在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
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MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，開關(guān)損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上。電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)
2024-01-20 17:08:06916 
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
MOSFET進入電阻區(qū)，此時Vds徹底降下來，開通結(jié)束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。（Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降）。
2021-01-27 15:15:03
開關(guān)電源 MOS管損耗MOS管開關(guān)電源損耗開關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其
2021-10-29 09:16:45
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問題，開關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
規(guī)格書查找得到?！ ?、Coss電容的泄放損耗Pds Coss電容的泄放損耗，指MOS輸出電容Coss截止期間儲蓄的電場能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗?！ oss電容的泄放損耗計算：首先須計算或
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
，不需要穩(wěn)壓二極管鉗制。米勒振蕩若只是引起GS絕緣層擊穿，那么加穩(wěn)壓二極管很容易解決，問題的關(guān)鍵在于，米勒振蕩往往引起二次開關(guān)，也就是說，導(dǎo)通了又關(guān)閉又導(dǎo)通，多次開關(guān)，多次開關(guān)帶來的直接效應(yīng)，就是開關(guān)損耗
2018-11-20 16:00:00
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
電源工程師知道，整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因為這兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-29 08:43:49
MOS管開通損耗只要不是軟開關(guān)，一般都是比較大的。假如開關(guān)頻率80KHZ開關(guān)電源中,由于有彌勒電容，如果關(guān)斷速度夠快是不是MOS管的關(guān)斷損耗都算軟關(guān)閉，損耗接近0？另外開通和關(guān)閉損耗的比例是多少。請大神賜教，越詳細越好。
2021-09-11 23:56:46
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論?！ ∨c功率
2023-03-16 16:37:04
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。與功率開關(guān)有關(guān)的損耗功率開關(guān)是典型的開關(guān)
2019-07-01 10:20:34
3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間，也稱作死區(qū)時間，在這個過程中會產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
形?！ ?、逆變橋動態(tài)過程分析 1）開通時刻電流由上管IGBT→電感或者負載→N線→上母線電容； 2）關(guān)斷時刻電感進行續(xù)流→負載→N線→下母線電容→下二極管?！ ?、IGBT模塊損耗組成部分 IGBT
2023-02-24 16:47:34
直流傳導(dǎo)損耗采用理想組件(導(dǎo)通狀態(tài)下零壓降和零開關(guān)損耗)時，理想降壓轉(zhuǎn)換器的效率為100%。而實際上，功耗始終與每個功率元件相關(guān)聯(lián)。SMPS中有兩種類型的損耗：直流傳導(dǎo)損耗和交流開關(guān)損耗。降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時產(chǎn)生的壓降。為...
2021-10-29 06:18:15
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
我用IGBT設(shè)計了D類功放，用的管子是FGH60N60SFD，開關(guān)頻率為300kHz，上網(wǎng)查資料發(fā)現(xiàn)IGBT的開關(guān)損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計算開關(guān)損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問一下，開關(guān)損耗真有這么大嗎，是設(shè)計的不合理還是我計算錯了？
2019-07-25 10:16:28
損耗與減小米勒平臺區(qū)間的損耗方法討論9-降低開關(guān)損耗帶來的其它問題分析及高壓 MOSFET 柵極電阻取值10-MOSFET 柵極電阻與米勒平臺時間取值及橋式電路分析11-橋式電路管子誤觸發(fā)因素討論
2021-09-08 09:52:54
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
振蕩。防止mos管燒毀。過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般
2019-07-26 07:00:00
討論交流，真正學到知識，現(xiàn)在增加提問，參與回答者贈送張飛實戰(zhàn)電子1部精品課程以下是今日問題：1、開關(guān)損耗和續(xù)流損耗和哪些因素有關(guān)系?2、MOS管在H橋電路中體二極管什么時候會續(xù)流?`
2021-06-09 09:08:41
討論交流，真正學到知識，現(xiàn)在增加提問，參與回答者贈送張飛實戰(zhàn)電子1部精品課程以下是今日問題：1、MOS管在H橋電路中怎么解決續(xù)流損耗：A、熱源進行分配，大家一起承擔，B、分時載波，一會上管載波，一會
2021-06-15 09:25:50
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。08、開關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動損耗。其中在待機狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
阻小的MOS管40N120會降低導(dǎo)通損耗。 MOS在開啟和關(guān)閉時，一定不是瞬間完成。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程。在此期間，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，稱為開關(guān)損失
2021-12-29 16:53:46
像2301那種mos導(dǎo)通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的
2020-04-16 15:44:28
是基于技術(shù)規(guī)格書中的規(guī)格值的比較，Eon為開關(guān)導(dǎo)通損耗，Eoff為開關(guān)關(guān)斷損耗、Err為恢復(fù)損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒有Irr而極其微小。結(jié)論是開關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
：RGWxx65C系列的亮點＞使用SiC SBD作為續(xù)流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過使用SiC SBD，顯著降低了導(dǎo)通時的開關(guān)損耗用于xEV車載
2022-07-27 10:27:04
阻，在開關(guān)管會給出該指標，如圖3所示Ts表示開關(guān)周期t1、t2表示導(dǎo)通狀態(tài)的開始時間與結(jié)束時間 圖3導(dǎo)通電阻與電流的關(guān)系四、開關(guān)損耗開關(guān)損耗指的是總體的能量損耗，由導(dǎo)通過程損耗、關(guān)閉過程損耗、導(dǎo)通損耗組成
2021-11-18 07:00:00
，軟關(guān)斷的開關(guān)稱之為零電流開關(guān)?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)管的軟開關(guān)理想波形和硬開關(guān)波形如圖1所示，由圖可以看出，在硬開關(guān)狀態(tài)下，功率開關(guān)管兩端的電壓、電流有明顯的交疊區(qū)，在此交疊區(qū)內(nèi)產(chǎn)生開關(guān)損耗;而在軟開關(guān)狀態(tài)下，功率開關(guān)管兩端的電壓、電流幾乎沒有交疊區(qū)，所以也就不會產(chǎn)生開關(guān)損耗。
2019-08-27 07:00:00
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓mos只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變
2020-06-26 13:11:45
公式計算：同樣，關(guān)斷損耗的米勒平臺時間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對于兩個不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時，A管的開關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
完全開通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒有開關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
如何計算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開關(guān)MOS的損耗如何計算？
2021-03-02 08:36:47
極電壓大于G極電壓，MOS管寄生電容Cgd儲存的電量需要在其導(dǎo)通時注入G極與其中的電荷中和，因MOS管完全導(dǎo)通后G極電壓大于D極電壓。米勒效應(yīng)會嚴重增加MOS管的開通損耗。(MOS管不能很快得進入開關(guān)
2018-12-19 13:55:15
就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻（即降低空載和輕載的工作頻率），MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。 整流管D1損耗包括開關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型
2023-03-20 16:59:01
，LLC的諧振電感損耗，同步整流的MOS管損耗。等等。。。針對這些損耗，適當?shù)臏p小可以提升效率。1.針對MOS管可選用開關(guān)速度快的，導(dǎo)通電阻低的，電路上課采用軟開關(guān)。2.針對變壓器：選擇合適大小的磁芯
2018-09-18 09:13:29
導(dǎo)通損耗是指功率管還是二極管的，還是兩者都有？謝謝大神的解答！
2016-01-10 16:24:49
導(dǎo)通（為寄生電容充電）時出現(xiàn)一次，而當它關(guān)閉（為寄生電容放電）時出現(xiàn)一次。因此，在這兩種情況下估算時間t3作為MOSFET的上升和下降時間，您可使用等式4估算開關(guān)損耗：開關(guān)損耗取決于頻率和輸入電壓
2018-08-30 15:47:38
的阻值啟動損耗普通的啟動方法，開關(guān)電源啟動后啟動電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在改善方法：恒流啟動方式啟動，啟動完成后關(guān)閉啟動電路降低損耗。與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗鉗位電路損耗有放電電阻存在，mos開關(guān)管
2021-05-18 06:00:00
時，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細計算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來源2.1 MOS開關(guān)損耗MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件，顧名思義，MOS會經(jīng)常的開通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開始下降。在這段時間內(nèi)的功率損耗通過等式2表示：在等式3中加上總開關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個時段
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
今天開始看電源界神作《開關(guān)電源設(shè)計》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁有個名詞，叫“交流開關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思??？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
詳細查考的事項，但如果從柵極驅(qū)動電路中消除了LSOURCE的影響，則根據(jù)Figure 4中說明的原理，開關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷，雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著，但速度同樣也會變快。－這就意味著開關(guān)損耗得到
2020-07-01 13:52:06
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578163 
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。
2019-06-20 10:01:294747 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動損耗
2020-01-08 08:00:0011 電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動損耗一樣那么直觀，所有有部分人對于它計算還有
2021-03-24 09:45:407010 
功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-22 15:05:5925 電源工程師知道，整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因為這兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-22 17:35:5953 ，熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個損耗點，課件開關(guān)損耗測試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測試方案中的探頭應(yīng)用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動損耗一樣那么直觀，所以有部分人對于它計算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 MOS管即場效應(yīng)管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機驅(qū)動器等設(shè)備中很常見，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-03-21 17:31:393727 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺時間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49623 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動能力。本應(yīng)用筆記將詳細分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35557 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時將會導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224680 
同步buck電路的mos自舉驅(qū)動可以降低mos的開關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動可以降低MOS的開關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點
2023-10-25 11:45:14523 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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