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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破,年產(chǎn)能24萬(wàn)片!

碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破,年產(chǎn)能24萬(wàn)片!

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碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

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Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137

Cree宣布投資10億美元 用于擴(kuò)大SiC(碳化硅產(chǎn)能

Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC(碳化硅產(chǎn)能,在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化
2019-05-14 10:24:443586

科銳宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:053967

Cree將投資10億美元 擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

2019年5月7日,美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級(jí)工廠。
2019-05-10 09:15:193496

國(guó)外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,碳化硅材料突破了創(chuàng)傳統(tǒng)
2021-11-13 09:58:012522

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

高端數(shù)字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付,2022年產(chǎn)能為25萬(wàn)只模塊,2025年之前將提升至150萬(wàn)只。 ? 本文圖源?基本半導(dǎo)體 這是基本半導(dǎo)體針對(duì)即將迎來(lái)爆發(fā)期的新能源汽車碳化硅市場(chǎng),提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時(shí)降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電,增加續(xù)航;這個(gè)特性使得眾多的車企把目光投注過(guò)來(lái)。 我們
2023-02-02 17:39:092602

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會(huì)下降。
2023-02-03 09:31:234410

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

?228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

三安光電近日宣布,將與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

Frontier公司的原國(guó)富工廠。收購(gòu)計(jì)劃將于2023年10月完成,2024年開始運(yùn)營(yíng)工廠,到2030年將碳化硅產(chǎn)能提升至2021年的
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

天科合達(dá)徐州經(jīng)開區(qū)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

項(xiàng)目投資8.3億元,購(gòu)置安裝單晶生長(zhǎng)爐及配套設(shè)備合計(jì)647臺(tái)(套),可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬(wàn)片,并計(jì)劃明年6月份建設(shè)完成,同年8月份竣工投產(chǎn),屆時(shí)江蘇天科合達(dá)總產(chǎn)能將達(dá)到23萬(wàn)片,年產(chǎn)值10億元以上。 資料顯示,北京天科合達(dá)是國(guó)
2023-08-10 16:45:49797

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394

汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵

目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資,要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664

2024年中國(guó)碳化硅晶圓全球占比將達(dá)到50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前,這些中國(guó)企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計(jì)到2024年,每月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片,年產(chǎn)能將達(dá)到150萬(wàn)片。
2023-11-20 10:59:33872

2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片,年產(chǎn)能150萬(wàn)。
2023-11-24 15:59:231078

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,特別是在新能源、電動(dòng)汽車、軌道交通等領(lǐng)域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導(dǎo)體材料的高載流子遷移率和低導(dǎo)通電阻特性,實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效轉(zhuǎn)換。具體
2024-01-10 13:55:54272

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03864

普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產(chǎn)線

預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣,將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01218

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:342171

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