，快速切換能力和非常好的熱穩(wěn)定性，因此可以滿足所有這些要求，但是由于成本高，這些器件并未廣泛用于開發(fā)轉換器[4]。SiC MOSFET的成本是其兩倍，但與Si IGBT相比，它的高電流范圍是其8倍。為了減少成本問題，現(xiàn)在的重點是混合Si和SiC器件。在[5]中，介
2021-03-22 13:00:16
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上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《襇OSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
半導體的測試方法，其可靠性試驗結果如下。從結果可以看出，ROHM的SiC-MOSFET具有足夠的可靠性。關鍵要點:?ROHM的SiC-MOSFET與已經(jīng)普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性。
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個減少到4個。關于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時的結果最理想，無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。右側波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。從波形圖可見紅色
2018-11-29 14:34:32
-SBD，右下圖是這兩種損耗的情況。trr越快VF越低，綜合損耗越小。Si-FRD是trr越快，VF反而增加。而第2代SiC-SBD在保持傳統(tǒng)SiC-SBD高速trr的基礎上，將VF從1.5V降低到1.35V。在
2018-11-30 11:52:08
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始
2018-11-29 14:35:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
SiC-SBD的VF升高，可使電流平衡。因此SiC-SBD從可并聯(lián)連接二極管的角度看具有優(yōu)勢。反之需要注意的是抗浪涌電流性能IFSM遜于Si- FRD這一點。－能否請您對前面的說明做一個總結？首先，SiC是非
2018-12-03 15:12:02
當從APROM切換到LDROM執(zhí)行程序更新時，或者在ISP（系統(tǒng)編程）過程中從LDROM切換到APROM執(zhí)行應用程序時，應該使用什么軟件重置？
2020-12-08 06:07:24
我最近將框架從 Arduino 切換到了 ESP IDF。我一直在努力實現(xiàn)我的 w5500 SPI_ETH 開發(fā)板，因為一個簡單的事實，即特色示例 ( https://github.com
2023-04-13 07:07:58
從Linkwitz-Riley48切換到Linkwitz-Riley12的時候，地址就不連續(xù)了。那么“安全加載目標地址”應該是哪一個？
2023-11-29 07:30:24
我讓它在帶有 ST25DVK 的 Arduino 上工作，知道我從 ST25DVK 切換到 ST25DVKC 時遇到問題，我可以看到 i2c 從未建立，我想知道因為 ST25DVKC 有一個可配置的從屬地址，所以我必須設置它我。
2022-12-08 06:26:37
本系列僅為記錄工作，開發(fā)從STM32F030平臺切換到RISC-V CSM32RV20。CSM32RV20是南京中科微電子有限公司開發(fā)的一款基于RISC-V核的超低功耗MCU芯片，內(nèi)置RISC-V
2021-11-26 06:30:20
servicepack的版本是：servicepack_1.0.0.10.0.bin
用的SDK1.1.0
用TI的開發(fā)板可以正常切換到AP模式，但用自己的板子就不能切換到AP模式，程序卡死在
2018-05-14 00:27:34
捕獲一些數(shù)據(jù)。4.嘗試從iNEMO Suit選項進入DFU模式。 - 它顯示設備已切換到DFU模式的消息，但程序''STDFU Tester''和''DfuSe Demonstration'似乎看不到它
2018-09-17 11:47:56
我看ADATE305的datasheet，ADATE同時具有驅(qū)動和比較的功能，我想請問一下，如果我從驅(qū)動切換到比較的狀態(tài)，是不是要等很長時間？？至少要寫寄存器把驅(qū)動disable或者置成高阻狀態(tài)呢？還是可以不用disable寄存器？
2023-11-20 06:13:54
CC2540，在不斷電的情況下，從機切換到主機后，串口就無法正確發(fā)送數(shù)據(jù)，丟包嚴重，什么原因呢？（未切換前串口是正常的）
2016-04-26 10:57:26
ESP32上電先跑STA模式，接收到指令后切換AP模式進入UDP服務接收SSID PASSWORD，寫入NVS后再切回STA模式連接AP失敗怎么搞？STA模式下都是從NVS讀取要連接AP的SSID及PSW；從AP切換到STA模式是要重啟么？
2023-03-09 06:22:22
半導體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
低速時鐘的時間，還有從內(nèi)部低速時鐘切換到內(nèi)部高速時鐘需要多少時間？
2023-06-26 08:56:29
OSTimeDlyHMSM延時作用，釋放CPU的使用，將任務從運行態(tài)切換到等待態(tài)，那在UCOSIII例程中LED0點亮使用OSTimeDlyHMSM延時1秒，CPU切換到任務led1點亮延時1秒。這個時候LED0不是處在延時狀態(tài)嗎？還是OSTimeDlyHMSM延時只是釋放CPU的作用
2020-05-20 08:31:04
labview程序運行時按Tab鍵無法切換到簇中的元素，只能切換到簇本身？怎么辦？
2015-08-31 09:54:49
我國“新基建”的各主要領域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
TI工程師們：1.按照官方的協(xié)議棧自帶的最新的PDF已經(jīng)配置好，燒錄imageA第一次升級imageB的時候成功，可以切換，需手動復位才能切換到imageB，無法自動切換，為什么？2.在升級成
2019-11-04 06:32:33
狀態(tài)之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD的優(yōu)勢是得益于SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速，因此可大幅降低恢復損耗，實現(xiàn)高效率??2.同樣
2018-11-29 14:33:47
為0V，另外，外部的PWDN不能控制ADC進行關斷。請問ADC從測試碼模式切換到模擬輸入模式有什么需要配置的嗎？或者內(nèi)部需要激活一些什么？
2023-12-06 07:49:30
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
各位大神你們好，我用鍵陣控制數(shù)碼管顯示，摁第一個鍵顯示零 第二個鍵顯示1 依次類推。我發(fā)現(xiàn)個問題第一個鍵顯示0的時候正常但是摁第二個鍵顯示1的時候數(shù)碼管僅有一點點光基本上看不出來亮。但是我從別的數(shù)字切換到1的時候就是正常的 。唯獨從0切換到1的時候這樣，而且每次都是這樣。我用的是共陰數(shù)碼管。
2023-10-08 08:15:48
大家好，我是fpga世界的新手，我需要測試電路板“sp605”。我找不到一個教程，它解釋了如何從vhdl代碼切換到合成，然后在fpga上加載所有。我閱讀了該工具包的文檔，但唯一的教程涉及在C
2019-06-27 13:25:03
想從windows下切換到Linux，感覺好難，雖然早有這個想法，但是真正做起來后感覺還是有點難度，主要是命令行的界面感覺不習慣。感覺沒有了鼠標就什么都不會干了，尤其是在vi下的時候，連上下左右都不會了。但是換了vim.tiny后感覺我又會用了。
2019-07-05 08:16:23
怎么切換到原來的模式？top層找不到了
2019-09-16 04:01:56
執(zhí)行下面的語句，一直等待，那么是如何切換到有按鍵掃描的任務中的呢？這個函數(shù)中有voidOSSched (void);這個函數(shù)是可以進行上下文切換的，并且在OSSemPend中 OSSched是沒有在if判斷
2019-07-30 23:31:01
想知道如何在 Model::tick() 中從 A_Screen 切換到 B_Screen。如果有人知道如何，請向我尋求建議。
2023-01-05 07:38:30
CCIR656輸入的功能.從外部輸入多源的轉換到LCD上,中小模塊LCD的應用加上多視頻格式的轉換才能在車用市場或是攜帶型視頻產(chǎn)品上添加更多的功能. 高整合度的視頻轉換并且可以與主系統(tǒng)例如ARM或MCU8051
2013-03-12 14:35:10
將調(diào)試控制臺串口從LinFlex0切換到LinFlex1。然后在系統(tǒng)板上測試，發(fā)現(xiàn)在BL2階段加載BL31鏡像失敗。進一步分析發(fā)現(xiàn)發(fā)送CMD17后，寄存器INT_STATUS（402F_0000h
2023-05-05 12:18:25
我的輸入端電壓有可能是直流電壓也有可能是交流電壓，直流電和交流電的處理電路拓撲結構不同。請問，該如何自動切換到交流檔和直流檔呢？
2013-09-05 14:50:50
的驅(qū)動程序。當應用程序用程序員下載時，這很好，但是當應用程序啟動時，PMP接口的PIN分配不是“切換”到GPIO?，F(xiàn)在的任務是使應用程序或引導加載程序在應用程序啟動時從PMP模式切換到GPIO。引導加載
2019-03-22 10:01:06
你好！?。?！當我從XC32 V1.44切換到V2.XX時，是否需要對代碼進行更改？我在哪里可以閱讀v2.xx vs v 1.xx的更改的完整列表（不在發(fā)布說明中）。在XC32 v2.05發(fā)布之后，我在某個地方看到這樣的信息，但是現(xiàn)在我找不到了。非常感謝。
2020-03-26 09:32:53
大家好，我正在使用STM8l052R8 MCU。我正在嘗試將時鐘從HSI切換到LSI，但我不能。這是我的代碼：{CLK_DeInit（）; // deinitiate clock
2018-10-23 16:46:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導體相比
2017-07-22 14:12:43
勵磁電流ILM開始在死區(qū)時間內(nèi)對低側晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
可能陷入熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高，VF變高，不會熱失控。但是VF上升，因此IFSM比Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD
2019-07-10 04:20:13
的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
我看ADATE305的datasheet，ADATE同時具有驅(qū)動和比較的功能，我想請問一下，如果我從驅(qū)動切換到比較的狀態(tài)，是不是要等很長時間？？至少要寫寄存器把驅(qū)動disable或者置成高阻狀態(tài)呢？還是可以不用disable寄存器？
2018-08-18 07:46:44
麥克風從正常模式切換到睡眠模式的時鐘頻率是多少？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 What is the clock frequency where the mics switch from normal mode to sleep mode?
2018-11-06 10:25:31
TI工程師，您好。我想通過rfWakeOnRadioRx模式直接切換到rfPacketRx，在接受處理完成后，再切換到rfWakeOnRadioRx模式，請問該如何操作。目前我做的是不到RTOS的。謝謝！
2018-05-15 10:31:58
藍寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用
2009-11-17 09:39:204932 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
在這段視頻中，Nick Difiore解釋了Xilinx FPGA的功能如何允許從機械顯示切換到電子顯示。
2018-11-30 06:16:002503 直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉移和對更高性能的關注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應用，這就帶來了 SiC 基功率器件的應運而生。
2019-11-08 11:41:5317040 Google會發(fā)出警告，提醒用戶切換到Chrome瀏覽器安全使用擴展?，F(xiàn)在看來，Chrome 網(wǎng)絡商店并不是谷歌展示彈出窗口要求用戶切換到 Chrome 的唯一地方。
2020-02-24 10:11:021678 
作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
如果用戶在傳統(tǒng)桌面上，想要切換到vivox60的OS系統(tǒng)，具體操作就是打開手機，在手機桌面上找到變形金剛，點擊打開，然后點擊頁面右下角的OS系統(tǒng)圖標，切換進入。
2021-02-18 16:44:3821502 LTC4416演示電路-PowerPath自動從備用電源切換到備用電源
2021-06-07 08:33:00
37 。在接受《半導體工程》采訪時，Veliadis詳細介紹了SiC制造工藝和Si工藝的差異的一些要點。 Etch蝕刻工藝。SiC在化學溶劑中呈現(xiàn)惰性，只有干法蝕刻可行。掩膜材料、掩膜蝕刻的選擇、混合氣體
2022-08-19 16:53:301022 從 NCP1631 切換到 NCP1632 驅(qū)動的交錯式 PFC
2022-11-14 21:08:3711 關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 如果說要在16bit定點環(huán)境上使用DSP算法，如IIR構成的2P2Z，會受到定點編程和量化精度的問題。如果說在float32環(huán)境上可以很容易進行編程，那切換到定點環(huán)境上就不得不得考慮這些問題。
2023-05-02 14:23:00738 
作者簡介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車
2023-03-31 10:51:34293 
例子, 加入你是微博項目負責人員, 現(xiàn)在新版本較原來的老版本有很大的改變, 這設計到服務架構、前端UI等等, 經(jīng)過測試功能沒有障礙, 那么這時候如何讓用戶切換到新的版本呢? 顯而易見, 第一次發(fā)布的應用是沒有所謂的這個問題的, 這種如何
2023-06-25 14:45:22330 
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
在Linux中，可以通過以下步驟切換到命令行模式： 打開終端?？梢栽趹貌藛沃姓业浇K端或命令行終端。 在終端中輸入命令“exit”或“l(fā)ogout”，然后按回車鍵。 系統(tǒng)會提示您輸入管理員密碼。輸入
2023-11-13 16:47:50633 Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作，而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490 
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35196 
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