8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對(duì)晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和ON→OFF時(shí)的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？確認(rèn)絕對(duì)最大
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開關(guān)電路，試計(jì)算當(dāng)5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時(shí)的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
或FET電路的必要性 1．1．1 僅使用IC的場合 1．1．2 晶體管電路或FET電路的設(shè)計(jì)空間 1．2 晶體管和FET的工作原理 1．2．1 何謂放大工作 1．2．2 晶體管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立
2019-04-10 06:20:24
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號(hào)的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對(duì)晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
CD/CMOS模組加裝防***的必要性是什么？
2022-01-14 06:24:39
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-05-21 15:49:50
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2018-07-06 09:46:43
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2018-07-06 09:47:57
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2018-07-13 14:16:37
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2018-11-12 11:02:34
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
我正在瀏覽上面提到的Amp的數(shù)據(jù)表，任何人都可以解釋一下TDA7498MV中頻移的必要性
2019-08-13 06:59:46
`TGF2933分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2933報(bào)價(jià)TGF2933代理TGF2933 TGF2933現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠科技有限公司Qorvo TGF2933是SiC上的7 W（P
2019-07-19 21:01:07
`TGF2935分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2935報(bào)價(jià)TGF2935代理TGF2935 TGF2935現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠科技有限公司該器件采用Qorvo經(jīng)過驗(yàn)證的QGaN15構(gòu)建處理
2019-07-19 21:04:35
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有． 幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對(duì)的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常封裝在一個(gè)器件中。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是整個(gè)電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
FinFET的問題更多的是制造而不是泄漏。它可能會(huì)對(duì)幾個(gè)節(jié)點(diǎn)有所幫助，這可能意味著十多年的額外使用。盡管如此，制造過程中連續(xù)性的損失可能是重大且昂貴的?！ ■捠綀鲂?yīng)晶體管綜述 CMOS技術(shù)的創(chuàng)新
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
何為去耦技術(shù)？正確去耦有何必要性？去耦電容有哪些類型？不良去耦技術(shù)對(duì)性能的影響是什么
2021-03-11 08:14:14
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
用一個(gè)運(yùn)放和一個(gè)分立的外接晶體管就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)恒流電路，但也可以用一只運(yùn)放和一些電阻器，設(shè)計(jì)出一個(gè)雙極型的電流源或接收器。
2021-04-08 06:24:36
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
文章目錄【 0. 接口電路 】【P0口】【P1口】【P2口】【P3口】【 0. 接口電路 】接口電路的必要性：\color{red}{接口電路的必要性：}接口電路的必要性：?計(jì)算機(jī)對(duì)外設(shè)進(jìn)行數(shù)據(jù)操作
2021-07-29 08:09:28
晶體管使用的電流的最大值解說DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個(gè)別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個(gè)別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個(gè)別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個(gè)別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA時(shí)，基極電流IB需要相對(duì)
2019-04-22 05:39:52
機(jī)床數(shù)控化改造的必要性及其改造方法 ： 本文首先介紹了機(jī)床數(shù)控化改造的必要性，然后簡單介紹了機(jī)床數(shù)控化改造的內(nèi)容及其的優(yōu)缺點(diǎn)，而重點(diǎn)在于介紹如何進(jìn)行機(jī)床數(shù)控化改造，包括數(shù)控系統(tǒng)的選擇、數(shù)控改造中
2021-09-09 08:27:52
機(jī)床進(jìn)行數(shù)控化改造的必要性是什么？如何進(jìn)行改造？
2021-11-04 06:37:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對(duì)晶體管
2023-02-27 09:37:29
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
100GHz以上。 電子管是利用靜電場對(duì)電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號(hào)只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
（RDS（on））。理想情況下，所選器件應(yīng)均勻匹配，以確保靜態(tài)電流在并聯(lián)晶體管之間平均分配。其次，在動(dòng)態(tài)開關(guān)過程中，如果晶體管柵極缺乏對(duì)稱性，不僅會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)晶體管的電流分配不平衡，動(dòng)態(tài)電流和電路寄生參數(shù)
2021-01-19 16:48:15
直流電源的紋波系數(shù)監(jiān)測必要性介紹了紋波的產(chǎn)生；分析了對(duì)紋波進(jìn)行監(jiān)測的原因，直流紋波系數(shù)監(jiān)測對(duì)電網(wǎng)安全運(yùn)行的重要性，及目前直流電源成套裝置存在的問題，并結(jié)合實(shí)際闡述了常規(guī)監(jiān)測的方式，說明了對(duì)直流電源的紋波系數(shù)進(jìn)行監(jiān)測的必要性。 [hide][/hide]
2009-12-22 11:16:30
`芯片返修即通過將失效的元件從失效位置取下，代之以正確的元件，從而恢復(fù)產(chǎn)品全部正確特性的工藝過程。芯片返修的必要性：1.高價(jià)值的產(chǎn)品2.工藝復(fù)雜的產(chǎn)品3.科研需要4.OEM/EMS成本控制的需要`
2020-05-09 16:34:01
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
虛擬儀器由那幾部構(gòu)成？虛擬儀器為什么要校準(zhǔn)？有什么必要性？
2021-04-12 06:10:39
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
什么是車載Ethernet車載Ethernet降噪措施的必要性
2020-12-30 06:49:44
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
之所欲。 嚴(yán)格地說，提出過多過高的要求，或者指望神秘莫測、不是人所熟知的器件，可能會(huì)使選型過程復(fù)雜化，提高IC和分立晶體管的成本。因此，切勿奢求難以找到的器件或不必要的參數(shù)。 但是，IC比單一晶體管
2018-09-26 17:46:50
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