年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。 該機構指出，SiC功率半導體市場主要在中國和歐洲擴張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設備領域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預計將進一
2019-06-25 11:22:42
7827 GaN中游我們可以將其分為器件設 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導體的一類，與SiC類似，全球產能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于SiC，GaN在設計和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:454002 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體
2013-04-26 10:10:041532 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市場研究機構IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產品，2015年碳化矽（SiC）功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導體也已開始
2016-03-24 08:26:111305 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
全球范圍內5G技術的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元，預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
?近日，國內第三代半導體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項性能達到國際領先水平。此舉標志著芯塔電子在第三代半導體領域取得了重大進展，進一步
2022-08-29 15:08:57879 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 的設計人員面臨幾個相沖突的業(yè)界挑戰(zhàn)，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標準，一直到成本等相關問題。納微的單芯片GaN功率IC可同時達到高速運作及高效率
2017-09-25 10:44:14
繼第一代和第二代半導體技術之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍光激光器等技術的關鍵核心。因為第三代半導體的優(yōu)良特性，該半導體技術逐漸成為了近年來半導體研究
2023-06-25 15:59:21
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
具備所有必要的技術特性，采用16引腳寬體SOIC封裝。它們可以對基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器的高速復雜多層控制環(huán)路進行管理。[color=rgb(51, 51, 51) !important
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
另一方面，按照現(xiàn)在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術的大量需求引起了對這一領域的研發(fā)熱潮?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
進行介紹。SiC功率元器件的開發(fā)背景之前談到，通過將SiC應用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進解決全球
2018-11-29 14:35:23
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
半導體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導體已經開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性要求很嚴苛的車載設備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
國際銷售總監(jiān)-深圳職位描述崗位基本職責：帶領團隊開展國際市場開拓及目標銷售任務的完成。要求：1、本科及以上學歷，國際貿易或理工科等相關專業(yè)。2、在大型設備、機器人、智能玩具等行業(yè)國際業(yè)務相同崗位二年
2015-06-12 15:40:53
求助大家，我是一名新手，如果組建一個車輛牽引逆變器軟件開發(fā)團隊，一般需要幾個人，怎么分工謝謝，底層架構為dsp+fpga+arm。
2017-11-16 22:06:29
我要組建一支智能家電開發(fā)團隊，有興趣的工程師們可以聯(lián)系我本人QQ1548116357，聯(lián)系電話***
2014-10-30 20:33:43
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術而制成。GaN-on-SiC 方法結合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
--- QPA2212和QPA1022，它們適合國際Ka頻段的衛(wèi)星通信應用與X頻段的相控陣雷達應用。這些解決方案提供的功率、線性度和效率可達到行業(yè)最高水平，且體積更小，因此這兩款器件既能提高系統(tǒng)性能，又能降低成本。
2019-09-11 11:51:15
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點和不成熟處，因此在應用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
成熟銷售團隊，多個成功經驗，研發(fā)團隊組建設***中，1、***嵌入式軟件工程師（醫(yī)療美容可穿戴產品） 2、***硬件/電子電路設計工程師（醫(yī)療美容可穿戴產品） 坐標：上海成熟項目規(guī)劃，研發(fā)團隊***中，招全職工程師或（技術入股合伙人），聯(lián)系：QQ：593042248
2019-04-27 16:34:53
本人主要從事電子產品硬件的設計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術團隊。初衷如下： 1. 多結識一些志同道合的朋友，大家在技術、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:21:12
本人主要從事電子產品硬件的設計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術團隊。初衷如下： 1. 多結識一些志同道合的朋友，大家在技術、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:25:55
本人主要從事電子產品硬件的設計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術團隊。初衷如下： 1. 多結識一些志同道合的朋友，大家在技術、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:27:17
本人主要從事電子產品硬件的設計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術團隊。初衷如下： 1. 多結識一些志同道合的朋友，大家在技術、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:28:06
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
，一舉接近國際一流水平。龍芯現(xiàn)有的兩個桌面型號分別是四核心的3A-1000和八核心的3B-1500，其內核是2006年定型的GS464微架構。如今老舊的 GS464核心已經不堪重任，各項性能指標與當前
2015-05-08 10:52:52
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
”是條必經之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經迫在眉睫?！?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導體相比
2017-07-22 14:12:43
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到，一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
——說智能硬件創(chuàng)客CEO的團隊建設之路 幾年前，在我第一次創(chuàng)業(yè)的時候，一個朋友問我準備花多少錢來打造團隊。我得意洋洋的告訴他，我的項目創(chuàng)意全國都領先，沒幾個人做的到，內容也沒那么復雜，組建一個差不多
2015-09-21 13:25:10
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
一位中國移動方面的人員在其演講中公開表示根據(jù)其測試的結果顯示，TD終端的部分指標已經超過了WCDMA終端，TD終端的質量已達到了業(yè)界一流的水平
2011-12-10 14:44:491059 據(jù)權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112463 安華高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光電耦合器新產品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制造的功率半導體器件等的門極驅動。新產品的最大特點是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:00
1 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 茅臺集團提出了“智慧茅臺”的重要規(guī)劃，要實現(xiàn)“智慧茅臺”達到國內一流水平。
2018-03-05 16:02:003285 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
預計在 2021 年突破 10 億美元。 報告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導體的銷售收入，預計從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預計未來十年，每年
2020-11-16 10:19:322223 1月25日電（記者 吳濤）近日，中國移動公布，當前正積極推進落實第五個五年發(fā)展戰(zhàn)略創(chuàng)世界一流“力量大廈”，目前在多個領域已經處于通信行業(yè)世界一流水平。
2021-01-26 10:31:292220 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0010174 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:015712 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅動特性。為了加深大家對高速功率半導體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來聊一下這個話題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 在基本半導體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?！癝i 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 
鎵 (GaN) 等技術所需的最高開關速度和系統(tǒng)尺寸限制而設計。架構的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩(wěn)定性，從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導體的基于 SiC 技術的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內外眾多科研團隊的目光，近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35754 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經開發(fā)并通過汽車認證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉換，并且已經與汽車企業(yè)建立了無數(shù)合作伙伴關系。
2023-01-06 11:11:34459 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規(guī)半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15676 SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關，其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
由于應用領域特殊，項目對功率器件的性能和可靠性均提出了極高的要求。而作為第一家獲得導入的中國SiC功率器件企業(yè)，利普思以其國際化的專業(yè)團隊、高性能高可靠的產品，贏得了客戶的信任和認可。
2023-08-04 15:21:06431 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25659 
長電科技在功率器件封裝領域積累了數(shù)十年的技術經驗，具備全面的功率產品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:561042 長沙超算中心算力重歸國際一流水平 同時湖南公布2024年十大產業(yè)項目 長沙積極打造成全球研發(fā)中心城市；長沙產業(yè)發(fā)展迅速，已經形成新一代自主安全計算系統(tǒng)國家級先進制造業(yè)集群。 據(jù)湖南省政府工作報告數(shù)據(jù)
2024-01-25 16:04:02936 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
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