英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年APEC

　　2015年3月25日，德國慕尼黑和美國夏洛特訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日宣布擴充其硅基氮化鎵（GaN）技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。

　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所收購美國國際整流器公司的GaN平臺，以及我們與松下電器的伙伴關(guān)系，使英飛凌在前景光明的GaN市場上確立了技術(shù)領(lǐng)先的地位。按照我們‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’的策略，現(xiàn)在，我們的客戶可以根據(jù)其設(shè)備/系統(tǒng)要求，靈活選擇增強模式或級聯(lián)模式。與此同時，英飛凌致力于開發(fā)表面貼裝器件（SMD）和IC，以便GaN技術(shù)在更為緊湊的空間內(nèi)進一步充分發(fā)揮其優(yōu)越性能。舉個常見的實例來說，利用我們的GaN技術(shù)，當(dāng)前市場上銷售的便攜式電腦充電器的尺寸和重量，可以被縮小并減輕至目前的四分之一。”

　　擴充后，英飛凌提供產(chǎn)品將包括專門的驅(qū)動器和控制器IC，它們有助于充分發(fā)揮GaN在各種拓撲和更高頻率下的優(yōu)越性。同時，通過收購International Rectifier公司，更為廣博的專利組合、硅基GaN外延工藝和100V-600V技術(shù)等都得到了進一步加強。此外，通過與松下電器結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，英飛凌與松下電器將聯(lián)合推出結(jié)合了松下電器的常閉型（增強模式）硅基GaN晶體管結(jié)構(gòu)與英飛凌的表面貼裝器件（SMD）封裝的器件，推出易于使用的高能效600V GaN功率器件，這也將帶給客戶雙重貨源便利。

　　這樣一來，英飛凌為客戶提供了完備的系統(tǒng)知識，以及業(yè)界最全面的GaN技術(shù)和產(chǎn)品組合。不僅如此，英飛凌將憑借出類拔萃的生產(chǎn)工藝、量產(chǎn)能力和第二貨源渠道的優(yōu)勢，為客戶提供采用英飛凌SMD封裝的常閉型GaN功率器件。

　　相比于硅技術(shù)解決方案，硅基GaN技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適用于從諸如電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產(chǎn)品，到服務(wù)器和電信設(shè)備中使用的SMPS。IHS發(fā)布的市場研究報告稱，面向功率半導(dǎo)體的硅基板GaN技術(shù)市場，將以高達50%以上的年均復(fù)合增長率（CAGR）增長，因此，到2023年，其市場容量將從2014年的1，500萬美元，增至8億美元。

　　供貨情況

　　2015年3月15日至19日，在北卡羅來納州夏洛特市舉辦的應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）上，英飛凌和松下電器已展示采用DSO封裝的600V 70m?器件樣品。此外，還展出了增強模式和共源共柵配置器件?？稍谂c客戶簽訂保密協(xié)議（NDA）的情況下，提供增強模式和級聯(lián)結(jié)構(gòu)的器件樣品。全面上市的中壓級聯(lián)結(jié)構(gòu)的GaN器件已向相應(yīng)的D類音頻系統(tǒng)客戶開放。

　　關(guān)于英飛凌

　　英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體科技公司，致力于通過產(chǎn)品和系統(tǒng)方案為現(xiàn)代社會解決三大重要挑戰(zhàn)：高能效、移動性和安全性。2014財年（截止9月30日），公司的銷售額達 43 億歐元，在全球范圍內(nèi)擁有約29，800名員工。2015年1月，英飛凌收購美國國際整流器公司，該公司是電源管理技術(shù)行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商，年收入達11億美元（2014 財年，該財年于6月29日結(jié)束），約4，200名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。

　　英飛凌在中國

　　英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長，在中國擁有約1700多名員工，已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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APEC(13177) APEC(13177)
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2021-01-12 09:17:14

2021年歐盟ERP能效新規(guī)EU2019/2020測試辦理流程及要求

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2020-12-15 16:52:12

2021年歐盟新版ERP報告怎么做，新版ERP能效標(biāo)簽測試要求

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GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標(biāo)準(zhǔn)達成共識

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各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時，源集漏集電壓最高為700V。

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增強型GaN功率晶體管設(shè)計過程風(fēng)險的解決辦法

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2020-10-28 06:59:27

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

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高能效PF有什么優(yōu)勢？

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高能效電源的設(shè)計指南

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AD9162配置的模式不成功，時鐘CLK±單端信號共模電壓接近0V會有什么影響嗎？

近期在使用AD9162時，配置的模式不成功，測試時鐘CLK發(fā)現(xiàn)，CLK±單端信號共模電壓接近0V，手冊上是0.6V，但測試9162-FMC-EZB參考板上的CLK也是共模電壓為0V，請問這個會有什么影響嗎？我們現(xiàn)在測試配置JESD204B接口模式不正確，不確定是否CLK的影響？

2023-12-05 06:14:24

ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015測試要求，ERP能效標(biāo)簽怎么做

；　　這些要求也適用于市場上銷售的組合產(chǎn)品(例如：照明用燈具)中光源和分離式光源控制裝置?！　?新版能效標(biāo)簽指令EU 2019/2015規(guī)定了光源以及用在組合產(chǎn)品內(nèi)光源的能效標(biāo)簽要求?！　?1新版ErP

2021-03-16 10:53:53

LED燈具新ERP指令EU2019-2020及能效標(biāo)簽指令EU2019-2015辦理流程

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LED燈具歐洲新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015指令有哪些測試要求

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2021-01-08 10:29:48

LTspice仿真導(dǎo)入元件遇到問題

本帖最后由 KUW 于 2020-3-14 17:51 編輯初次使用LTspice軟件，很多不太懂，如圖，搭的buck電路，開關(guān)器件用的Transphorm官網(wǎng)找的共源共柵GaN HEMT器件的LTspice模型，出現(xiàn)這個提示怎么辦？急需解答，十分感謝！

2020-03-14 17:06:14

OpenHarmony將攜新成果亮相HDC2022

OpenHarmony將攜新成果亮相HDC2022第四屆華為開發(fā)者大會 2022（Together）將于11月4日-6日在東莞召開，OpenAtom OpenHarmony（以下簡稱“OpenHarmony”）將攜新生態(tài)成果亮相HDC2022。邀你共建、共賞、共探索！

2022-10-31 17:30:57

PCB高級設(shè)計之共阻抗及抑制

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2013-08-23 14:56:09

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【放大器教程】共源JFET放大器解析

放大器電路。首先，需要找到合適的靜態(tài)點或“ Q點”，以利用共源（CS），共漏（CD）或源跟隨器（SF）的單個放大器配置對JFET放大器電路進行正確偏置以及適用于大多數(shù)FET器件的共柵（CG）。這三種

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2018-12-28 14:18:32

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2021-06-24 07:56:56

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電流源是什么？如何去實現(xiàn)一種負載共地的壓控電流源電路設(shè)計？

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新人求助，仿真數(shù)碼管如何將共陰極改成共陽極

` 本帖最后由 461869595 于 2015-12-4 17:22 編輯這是個共陰極數(shù)碼管，我想把共陰極改成共陽極數(shù)碼管，怎么實現(xiàn)呢？我剛剛在段選位置就是 DULA573后面加了一個上拉電阻做驅(qū)動，可是沒有什么效果。求助??！謝謝大家`

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新版ERP指令EU2019/2020和能效標(biāo)簽EU2019/2015什么時候強制實施

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歐洲ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015哪里辦理比較快

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2021-03-16 10:49:04

歐洲新ERP指令EU2019/2020能效要求，能效等級EU2019/2015要求是多少

2021-04-23 10:59:36

歐洲新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做，ERP能效標(biāo)簽辦理流程

2021-04-07 19:55:44

歐洲新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做，ERP能效標(biāo)簽辦理流程及周期

控制裝置。　　1新版能效標(biāo)簽指令EU 2019/2015規(guī)定了光源以及用在組合產(chǎn)品內(nèi)光源的能效標(biāo)簽要求。　　11新版ErP指令EU 2019/2020和能效標(biāo)簽指令EU 2019/2015從2019年

2021-01-20 11:03:46

歐洲新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么辦理，多少錢一份

2021-03-01 16:55:14

歐盟ERP新版能效標(biāo)簽EU2019/2015指令測試要求

適用于市場上銷售的組合產(chǎn)品(例如：照明用燈具)中光源和分離式光源控制裝置?！　?新版能效標(biāo)簽指令EU 2019/2015規(guī)定了光源以及用在組合產(chǎn)品內(nèi)光源的能效標(biāo)簽要求?！　?1新版ErP指令EU

2020-12-24 15:00:08

歐盟ERP能效報告EU2019/2020和EU2019/2015標(biāo)準(zhǔn)有什么區(qū)別

以及用在組合產(chǎn)品內(nèi)光源的能效標(biāo)簽要求。　　11新版ErP指令EU 2019/2020和能效標(biāo)簽指令EU 2019/2015從2019年12月25日開始實施， 2021年9 月1日起強制執(zhí)行，屆時，舊版

2020-07-26 20:01:34

歐盟ERP能效報告EU2019/2020和能效標(biāo)簽EU2019/2015辦理流程

2020-12-15 18:19:48

歐盟ERP能效報告EU2019/2020怎么做，ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做

2020-12-24 14:58:40

歐盟ERP能效指令EU2019/2020和EU2019/2015指令有什么區(qū)別

2020-12-24 15:05:45

歐盟ERP能效指令EU2019/2020和能效標(biāo)簽EU2019/2015更新內(nèi)容

2021-01-08 10:43:51

歐盟ERP能效指令EU2019/2015和EU2021/340修正要求

2021-03-30 14:09:52

歐盟ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做，舊版ERP標(biāo)簽什么時候過期

2021-01-20 11:32:33

歐盟新版ERP報告EU2019/2020和ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做

2021-03-01 16:45:03

歐盟新版ERP標(biāo)簽EU2019/2015測試辦理流程，ERP標(biāo)簽?zāi)?b class="flag-6" style="color: red">效等級計算和劃分

2021-01-20 11:33:56

歐盟新版ERP法規(guī)EU2019/2020及能效標(biāo)簽法規(guī)EU2019/2015辦理流程

2021-03-30 14:17:16

歐盟新版ERP能效EU2019/2020和EU2019/2015測試標(biāo)準(zhǔn)解讀

2021-03-22 17:27:31

歐盟新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015如何辦理

2021-04-01 19:56:27

歐盟新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么辦理，需要什么資料

2021-01-08 10:25:43

歐盟新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015測試要求有哪些

2021-03-01 16:54:46

歐盟新版ERP能效標(biāo)簽測試標(biāo)準(zhǔn)是什么，EU2019/2015指令辦理要求

2021-01-08 10:41:54

氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計方案

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。

2020-10-28 06:01:23

氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？

GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？

2021-06-17 10:56:45

球泡燈新版ERP指令測試要求，新版能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做

2021-03-30 14:19:02

球泡燈歐盟新版ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做，ERP能效標(biāo)簽要求有哪些

適用于市場上銷售的組合產(chǎn)品(例如：照明用燈具)中光源和分離式光源控制裝置?！　?新版能效標(biāo)簽指令EU 2019/2015規(guī)定了光源以及用在組合產(chǎn)品內(nèi)光源的能效標(biāo)簽要求。　　11新版ErP指令EU

2021-01-11 18:43:54

電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

的柵極驅(qū)動電路是并聯(lián)配置的關(guān)鍵。由此開始，GaN晶體管并聯(lián)配置與硅晶體管相類似，但不完全相同。為保證并聯(lián)晶體管均流，需要在設(shè)計階段對PCB布線和器件選型進行優(yōu)化。針對旁路電流對并聯(lián)GaN晶體管的影響，在柵極和開爾文源極路徑中加入合適的共模電感是必不可少的，這將有助于最大限度減小電壓震蕩。`

2021-01-19 16:48:15

電磁兼容基礎(chǔ): 共模與差分噪聲

共模與差分噪聲作為一個快速提醒，差動電流流向相反的方向通過源和回路，而共模電流流向相同的方向通過源和回路，完成電路通過地面路徑。圖1。微分模式和共模噪聲路徑你怎么知道你處理的是共模噪聲還是差分噪聲

2022-06-15 11:32:03

直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性

其RDSON低，其寄生二極管也不會導(dǎo)通。因此，最終在直接驅(qū)動配置中不會出現(xiàn)與Qrr相關(guān)的功率損耗。在共源共柵配置中，由于GaN漏源電容高（Cds），處于關(guān)斷模式的GaN和MOSFET之間的電壓分布會

2023-02-14 15:06:51

請問如何推動物聯(lián)網(wǎng)的高能效創(chuàng)新？

2021-06-17 08:57:28

請問怎么設(shè)計一種單級全差分增益增強的折疊共源共柵運算放大器？

怎么設(shè)計一種單級全差分增益增強的折疊共源共柵運算放大器？

2021-04-20 06:26:29

請問折疊共源共柵比較器怎么修改為遲滯比較器？

折疊共源共柵比較器怎么修改為遲滯比較器

2021-06-24 07:36:52

面板燈ERP能效報告怎么做，面板燈ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015測試要求

2021-01-08 10:42:35

面板燈歐盟ERP能效報告EU2019/2020和ERP能效標(biāo)簽EU2019/2015怎么做

2021-01-12 18:25:43

驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

。功率開關(guān) (SiC/GaN MOSFET) 的新技術(shù)將提高開關(guān)頻率，從而減小電感和電容尺寸，同時要求更精確、更快速、能效更高的檢測、控制和驅(qū)動IC。到2021年，在全部電站級逆變器中，30 kW至

2018-10-22 17:01:41

【谷景】共模電感廠家供應(yīng)優(yōu)質(zhì)車規(guī)級品質(zhì)共模電感

：產(chǎn)品名稱：共模電感產(chǎn)品類型：電感產(chǎn)品特點：體積小，薄型，高能量存儲，低直流電阻。產(chǎn)品價格：面議材質(zhì)類型：108050-601貼片共模電感

2021-09-07 13:17:53

安森美半導(dǎo)體將在2015 APEC展示下一代電源系統(tǒng)

2015年3月12日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）將在美國應(yīng)用電力電子會議（APEC）展臺407展示最新的電源管理技術(shù)

2015-03-12 17:50:26

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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，推出常閉型600V GaN功率器件

2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式（增強型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。

2015-03-20 14:08:39

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