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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>開關損耗測量中時間偏移對測量結果的影響分析

開關損耗測量中時間偏移對測量結果的影響分析

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2018-02-07 13:59:421

測量高壓開關分、合閘時間及同期性的意義

高壓開關的介紹和作用高壓開關分、合閘時間及同期性是用于測量高壓斷路器的機械性能,是變壓器與用電設備的橋接裝置,在整個回路中起到開斷和關合的重要作用,測量高壓開關其性能的好壞也是影響系統(tǒng)安全的重要因素
2018-08-13 15:15:20903

怎樣準確測量開關損耗

一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?
2019-06-26 15:49:45721

如何準確的測量開關損耗

一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?
2019-06-27 10:22:081926

開關損耗的準確測量

一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。
2019-07-31 16:54:535929

關于開關節(jié)點產(chǎn)生的開關損耗問題探討

同步整流降壓轉換器的同步開關(高邊+低邊)是對VIN和GND電壓進行切換(ON/OFF),該過渡時間的功率乘以開關頻率后的值即開關損耗。
2020-04-06 10:51:00889

功率MOSFET的開關損耗分析

功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248

BoostPFC電路中開關器件的損耗分析與計算

根據(jù)開關器件的物理模型 ,分析開關器件在 Boost 電路中的損耗 ,并計算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗 ,給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優(yōu)化設計。
2021-05-11 11:01:2512

開關損耗原理分析

一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產(chǎn)生的功率損耗;關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關損耗原理分析:(1)、非理想的開關管在開通時,開關
2021-10-22 10:51:0611

matlab中mos管開通損耗和關斷損耗,終于明白了!開關電源中MOS開關損耗的推導過程和計算方法...

電源工程師知道,整個電源系統(tǒng)中開關MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關斷損耗,因為這兩種損耗與傳導損耗或驅動損耗不同,因為它很直觀,所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天,我們將詳細分析
2021-10-22 17:35:5953

直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關損耗

歡迎回到直流/直流轉換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內容,在本文中,我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關損耗,從第1部分中的圖3(此處為圖1)開始:VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:12831

開關損耗測試方案中的探頭應用

,熱損耗極低。 開關設備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關器件的損耗可以說是開關電源中最為重要的一個損耗點,課件開關損耗測試是至關重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關損耗測試方案中的探頭應用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095

開關損耗測量中的注意事項及影響因素解析

功率損耗開關器件性能評估的重要環(huán)節(jié),也是工程師在選配時重點關注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境,對設備和探頭也投入不菲,但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移,測試結果很可能
2021-12-15 15:22:40416

開關電源的八大損耗(2)

3、開關動態(tài)損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態(tài)引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗,器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間,也稱作死區(qū)時間,在這個過程中會產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:270

開關電源功率MOSFET開關損耗的2個產(chǎn)生因素

開關過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時,電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關損耗。其中,米勒電容導致的米勒平臺時間,在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673

通過驅動器源極引腳改善開關損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅動方法

MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產(chǎn)生的開關損耗和傳導損耗,但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來,發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634

IGBT導通損耗開關損耗

從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受:導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子:可知,六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉換器的開關損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節(jié)點產(chǎn)生的開關損耗。開關損耗:見文識意,開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493

晶體三極管的開關時間測量

晶體管開關時間測量可以通過使用一個時間計數(shù)器來實現(xiàn),可以通過設置一個起始時間和一個結束時間,然后計算兩者之間的時間差來測量晶體管的開關時間。
2023-02-24 16:20:252909

異步降壓轉換器的導通開關損耗

MOSFET的柵極電荷(米勒電容)以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35556

MOS管的開關損耗計算

CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224668

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333

如何對示波器電壓探頭和電流探頭進行偏移校正

使用電壓探頭和電流探頭等不同類型的示波器探頭進行測量時,對探頭進行偏移校正是十分必要的。 圖1 Keysight U1880A 偏移校正夾具 偏移校正十分重要,因為對于開關損耗測量,晶體管開關打開
2024-02-04 11:31:30311

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