相信很多工程師在使用電子測量儀器的時(shí)候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么？ 1. MOS的三個(gè)極怎么判定？ MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方 ： G極，不用說比較好
2018-08-28 09:31:02
30658 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:0424277 
SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 16P03 30V P溝道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8場效應(yīng)管 ，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷16P03參數(shù)： -30V -16A DFN3*3-8 P溝道
2021-03-18 14:21:33
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30A 30A P溝道 MOS管 30P03，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷30P03 參數(shù)： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
P溝道MOS管和N溝道MOS管的互補(bǔ)性體現(xiàn)在哪里？？？？？？？？求大神幫助?。。。。。?！
2013-09-24 16:50:43
N溝道 P溝道 MOS管什么電平導(dǎo)通啊跟增強(qiáng)型的 一樣嗎 初學(xué)者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
和增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管都是耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型。一般來說，場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，MOS場效應(yīng)晶體管又分為四類：N溝道耗盡型和增強(qiáng)型；P溝道耗盡型
2021-12-28 17:08:46
N溝道，是單獨(dú)引線的那邊2. N溝道與P溝道判別箭頭指向G極的是N溝道 箭頭背向G極的是P溝道3. 寄生二極管方向判定不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致
2023-02-10 16:17:02
擊穿 ?。?）漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場
2012-08-15 21:08:49
MOS管也就是常說的場效應(yīng)管（FET），有結(jié)型場效應(yīng)管、絕緣柵型場效應(yīng)管（又分為增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng)管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道。場效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷，這里我們講解
2021-10-28 07:46:04
本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 編輯
1、MOS的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極：不用說比較好認(rèn)。S極：不論是P溝道還是N
2019-09-11 10:27:48
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
MOS管，三極管屬于兩種不同類型管子， 它們的區(qū)別在于，MOS管是單極性管子而三極管屬于雙極性管子，這個(gè)單極性和雙極性
2012-07-09 17:03:56
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
，漏極和源極間的阻抗只有83毫歐，可以認(rèn)為壓降已經(jīng)很小了。P溝道MOS管開關(guān)電路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35
1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
間的穿通擊穿 有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生
2018-11-20 14:06:31
MOSFET，又稱為MOS場效應(yīng)晶體管。 MOSFET是一種能將很小的電荷控制的裝置，它的功效是控制電子以及電荷在半導(dǎo)體器件中的流動(dòng)，它是當(dāng)今電子信息技術(shù)中最重要的構(gòu)成之一，過去幾十年中經(jīng)常被用來構(gòu)成模擬
2023-03-08 14:17:15
強(qiáng)，吸引的電子就越多，導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的（VD>
2012-07-04 17:27:52
強(qiáng)，吸引的電子就越多，導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的（VD>
2012-07-06 16:06:52
本帖最后由 菜鳥到大神 于 2020-5-17 21:24 編輯
MOS管類型MOS管有N溝道型和P溝道型兩種，根據(jù)場效應(yīng)原理的不同又可分為耗盡型和增強(qiáng)型。因此，MOS管可構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P
2020-05-17 21:00:02
以圖中電路為例，當(dāng)我給柵極與源極之間一個(gè)恒壓源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一個(gè)交流源，波形為右邊那個(gè)圖。①那么當(dāng)Uac過零時(shí)，mos管D->S間溝道會(huì)關(guān)斷嗎？②當(dāng)Uac為負(fù)半軸時(shí)，mos管的導(dǎo)通情況是怎么樣的呢？是先導(dǎo)通反并聯(lián)二極管，再導(dǎo)通S->D間溝道嗎？
2019-12-26 17:04:09
以nmos為例，我想知道溝道為什么會(huì)被夾斷，為什么靠近源極的溝道電壓會(huì)比漏極高？我老是搞不懂這個(gè)，求前輩們分析一下，最好也說明一下載流子的運(yùn)動(dòng)。先謝謝了！
2014-03-06 20:38:57
以前使用AT指令可以返回OK，現(xiàn)在發(fā)送過去沒反應(yīng)，但能收到esp8266發(fā)送過來得連接連接信息，使用的SSCOM3，串口線沒有問題
2020-08-13 22:18:11
AO9926B雙N溝道MOS管（20V 7.6A）
2020-10-31 16:51:02
請問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) G16P03 原裝 -30V-16A P溝道 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷G16P03 參數(shù):-30V-16ADFN3*3-8LP溝道 MOS場效應(yīng)管
2020-11-05 16:48:43
數(shù)組轉(zhuǎn)換成字符串發(fā)送過去在轉(zhuǎn)換會(huì)DBL波形數(shù)組，然后通過聲音配置輸出，但是發(fā)現(xiàn)DBL波形數(shù)組轉(zhuǎn)換成字符串，再轉(zhuǎn)換回來就不在能配置輸出了。。。。。。。。求助，求指導(dǎo)
2012-12-25 14:05:43
`MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成
2011-12-27 09:50:37
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:32 編輯
如何用對(duì)一個(gè)N溝道MOS管通過改變電壓來發(fā)大漏極輸出的電流? 還有柵極源級(jí)漏極的電勢如何搭配才能
2010-10-27 16:52:46
小編在接到客戶咨詢關(guān)于MOS管的時(shí)候，總會(huì)被問到一個(gè)問題：怎么選擇合適的MOS管？關(guān)于這一個(gè)問題，昨天針對(duì)這個(gè)問題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
N溝道耗盡型mos管，電路工作過程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
場效應(yīng)管100V15A P溝道 TO-252 功率MOS管SL15P10 -100-15A 205毫歐TO-252 251【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N
2020-06-09 10:21:08
AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A
2020-06-19 10:57:37
場效應(yīng)管100V25A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:23:37
`深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8
2020-06-19 11:00:56
SL3020雙管30V16A 19毫歐DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N溝道場效應(yīng)管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場效應(yīng)管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴
2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫歐SOT23-3LSL3400 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3403 -30-3.5A 55毫歐SOT23SL3403 P溝道場效應(yīng)管的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-22 10:57:12
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫歐 SOT23-3LSL3406 N溝道場效應(yīng)管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:39:23
SL3414 20V6A 20毫歐SOT23-3LSL3414 N溝道場效應(yīng)管20V6A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:40:54
SL3414E 20V4A 20毫歐SOT23-3L帶靜電保護(hù)SL3414EN溝道場效應(yīng)管20V6A帶靜電保護(hù)的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-29 16:31:55
SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場效應(yīng)管功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-29 16:39:10
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝
2020-06-29 16:40:19
SL3422 55V2.1A 90毫歐SOT23-3LSL3422 N溝道場效應(yīng)管55V2.1A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力
2020-07-01 16:55:47
SL3423 -20-3A 44毫歐SOT23-3LSL3423 P溝道場效應(yīng)管20-3A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-07-01 16:57:06
場效應(yīng)管100V35A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:36:41
場效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
SL4184 40V60A 9毫歐TO-252SL4184 N溝道場效應(yīng)管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-07-01 16:58:17
`SL4430 30V18A 4.5毫歐SOP-8SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS管 【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-08-03 14:48:45
AO系列MOS管。L484場效應(yīng)管 30V41A N溝道功率MOS管完美替代AOD484【 中低壓MOS管替代AO系列】SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道優(yōu)勢替代
2020-06-12 10:43:52
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS，原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù)： 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
`TDM3544 N溝道MOS管[/td]描述一般特征該TDM3544采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷?！鬜DS
2019-03-13 16:06:37
。二、特點(diǎn)不同1、耗盡型：場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。2、增強(qiáng)型：增強(qiáng)型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低，使得在
2021-05-13 09:39:58
【轉(zhuǎn)】MOS管的基本知識(shí)（轉(zhuǎn)載）現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠性、故障率
2012-08-09 14:45:18
不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)（Short Channel Effect - SCE），熱載流子注入效應(yīng)（Hot Carrier Inject - HCI）和柵氧化層漏電等
2018-09-06 20:50:07
了導(dǎo)電溝道，于是在DS之間就有電流可以通過了，其情況如圖 20 所示?！ ≡谶@個(gè)階段，如果UDS保持不變，UGS增加會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電溝道變厚，從而ID變大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管預(yù)夾斷的形成 （預(yù)夾斷的形成是在理解初期
2023-02-27 14:57:01
D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，左圖圖示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，右圖圖示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。2)．它倆最大的不同是：MOS
2023-02-20 15:30:11
，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管。下圖所示分別是N溝道和P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。2、MOS管的工作原理增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背
2018-07-05 13:52:46
用STM32 HAL庫，串口使用中斷模式，發(fā)現(xiàn)程序有時(shí)候會(huì)進(jìn)去死鎖狀態(tài)，原因應(yīng)該是串口在發(fā)送過程中，這時(shí)候數(shù)據(jù)又被發(fā)送過去了，然后就很容易會(huì)死鎖了。上網(wǎng)找了相關(guān)的資料，見鏈接：作者分析了原因，是__HAL_LOCK的原因，這里點(diǎn)個(gè)贊。作者又寫了另外一種情況下串口死鎖的解決方法，具體可見：h...
2021-08-13 07:36:11
請問有沒有知道stm32h750VBT6為什么串口通信接受不到自己發(fā)送過去的數(shù)據(jù)？數(shù)據(jù)溢出會(huì)有影響嗎？
2023-08-04 11:11:58
請問有沒有知道stm32h750VBT6為什么串口通信接收不到自己發(fā)送過去的數(shù)據(jù)？數(shù)據(jù)溢出會(huì)有影響嗎？
2024-03-15 07:09:48
溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。即：耗盡型MOS管的VGS (柵極電壓)可以用正、零負(fù)電壓控制導(dǎo)通。增強(qiáng)型： 當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)
2023-02-21 15:48:47
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效應(yīng)管品牌：惠海型號(hào)：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
之前在1701中是用I2C將要配置的參數(shù)和寄存器從MCU發(fā)送到DSP，而在21489中，是否能將生成的文件作為算法整合到程序中是怎么樣做的呢？或者是跟sigmaDSP一樣需要從MCU發(fā)送過去？如果是
2023-11-30 06:07:23
N溝道場效應(yīng)管（電子為載流子），P溝道場效應(yīng)管（空穴為載流子）。絕緣柵場效應(yīng)管有四種類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03
如何利用一顆N溝道MOS管來實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓？
2022-02-15 06:03:40
16進(jìn)制顯示，就可以將16進(jìn)制發(fā)送給串口。但如何將未轉(zhuǎn)換好的數(shù)據(jù)例如1212,1200這些十進(jìn)制的數(shù)據(jù)發(fā)送過去呢？我直接想在串口中讀出十六進(jìn)制的數(shù)據(jù)，就像下圖顯示的一樣。謝謝了
2013-01-30 14:05:00
如何測量n溝道mos管的開啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢？求大神解答
2023-03-15 17:22:46
維修過程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32
=24V，即使源極和漏極之間形成了反型層，但是由于Vds之間存在電壓，且比較大，會(huì)直接將溝道夾斷。目前能找的很多資料基本都是講Vds從0開始增加，增加到一定值時(shí)才會(huì)形成“預(yù)夾斷區(qū)”。實(shí)際在正常使用MOS管
2023-03-22 14:52:34
想找一款開啟電壓大于5V的N溝道MOS管
2017-05-27 09:36:04
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 編輯
求N溝道MOS管型號(hào)
2012-12-21 15:41:08
需求：耐壓50V左右，輸入12V，可承受電流5A，N溝道型MOS管，做開關(guān)管用，推薦時(shí)告知導(dǎo)通阻抗Rds
2019-10-12 15:39:52
RT，最近看模電看迷糊了，在此請教各位大蝦，N溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底是P型硅片，那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢？ 是自有電子還是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個(gè)高
2023-02-10 15:58:00
*附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
物美。而逆變器后級(jí)電路可應(yīng)用的場效應(yīng)管除了TK8A50D，還有飛虹電子生產(chǎn)的這個(gè)FHP840 高壓MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP840 高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng)管，F(xiàn)HP840場效應(yīng)管
2019-08-15 15:08:53
本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
2018-08-16 15:31:1180321 mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面
2023-08-25 15:11:258271 MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:54621 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282912 
P溝道MOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱PMOSFET）是一種常見的場效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于各種
2023-12-28 15:39:311090
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