碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

當(dāng)前世界??上的半導(dǎo)體元件，絕大多數(shù)是以第一代半導(dǎo)體材料硅基半導(dǎo)體為主，約占95%的份額，但是隨著電動(dòng)汽車，5G通訊等新興技術(shù)的發(fā)展，以氮化鎵，碳化硅為代表新型基材越來(lái)越受到重視。第三代半導(dǎo)體，以碳化硅為代表，其具有禁帶寬度大，擊穿電場(chǎng)高，飽和電子漂移速度高，導(dǎo)熱率大等特點(diǎn)，特別是在1200V的高壓環(huán)境中，有著明顯的優(yōu)勢(shì)。

SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重要基礎(chǔ)，其表面加工的質(zhì)量和精度，直接會(huì)影響外延薄膜的質(zhì)量以及器件的性能，所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑，無(wú)缺陷，無(wú)損傷，表面粗糙度在納米以下。??

但是，碳化硅晶體具有高硬度，高脆性，耐磨性好，化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，這又使得碳化硅晶片的加工變得非常困難。

碳化硅襯底的加工主要分為以下幾個(gè)工序，切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋（CMP）。

1.切割

切割是將SiC晶棒沿著一定的方向切割成晶體薄片的過程。將SiC晶棒切成翹曲度小，厚度均勻的晶片，目前常規(guī)的切割方式是多線砂漿切割

2.研磨

研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。

常規(guī)的研磨工藝一般分為粗磨和精磨。

1)常規(guī)雙面磨工藝

目前國(guó)內(nèi)較多的碳化硅襯底廠商已經(jīng)在規(guī)模化生產(chǎn)的工藝方案。

a)粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式

該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，降低TTV，Bow，Warp，去除速率穩(wěn)定，一般能達(dá)到0.8-1.2um/min的去除率。但該工藝加工后的晶片表面是亞光面, 粗糙度較大，一般在50nm左右，對(duì)后工序的去除要求較高。

b)精磨：采用聚氨酯發(fā)泡Pad+多晶金剛石研磨液雙面研磨的方式

該工藝加工后的晶片表面粗糙度低，能達(dá)到Ra<3nm，這更有利于碳化硅襯底片后工序的拋光，但劃傷不良一直存在。且該工藝使用的是爆炸法工藝制備的多晶金剛石，其生產(chǎn)難度大，產(chǎn)量低，價(jià)格極高。

2)團(tuán)聚金剛石雙面研磨工藝

國(guó)內(nèi)部分襯底廠家也導(dǎo)入了一種新工藝，團(tuán)聚金剛石研磨工藝。該工藝良率更高，成本更低，精磨損傷層更低，更有利于拋光。該工藝也分粗磨和精磨兩步。這個(gè)工藝，國(guó)內(nèi)比較知名是深圳中機(jī)，其團(tuán)聚產(chǎn)品能覆蓋粗磨，精磨等全工序。

a)粗磨：1.5um團(tuán)聚金剛石研磨液+蜂窩樹脂Pad，雙面研磨工藝

該工藝采用的金剛石是團(tuán)聚金剛石磨料，1.5um的金剛石原晶，去除速率一般穩(wěn)定在0.8-1.2um/min，面粗在20nm左右

b)精磨：0.2um團(tuán)聚金剛石研磨液+樹脂Pad/聚氨酯發(fā)泡Pad，雙面研磨工藝

該工藝采用的金剛石是0.2um原晶的團(tuán)聚金剛石磨料，加工后的面粗在3nm以內(nèi)。

3)砂輪單面減薄工藝

部分碳化硅襯底廠商采用砂輪減薄，目前常用的砂輪有2000#粗磨，8000#精磨。該工藝方案加工靈活，穩(wěn)定性高，工藝精簡(jiǎn)。但由于減薄過程中晶片是在真空條件下，不利于Bow/Warp的修復(fù)。此外國(guó)產(chǎn)精磨砂輪磨耗比大，加工成本高，多依賴進(jìn)口。

目前該工藝在日本較為成熟，甚至已經(jīng)用到了30000#精拋砂輪，加工后的晶圓片表面粗糙度能達(dá)到2nm以內(nèi)。加工后的碳化硅襯底片可以直接進(jìn)行最后一道CMP拋光。

3.拋光

通常碳化硅襯底廠的拋光工藝分為粗拋和精拋。

1)粗拋：常用的粗拋工藝采用高錳酸鉀氧化鋁粗拋液搭配無(wú)紡布粗拋墊，通常采用的是杜邦的SUBA800。高錳酸鉀起到氧化腐蝕作用，納米氧化鋁顆粒起到機(jī)械磨削的作用，加工后的碳化硅襯底片表面粗糙度能達(dá)到0.2nm以內(nèi)。

2)精拋：通常采用100nm以內(nèi)的氧化硅拋光液搭配黑色阻尼布精拋墊使用，使用單面拋光機(jī)對(duì)碳化硅襯底片的Si面進(jìn)行拋光。常見的CMP精拋液是AB組份，拋光液通常是搭配雙氧水使用，其中雙氧水起到氧化腐蝕的作用。該工藝加工后的碳化硅襯底片表面粗糙度能達(dá)到0.1nm以內(nèi)。常用來(lái)檢測(cè)精拋后碳化硅襯底片劃傷的設(shè)備是Candela 8520。

化學(xué)機(jī)械拋光是通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除及平坦化的過程。晶片在拋光液的作用下發(fā)生化學(xué)氧化作用，表面生成化學(xué)反應(yīng)層，隨后該反應(yīng)軟化層在磨粒的機(jī)械作用下被除去。

編輯：黃飛

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