wú)機(jī)壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進(jìn)一步縮小、彎折衣服就可對(duì)手機(jī)充電等應(yīng)用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢(shì)？
2020-08-19 07:58:38
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個(gè)重要方向。在這個(gè)過(guò)程中，近年來(lái)作為一個(gè)高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。[color=rgb(51, 51, 51) !important]GaN和SiC同屬于第三代高大禁
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
材料特性對(duì)比展開(kāi)，通過(guò)泰克儀器測(cè)試英飛凌GaN器件來(lái)進(jìn)行氮化鎵特性的測(cè)量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計(jì)和PCB
2020-11-18 06:30:50
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
來(lái)看，基站功率放大器主要采用基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)。然而，越來(lái)越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性，并導(dǎo)致眾多供應(yīng)商在高功率基站功率放大器技術(shù)方面轉(zhuǎn)向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯
來(lái)自普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員制作出一種新型晶體管，所使用的材料有望取代硅，并且采用了立體結(jié)構(gòu)，而非傳統(tǒng)的平板結(jié)構(gòu)。這種
2011-12-08 00:01:44
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的選擇和比較進(jìn)行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
限制層，為像GaN材料體系這樣性質(zhì)差異大的半導(dǎo)體激光器提供了新的研究思路，有望進(jìn)一步提高氮化鎵激光器性能?！ ∥磥?lái)GaN基藍(lán)光激光器的效率將進(jìn)一步提升，接近GaAs基紅外激光器的電光轉(zhuǎn)化效率
2020-11-27 16:32:53
數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化鎵成為射頻半導(dǎo)體行業(yè)前沿技術(shù)之時(shí)正值商用無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展
2018-08-17 09:49:42
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
)。WBG 板載電動(dòng)汽車充電器示意圖此外，這兩種寬帶隙化合物半導(dǎo)體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據(jù)說(shuō)具有很高的擊穿電壓，可以在高溫下工作。考慮到這一點(diǎn)，本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間
2022-06-15 11:43:25
的成本實(shí)現(xiàn)與SiC相當(dāng)?shù)恼w效率。為什么選擇砷化鎵？成本 -用于砷化鎵二極管的晶圓的原材料成本及其固有的較低制造工藝成本代表了以顯著較低的價(jià)格實(shí)現(xiàn)SiC性能的重要機(jī)會(huì)。封裝砷化鎵二極管的典型成本約為同類
2023-02-22 17:13:39
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率，高頻率射頻市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)明顯相比于4G，5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對(duì)我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
）。因此，氧化鎵等材料的真正電子性能來(lái)自于充分利用其臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，但這個(gè)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度值到底是多少呢？直到2015年，尚無(wú)團(tuán)隊(duì)給出這種材料可實(shí)現(xiàn)場(chǎng)強(qiáng)的真實(shí)數(shù)字。和其他器件一樣，初步結(jié)果遠(yuǎn)未達(dá)到理論極限。在
2023-02-27 15:46:36
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
本文將從耐蝕性、高溫抗氧化性和抗老化性能來(lái)詳細(xì)介紹金屬材料的化學(xué)性能。http://www.gooxian.com/ （1）耐蝕性耐腐蝕性是指材料抵抗介質(zhì)侵蝕的能力，材料的耐蝕性常用每年腐蝕深度（滲
2017-08-25 09:34:50
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向。
2017-10-17 17:23:191633 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:52
9 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問(wèn)題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。
2018-07-19 09:47:205129 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開(kāi)關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，并且在射頻應(yīng)用中是對(duì)硅的重大改進(jìn)。
2020-04-30 14:35:3111724 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導(dǎo)體材料，相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的 SiC，GaN 功率器件是后進(jìn)者， 它擁有類似 SiC 性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶材料
2022-09-27 17:25:321714 
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297 目前，98.7％的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是使用硅襯底材料制造的。然而，存在從Si到寬帶隙襯底材料（GaN和SiC）的轉(zhuǎn)變，這有望實(shí)現(xiàn)功率器件性能的顯著提高。在未來(lái)四到五年內(nèi)，預(yù)計(jì)這些材料的使用量將增長(zhǎng)3.9％（17億美元）。*
2023-05-30 14:28:30347 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
SiC與GaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:226 
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