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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機的最新電源

Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機的最新電源

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我國C919國產(chǎn)大型客機104架機即將進入密集試飛階段

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Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半導體和電子元件。根據(jù)協(xié)議,貿(mào)澤電子將分銷Transphorm的經(jīng)過JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET和評估工具。
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Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新

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12月27日,C919大型客機106架機于10時15分從浦東機場第四跑道起飛,經(jīng)過2小時5分鐘的飛行,在完成了30個試驗點后,于12時20分返航并平穩(wěn)降落浦東機場,順利完成其首次飛行任務(wù)。
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中國C919大型客機已全面完成了復工復產(chǎn)工作

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國產(chǎn) C919 大型客機高寒試驗試飛專項任務(wù)近日取得圓滿成功

1 月 20 日消息 據(jù)人民日報報道,在經(jīng)歷了 20 天的測試后,國產(chǎn) C919 大型客機高寒試驗試飛專項任務(wù)近日取得圓滿成功。該客機于去年 12 月 25 日飛抵內(nèi)蒙古呼倫貝爾市海拉爾東山機場開展
2021-01-20 11:09:432306

東航與中國商飛在上海正式簽署C919大型客機購機合同

3月1日,中國東方航空(東航)作為國產(chǎn)大飛機C919全球首家啟動用戶,與中國商飛公司在上海正式簽署C919大型客機購機合同,首批5架,東航將成為全球首家運營C919大型客機的航空公司。 根據(jù)東航
2021-03-09 14:55:052323

Transphorm第三代經(jīng)JEDEC認證的GaN半導體將助力穩(wěn)態(tài)光電全新的1.6 kW鈦金級ATX PC游戲電源

加州戈拉塔--(美國商業(yè)資訊)--首類獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的高壓(HV)氮化鎵(GaN)半導體的設(shè)計和制造領(lǐng)導者Transphorm Inc.今天證實,臺灣原始設(shè)備
2022-01-05 15:07:442

TDK子公司TDK-Lambda利用Transphorm GaN發(fā)展PFH系列交流-直流電源

鎵(GaN)半導體的領(lǐng)導者Transphorm Inc.今天證實,TDK旗下集團公司、領(lǐng)先的電源制造商TDK-Lambda已推出其首款基于GaN的交流-直流(AC-DC)電源。額定功率達504 瓦的全功...
2022-01-06 15:56:171

TransphormGaN用于AES供應(yīng)大型客機的最新電源

Transphorm Inc.今天確認,其客戶AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH發(fā)布了首批650 V GaN電源。為航空業(yè)服務(wù)的AES為客戶提...
2022-01-11 10:52:211

Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV
2022-01-16 11:05:004473

GaN FET和ACF PWM控制器實現(xiàn)65W USB Type-C PD充電器

GaN晶體管擁有開關(guān)速度快、效率高等優(yōu)勢,本方案結(jié)合Transphorm公司的GaN FET和士蘭微電子的有源鉗位反激式(ACF)PWM控制器,實現(xiàn)了94.5%的峰值效率和30W/in3的無封裝功率密度,用于筆記本電腦、平板電腦、智能手機和其他終端設(shè)備的電源供電。
2022-06-15 09:29:53933

如何確定GaN電源的質(zhì)量和可靠性

和通過/失敗標準,以確保系統(tǒng)可靠性并加速市場發(fā)展。Witham 補充說,行業(yè)聯(lián)盟正在努力克服差異——采用不同技術(shù)的供應(yīng)商會產(chǎn)生偏見,而供應(yīng)商則有不同的商業(yè)利益。有些有硅和氮化鎵;有些只有GaN;其他的有硅、碳化硅和氮化鎵。
2022-07-27 08:02:531039

通過硅和GaN實現(xiàn)高性能電源設(shè)計

MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合,以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器,適用于高達 400 W 的消費和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN 技術(shù),新設(shè)備可以處理更多功率,同時優(yōu)化其效率。ST 強調(diào)了將 GaN 與驅(qū)動器集成如何簡化設(shè)計并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00317

飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布,全球電源產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出
2022-07-29 09:14:47584

用于數(shù)據(jù)中心的 GaN 技術(shù)

傳統(tǒng)的 AC-in 架構(gòu),GaN用于高頻軟開關(guān)拓撲。對于功率因數(shù)校正 (PFC) 級,傳統(tǒng)的硬開關(guān)、低頻 (47 kHz) 升壓升級為軟開關(guān) MHz“圖騰柱”,DC-DC 級也以類似方式升級
2022-08-04 09:35:21788

電源設(shè)計中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中,我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:54580

電源設(shè)計中嘗試使用GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中,我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)發(fā)布了氮化
2023-02-03 18:19:051938

Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設(shè)計

近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計。
2023-02-06 10:15:231202

Transphorm提供新型四象限氮化鎵開關(guān)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)今天宣布,公司已贏得一 份美國能源部先進能源研究計劃署(ARPA-E
2023-02-21 13:51:120

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體,領(lǐng)先同類產(chǎn)品。 該器件
2023-06-16 18:25:04268

Transphorm氮化鎵器件率先達到對電機驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

與安川電機公司合作取得的這項成果,充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺的基本優(yōu)勢。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 - 新世代電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN
2023-08-28 13:44:35154

國產(chǎn)光伏又用GaN,未來產(chǎn)能100萬套

Transphorm在公告中表示,他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線,GaN器件可以實現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽能系統(tǒng),同時還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。Transphorm還表示,氮化鎵技術(shù)在全球光伏領(lǐng)域的市場空間將超過5億美元。
2023-08-30 16:42:34826

Transphorm公司的TOLL FET將GaN定位為適用于耗電型AI應(yīng)用的最佳器件

Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是強大的GaN功率半導體(下一代電力系統(tǒng)的未來)領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET,其導通電
2023-10-12 16:40:56251

Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)

電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領(lǐng)先供應(yīng)Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,DAH Solar Co., Ltd.的世界首個集成型光伏(PV)系統(tǒng)采用
2023-10-16 16:34:15247

Transphorm攜手Allegro MicroSystems提升大功率應(yīng)用中氮化鎵電源系統(tǒng)性能

)功率半導體供應(yīng)Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布與為運動控制和節(jié)能系統(tǒng)提供電源及傳感半導體技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)Allegro MicroSystems, Inc.
2023-12-12 18:03:10179

Transphorm發(fā)布兩款應(yīng)用于兩輪和三輪電動車電池充電器的參考設(shè)計

新設(shè)計工具有助于加速兩輪電動車市場的產(chǎn)品設(shè)計,并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢 ? 2023 年 12 月 21 日 -全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)
2023-12-27 17:39:22130

Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級封裝器件,支持多功率等級,為客戶創(chuàng)造競爭優(yōu)勢

日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導者Weltrend Semiconductor
2024-01-03 15:17:33125

瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容

全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:32865

瑞薩宣布收購Transphorm,大舉進軍GaN

全球半導體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:58267

瑞薩豪擲3.39億美元收購Transphorm,押寶GaN技術(shù)

在科技領(lǐng)域的巨浪中,瑞薩電子以35%的溢價宣告了一項重磅收購。1月11日,瑞薩電子正式宣布與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導者Transphorm達成最終協(xié)議,按照協(xié)議的規(guī)定,瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:25361

偉詮電布局GaN市場,有望打入瑞薩供應(yīng)

偉詮電在氮化鎵(GaN)快充市場迎來了新的機遇,因為日本集成設(shè)備制造商(IDM)瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來說意味著未來或?qū)⑦~入瑞薩供應(yīng)鏈,進一步加強
2024-01-16 18:43:46506

瑞薩電子收購氮化鎵廠商Transphorm

瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導者Transphorm宣布,雙方已達成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm,這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%,總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234

瑞薩宣布收購Transphorm,雙方已達成最終協(xié)議

此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約合人民幣24.27億元)。此次收購將為瑞薩提供GaN(功率半導體的下一代關(guān)鍵材料)的內(nèi)部技術(shù)。
2024-01-19 11:32:57130

瑞薩電子收購氮化鎵供應(yīng)Transphorm

瑞薩電子近日宣布了一項重大收購,以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)Transphorm。這次收購總額為3.39億美元,相當于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價,此次收購溢價約35%。
2024-01-23 15:53:21232

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