碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53
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在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 EV、混合動(dòng)力車和燃料電池車等電動(dòng)車應(yīng)用市場(chǎng)。 與Si器件相比，SiC功率器件可以有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的 高效率、小型化和輕量化。 據(jù)了解，SiC功率器件的能量損耗只有Si器件的50%，發(fā)熱量只有Si器件的50%，且有更高的電流密度。在相同功率等級(jí)下，SiC功率
2019-07-05 11:56:2833343 家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞?b class="flag-6" style="color: red">器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
三菱電機(jī)發(fā)布了家用空調(diào)“ZW系列”8款機(jī)型，可根據(jù)人的位置和活動(dòng)量控制風(fēng)量及風(fēng)向，在不降低舒適性的前提下提高節(jié)能性。將于2007年11月中旬開始陸續(xù)上市。價(jià)格為開放式，該公司設(shè)想的實(shí)際售價(jià)約為18萬
2019-07-10 07:34:43
三菱FX1S PLC如何控制伺服電機(jī)？
2021-09-27 07:04:04
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 三菱PLC與西門子PLC有什么區(qū)別
2015-09-17 08:53:43
三菱PLC如何控制步進(jìn)電機(jī)？
2021-10-09 07:04:42
三菱PLC怎樣在脈沖總數(shù)未知的情況下實(shí)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)的加減速呢？
2023-03-23 15:29:20
三菱PLC控制三菱伺服選型技巧有哪些？
2021-09-26 07:13:03
本文以三菱產(chǎn)品為范例，將這種“采用擴(kuò)展存儲(chǔ)器通訊控制變頻器”的簡便方法作一簡單介紹。
2021-06-03 06:18:11
OPC總是與三菱PLC通訊失敗，是怎么回事，都是按照網(wǎng)上的步驟來的，還是說需要在woks2里設(shè)置一些參數(shù)。
2020-04-14 16:12:07
三菱電機(jī)開發(fā)出預(yù)計(jì)可用于氣囊的新結(jié)構(gòu)加速度傳感器。并在“第20屆微機(jī)械/MEMS展”上展示。
2019-09-02 08:25:02
如何解決三菱伺服電機(jī)上的常見報(bào)警代碼？伺服電機(jī)報(bào)警時(shí)電機(jī)停止方式與報(bào)警解除呢？報(bào)警解除的具體方法有哪些？
2021-09-27 06:39:12
三菱伺服電機(jī)故障修理的要點(diǎn)有哪些？是什么原因造成三菱伺服電機(jī)故障的？
2021-09-26 06:06:22
三菱伺服電機(jī)的轉(zhuǎn)矩控制模式有哪幾種？分別是什么？
2021-09-27 07:53:48
三菱伺服電機(jī)的控制方式有哪些？
2021-09-29 08:03:44
三菱伺服電機(jī)編碼器故障的技術(shù)方法原則是什么？
2021-09-26 06:16:11
三菱伺服電機(jī)轉(zhuǎn)矩模式怎么設(shè)置？
2021-09-30 08:08:19
三菱伺服電機(jī)馬達(dá)使用/安裝注意事項(xiàng)？
2021-09-28 06:43:00
三菱伺服剛性調(diào)節(jié)方法是什么？
2021-09-30 06:30:45
什么是慣量匹配呢？三菱伺服電動(dòng)機(jī)慣性發(fā)生的主要原因是什么？
2021-09-27 06:31:29
三菱伺服驅(qū)動(dòng)器故障維修優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-11-12 07:56:36
三菱各類伺服電機(jī)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是什么？
2021-11-12 07:40:28
三菱FX5U以太網(wǎng)數(shù)據(jù)采集有哪些應(yīng)用？怎樣去安裝三菱FX5U以太網(wǎng)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)？
2021-09-26 07:49:40
因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對(duì)全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-29 14:39:47
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對(duì)全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
如題，怎么知道三菱plc的內(nèi)存地址
2016-04-25 18:49:38
各位大神好我想用labview和三菱的mx component進(jìn)行數(shù)據(jù)交互。使用ActUtltype控件來進(jìn)行設(shè)計(jì)。現(xiàn)在使用ReadDeviceBlock方法來讀取PLC的數(shù)據(jù)。按照mx
2017-08-01 14:40:58
哪位大哥有用過labview與三菱q系列進(jìn)行以太網(wǎng)連接的，或者不是q，有網(wǎng)口的三菱plc，我是小白，希望指點(diǎn)一下，謝謝
2019-06-10 15:48:18
有那個(gè)師傅能提供一個(gè)labview控制三菱plc的y0輸出VI程序給我參考學(xué)習(xí)下？？謝謝！
2015-05-06 21:30:23
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開關(guān)時(shí)會(huì)在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
有沒前輩于三菱Q/L系列MC協(xié)議通訊過，因上學(xué)沒學(xué)好，看通訊格式一頭霧水。若有程序例子最好，或者三菱 mx conpnonet 要怎么設(shè)置？對(duì)方的PCL為L02，TCP，跪謝了
2017-06-19 22:16:32
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
最近打算用三菱的IPM做實(shí)驗(yàn)，但是買來了不會(huì)用啊。打算用IPM做逆變實(shí)驗(yàn)，但是IPM怎么也不工作，供電給了15V電壓，控制信號(hào)也是15V，其他的還需要接什么嗎，還需要外圍的保護(hù)電路嗎。求大神指點(diǎn)
2016-12-29 10:07:28
關(guān)于三菱伺服電機(jī)扭矩控制的知識(shí)點(diǎn)你想知道都在這
2021-09-26 07:54:12
請(qǐng)教了好多人，都沒有個(gè)真正的答案。
同樣的電機(jī)，電壓等級(jí)、功率等都一樣，為什么電機(jī)的勵(lì)磁電壓不一樣呢？？
2023-11-17 08:28:35
，SiC 功率模塊是首選解決方案，因?yàn)榕c傳統(tǒng) IGBT技術(shù)相比，它們提供更低的開關(guān)損耗。以下文章演示了采用 1200 V / 1200 A 三菱電機(jī) SiC 功率模塊的額定額定功率為 500 kW 的 DC
2023-02-20 15:32:06
如何維修三菱PLC的常見故障？
2021-11-11 07:25:57
如何維修三菱系統(tǒng)330HM臥加？
2021-11-12 07:52:43
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車級(jí)離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件，并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計(jì)必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車提供動(dòng)力
2019-08-11 15:46:45
的發(fā)展中，Si功率器件已趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會(huì)對(duì)于高 頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的 第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異屬性，將成為突破口，正在迅速
2017-07-22 14:12:43
求三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)完整版資料，網(wǎng)上下載下來都是只有目錄，沒有里面的內(nèi)容，有哪位有的可以分享嗎？跪求，萬分感謝！??！
2012-04-21 21:16:03
碳化硅（SiC） MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
求 三菱PLC對(duì)沼氣發(fā)電控制程序和I\O分配表
2016-10-15 16:19:05
求購三菱模塊,回收三菱驅(qū)動(dòng)器,回收三菱電機(jī)、菱伺服驅(qū)動(dòng)器MR系列回收三菱PLC模塊FX3U系列回收,長期回收三菱驅(qū)動(dòng)器_回收三菱PLC_回收三菱變頻器回收三菱MR-J3系列伺服驅(qū)動(dòng)器及馬達(dá)
2020-07-21 19:35:26
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
`本書主要圍繞電機(jī)控制的設(shè)計(jì)與相關(guān)功率器件來展開解析，介紹了電機(jī)控制的基本概念以及功率器件運(yùn)用技術(shù)。重點(diǎn)介紹了電機(jī)控制的設(shè)計(jì)方案，分別從DSP、MCU、FPGA這三個(gè)方面進(jìn)行講解。并且通過常用的功率
2019-03-27 16:56:11
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)教三菱PLC如何利用一個(gè)編碼器完成測(cè)速與長度呢？使用三菱PLC的SPD指令（測(cè)速），在此被指定的輸入不能與告訴計(jì)數(shù)器重復(fù)使用。
2023-03-30 15:28:15
三菱伺服電機(jī)馬達(dá)使用注意事項(xiàng)有哪些？
2021-10-08 08:38:59
請(qǐng)問如何使用三菱伺服電機(jī)實(shí)現(xiàn)定位功能？
2021-09-26 07:03:54
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 1月31日，三菱電機(jī)株式會(huì)社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級(jí)全SiC功率半導(dǎo)體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實(shí)現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:448596 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 2015年4月，Bodo’s Power上報(bào)道了三菱電機(jī)1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模塊（FMF800DX-24A）[3]。為了有效地驅(qū)動(dòng)和保護(hù)該器件，PI公司開發(fā)了其專用的柵極
2018-05-26 10:38:0211200 
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 上亮相。27日下午，三菱電機(jī)于上海東錦江希爾頓逸林酒店召開媒體發(fā)布會(huì)，三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dr.Gourab Majumdar在會(huì)上分享了三菱電機(jī)對(duì)功率元器件的理解以及新產(chǎn)品介紹，大中國區(qū)三菱電機(jī)
2018-09-11 17:00:00872 路徑中的一些電子傳導(dǎo)，增加閾值電壓而不改變器件的導(dǎo)通電阻而實(shí)現(xiàn)的。該機(jī)制有望讓電力電子設(shè)備提高對(duì)電磁噪聲的耐受（我們已知電磁噪聲會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)故障）。 在此項(xiàng)研究中，三菱電機(jī)進(jìn)行了SiC功率半導(dǎo)體器件的設(shè)
2019-05-04 12:45:00631 隨著我國新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括三大部分：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、車載充電器（OBC）/非車載充電樁和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC），SiC功率器件憑借其獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)在其中發(fā)揮著重要的作用。
2020-08-26 09:56:32653 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:0010175 
電機(jī)功率等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)劃分是怎樣的？下面就跟小編一起來簡單了解一下！
2021-07-21 09:15:21189218 
的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。 電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)
2021-08-13 15:22:002206 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動(dòng)特性。為了加深大家對(duì)高速功率半導(dǎo)體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來聊一下這個(gè)話題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結(jié)/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場(chǎng)效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開發(fā)過程中的挑戰(zhàn)，特別是其材料生長和封裝。
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 三菱電機(jī)事業(yè)本部總經(jīng)理 Takemi 表示：“功率器件和高頻/光學(xué)器件都是強(qiáng)大的業(yè)務(wù)，許多產(chǎn)品組在全球市場(chǎng)占有率很高。我們提供實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)不可或缺的關(guān)鍵器件， ”同時(shí)表示，“實(shí)現(xiàn)碳中和的功率器件是高效功率控制和電機(jī)控制的技術(shù)進(jìn)步。
2023-05-31 16:04:40733 
三菱電機(jī)和材料、網(wǎng)絡(luò)和激光領(lǐng)域的開拓者Coherent近日（2023年5月26日）宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄，將在擴(kuò)大生產(chǎn)200mm SiC功率器件方面進(jìn)行合作。
2023-06-02 16:03:33571 介紹了常用的手機(jī)有哪些功率等級(jí)的劃分
2023-08-03 15:26:51
0 三菱電機(jī)公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30301 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 11月13日， 三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場(chǎng)開發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
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