SIC414 - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414CD-T1-GE3 - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414DB - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驅(qū)動(dòng)電路中要求輸入一個(gè)-25V電壓，有什么方法可以產(chǎn)生負(fù)的電壓？
2016-12-12 11:10:34
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報(bào)告，展示了SiC模塊開(kāi)發(fā)活動(dòng)的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因?yàn)榭刂坪碗娫?b class="flag-6" style="color: red">電路的最佳布局實(shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān)，需要能夠應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的市場(chǎng)的新型驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。由于其優(yōu)異的熱特性，SiC器件在各種應(yīng)用中代表了優(yōu)選的解決方案，例如汽車(chē)領(lǐng)域的功率驅(qū)動(dòng)電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-04-22 06:20:22
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴(lài)于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
編絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評(píng)估和檢查要點(diǎn) 所謂隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評(píng)估和檢查要點(diǎn) 性能評(píng)估事例中所使用電源IC的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測(cè)量方法和結(jié)果
2018-11-27 16:40:24
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
和設(shè)計(jì)案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件的選型電感 L1電流檢測(cè)電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對(duì)策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-05-06 09:15:52
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
如圖，是一個(gè)AP4313的應(yīng)用電路請(qǐng)問(wèn)要如何標(biāo)紅的R4的電阻
2018-12-25 09:37:19
CD4017有哪些應(yīng)用電路
2016-01-10 21:41:51
寄生效應(yīng)過(guò)多，它們的性能可能會(huì)下降到硅器件的性能，并可能會(huì)導(dǎo)致電路故障。傳導(dǎo)EMI會(huì)伴隨SiC MOSFET產(chǎn)生的快速電壓和電流開(kāi)關(guān)瞬變，內(nèi)部和外部SiC寄生效應(yīng)會(huì)受到這些開(kāi)關(guān)瞬變的影響，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開(kāi)關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡(jiǎn)化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用，實(shí)際上已經(jīng)在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發(fā)揮著SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
本文將介紹全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)—緩沖電容器。在高速開(kāi)關(guān)大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會(huì)使開(kāi)關(guān)
2018-11-27 16:39:33
。準(zhǔn)諧振控制軟開(kāi)關(guān)的低EMI工作，突發(fā)模式下的輕負(fù)載時(shí)低消耗電流工作，具備各種保護(hù)功能的最尖端功能組成，且搭載為SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的柵極箝位電路。另外，是工業(yè)設(shè)備用的產(chǎn)品，因此支持長(zhǎng)期供應(yīng)
2018-12-04 10:11:25
） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)提供 ?。―） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)提供 圖1.使用電壓源驅(qū)動(dòng)器BM61M41RFV-C（A和C）和電流源驅(qū)動(dòng)器BM60059FV-C（B和D）的IGBT的典型導(dǎo)
2023-02-21 16:36:47
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
深?lèi)?ài)全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
在無(wú)線電設(shè)備中，集成電路的應(yīng)用愈來(lái)愈廣泛，對(duì)集成電路應(yīng)用電路的識(shí)圖是電路分析中的一個(gè)重點(diǎn)，也是難點(diǎn)之一。1．集成電路應(yīng)用電路圖功能▼▼▼ 集成電路應(yīng)用電路圖具有下列一些功能： ?、偎磉_(dá)了集成電路
2015-08-20 15:59:42
SiC-MOSFET用作開(kāi)關(guān)的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計(jì)中，要使用SiC-MOSFET需要專(zhuān)用的電源IC設(shè)計(jì)中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C
2018-11-27 16:54:24
TOP414G構(gòu)成的5V、2A隔離式開(kāi)關(guān)電源電路
2019-09-12 09:12:06
個(gè)月的研發(fā)合作。本文將討論本專(zhuān)案中與車(chē)用電子的相關(guān)內(nèi)容，并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來(lái)自4個(gè)歐盟國(guó)家（意大利、法國(guó)、德國(guó)和捷克共和國(guó)）的20個(gè)合作伙伴組成，包括大型企業(yè)
2019-06-27 04:20:26
經(jīng)典實(shí)用電路大全是經(jīng)典實(shí)用電路叢書(shū)修訂后的合訂本，包括智能報(bào)警與控制經(jīng)典實(shí)用電路、燈光控制經(jīng)典實(shí)用電路、家用控制與保護(hù)經(jīng)典實(shí)用電路、農(nóng)牧漁業(yè)經(jīng)典實(shí)用電路、機(jī)
2009-03-01 13:36:26
0 CAV414是一種專(zhuān)為電容性傳感器而設(shè)計(jì)的通用多用途集成電路,可用于檢測(cè)被測(cè)電容的相對(duì)變化,以達(dá)到校準(zhǔn)參考電容的目的,因而可廣泛應(yīng)用于工業(yè)過(guò)程控制、遠(yuǎn)程測(cè)量、壓力及溫度檢
2009-04-29 15:18:3234 根據(jù)連鑄輥高溫段的工礦條件，對(duì)比進(jìn)口焊絲，研制了連鑄輥堆焊用藥芯焊絲414N，并對(duì)研制的藥芯焊絲進(jìn)行了性能測(cè)試，通過(guò)對(duì)比，可以看出，研制的414N藥芯焊絲完全可以替代進(jìn)口
2009-12-26 14:48:5211 SiC414 datasheet,pdf(6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO)
The Vishay Siliconix SiC414
2010-03-23 15:28:3323 TOP412/414三端DC/DC PWM開(kāi)關(guān)電源
TOP412/414 Triple－ terminal DC/DC PWM Switching Mode Power Supply
Power lntegrations公司繼TOPSwitc
2009-07-21 16:21:11
3858 
TOP414G的典型應(yīng)用電路
圖&
2009-07-21 16:23:403982 
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C
2010-03-04 13:25:266539 microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器SiC414（Vishay）
Vishay Intertechnology,推出旗下microBUCKTM系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件－
2010-03-23 11:23:05951 基于SiC414設(shè)計(jì)的6A降壓電源穩(wěn)壓技術(shù)
SiC414是Vishay公司的集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效
2010-04-22 18:10:331414 本內(nèi)容提供了三星414、415系列顯示器原理圖
2011-06-02 16:48:35466 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TPD1S414相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有TPD1S414的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，TPD1S414真值表，TPD1S414管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-10-16 11:16:58
圖和典型應(yīng)用電路
?
MK484最簡(jiǎn)化應(yīng)用電路
?
?
MK484可與以下型號(hào)的集成電路兼容：
BS414 ，CD7642CS， CIC7642AP/T ，D414 ，D501
2018-09-20 19:16:492948 TOP414G構(gòu)成的5V、2A隔離式開(kāi)關(guān)電源電路,TOP414G POWER SUPPLY
關(guān)鍵字：TOP414，開(kāi)關(guān)電源電路
2018-09-20 20:21:181358 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)HMC414相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有HMC414的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，HMC414真值表，HMC414管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 15:36:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()TF414相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有TF414的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，TF414真值表，TF414管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 19:06:09
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是安橋TX-NR414 AV接收器功放的維修電路圖合集免費(fèi)下載。
2020-09-24 08:00:0030 查看DN414F的參考設(shè)計(jì)。 http://srfitnesspt.com/soft/有成千上萬(wàn)的參考設(shè)計(jì)，可幫助您使項(xiàng)目栩栩如生。
2021-01-13 19:25:020 查看DN414F的參考設(shè)計(jì)。 http://srfitnesspt.com/soft/有成千上萬(wàn)的參考設(shè)計(jì)，可幫助您使項(xiàng)目栩栩如生。
2021-01-13 23:05:030 HMC414 S-Parameters
2021-01-31 14:13:250 HMC414 Gerber Files
2021-02-22 10:05:120 HMC414 Gerber Files
2021-03-09 11:41:090 HMC414 S參數(shù)
2021-03-23 11:12:520 DC414B - Design Files
2021-03-24 16:25:566 UG-414：評(píng)估ADP196高端負(fù)載開(kāi)關(guān)
2021-05-11 11:31:286 UG-414：評(píng)估ADP196高端負(fù)載開(kāi)關(guān)
2021-05-16 11:01:077 DC414B-原理圖
2021-05-18 10:47:041 HMC414數(shù)據(jù)表
2021-05-19 08:02:260 DC414A-演示手冊(cè)
2021-05-21 14:09:380 DC414A-模式
2021-05-23 10:42:120 HMC414 Gerber文件
2021-05-29 18:22:317 DC414B-設(shè)計(jì)檔案
2021-06-03 16:45:211 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC414B相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DC414B的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DC414B真值表，DC414B管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 11:00:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CAT-M414-UN385相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有CAT-M414-UN385的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，CAT-M414-UN385真值表，CAT-M414-UN385管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 18:00:04
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:58737 
RKP414KS 數(shù)據(jù)表
2023-04-27 20:21:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《414j MegaRAID SCSI固件版本.zip》資料免費(fèi)下載
2023-08-22 15:14:370 用SIC FETs取代機(jī)械電路斷開(kāi)器
2023-10-26 14:47:49125 
列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動(dòng) 為了補(bǔ)
2023-11-02 19:10:01361 
SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
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