NMOS LDO和PMOS LDO的Dropout Voltage簡析

LDO規(guī)格書中標(biāo)注Dropout Voltage 這個(gè)指標(biāo)一般都是有特定條件的，一般有負(fù)載電流、輸出電壓條件，在備注或者測試條件中還有溫度范圍，以及輸入輸出電容大小等。

對(duì)于目前手機(jī)上用的多路LDO 輸出電壓都是可調(diào)的，可調(diào)的LDO Dropout Voltage 參數(shù)一般也只是標(biāo)注的特定條件下的值，但其實(shí)可調(diào)的LDO Dropout Voltage 和輸出電壓是有關(guān)系的，為什么有關(guān)系呢，這其實(shí)是和LDO的架構(gòu)有關(guān)的，NMOS LDO 和PMOS LDO的 Dropout Voltage和輸出電壓的關(guān)系變化趨勢還不一樣。

一.NMOS LDO Dropout Voltage 和輸出電壓的關(guān)系

下面是某輸出可調(diào)的NMOS LDO Dropout Voltage 和輸出電壓的關(guān)系，相同條件下，可以看到：

輸出電壓增加，Dropout Voltage 也增加，

輸出電壓減小，Dropout Voltage 就減小。
增加為什么會(huì)增加的，這就涉及到NMOS的架構(gòu)。

NMOS的LDO在Vbias一定的情況下：

Vout電壓↑，Vgs↓，NMOS Rdson ↑，所以Dropout Voltage 增加。

Vout電壓↓，Vgs↑，NMOS Rdson ↓，所以Dropout Voltage 減小。

二.PMOS LDO Dropout Voltage 曲線。

下面某輸出可調(diào)的PMOS LDO Dropout Voltage 和輸出電壓的關(guān)系，相同條件下，可以看到：

輸出電壓增加，Dropout Voltage 也減小，

輸出電壓減小，Dropout Voltage 就增加。

增加為什么會(huì)增加的，這就涉及到PMOS LDO的架構(gòu)有關(guān)。

PMOS管的LDO，輸出電壓增大，意味著輸入電壓也需要增大，比如：

如果輸出1.8V，輸入電壓最小1.8V+Dropout，Vsg=1.8V+Dropout

如果輸出2.8V，輸入電壓最小2.8V+Dropout，Vsg=2.8V+Dropout

PMOS管的 Vsg越大，PMOS Rdson 越小，這就是為什么PMOS架構(gòu)的LDO輸出電壓大的時(shí)候，Dropout Voltage卻減小的原因。

重點(diǎn)：

對(duì)于目前手機(jī)客戶在用的某些可調(diào)的PMOS LDO，因?yàn)橐?guī)格書只是標(biāo)注的特定輸出電壓情況下的Dropout Voltage，并且沒有給出輸出電壓和Dropout Voltage曲線，如果你需要設(shè)定的電壓小于標(biāo)注Dropout Voltage的電壓的時(shí)候，需要咨詢廠家，確認(rèn)你需要的輸出電壓條件下的Dropout Voltage。當(dāng)然如果你需要的電壓大于標(biāo)注Dropout Voltage的電壓的時(shí)候，可以用標(biāo)注電壓來評(píng)估。