硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
的2倍,所以S使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點(diǎn),在相同的功率等級(jí)下,設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小,同時(shí)效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點(diǎn),可靠性 4、SiC 功率器件的活用(動(dòng)作、回路、實(shí)驗(yàn)例
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗,提高開關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
的臨界擊穿電場,有利于碳化硅器件實(shí)現(xiàn)更高的耐壓;更高的飽和電子漂移速度,有利于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度;3倍的熱導(dǎo)率,有利于提高器件散熱效率。因此,碳化硅器件具有高耐壓、低導(dǎo)通阻抗、開關(guān)速度快及熱導(dǎo)率高等特性
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
密度化。但是,像碳化硅這樣的寬帶隙(WBG)器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),因而業(yè)界對(duì)于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
組件來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)。也因?yàn)橄M(fèi)性市場存在可觀的潛在需求,相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下,氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺(tái)積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過,氮化鎵陣營的業(yè)者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,可以顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的效率也會(huì)更高。當(dāng)客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關(guān)管后,通常也會(huì)愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導(dǎo)通電阻(Rdson)的硅-MOSFET [B1] ,降低整流器件的導(dǎo)通損耗
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計(jì),例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能簡化高壓輸入隔離DC/DC變換器拓?fù)淝揖邆涓咝?、?b class="flag-6" style="color: red">可靠性等明顯優(yōu)勢,適合應(yīng)用在中大
功率新能源領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)如下:
碳化硅MOSFET高阻斷電壓(一般大于1000V)能夠簡化拓?fù)?/div>
2016-08-05 14:32:43
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
的高性價(jià)比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Planar SiC MOSFET,例如垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物晶體管VDMOS)由于器件尺寸較大,影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
陶瓷板,可適配標(biāo)準(zhǔn)CAV應(yīng)用型封裝,可有效降低新能源商用車主驅(qū)電控、燃料電池能源管理系統(tǒng)應(yīng)用中的功率器件溫升和損耗?! core2系列產(chǎn)品具有低開關(guān)損耗、可高速開關(guān)、低溫度依賴性、高可靠性等特點(diǎn)
2023-02-27 11:55:35
電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性,需要通過封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)的高效、高可靠連接,才能得到完美展現(xiàn),而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時(shí)面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫?!?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件”廣泛分以下兩大類:一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
IATF16949和汽車級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測試AEC-Q101認(rèn)證證書。分別從質(zhì)量管理體系的專業(yè)性和產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性,這兩個(gè)方面保證了為整車廠提供高標(biāo)準(zhǔn)的車用碳化硅功率器件?! 〕R姷腄C/DC級(jí)
2023-02-27 14:35:13
小于5ns; · 選用低傳輸延時(shí),上升下降時(shí)間短的推挽芯片?! 】傊?,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí),對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求,為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
,LeapersSemiconductor使用其專利的電弧鍵合?技術(shù)(圖2)?! ∨c許多汽車級(jí)功率半導(dǎo)體制造商使用的傳統(tǒng)鋁引線鍵合技術(shù)不同,電弧鍵合?專利芯片表面連接技術(shù)可確保滿足汽車應(yīng)用要求的SiC模塊的可靠性,同時(shí)顯著降低寄生電阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān),通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
碳化硅功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比,科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性,并為能源效
2011-10-12 09:30:281117 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2021-12-17 17:23:252461 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:293382 Agarwal 的播客中,我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章: 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 多家公司已將 SiC 技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外,幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已經(jīng)為未來基于 SiC 的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅 (SiC)MOSFET 即將徹底取代硅功率開關(guān);該行業(yè)需要能夠應(yīng)對(duì)不斷變化的市場的新驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。
2022-08-09 08:02:071519 相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平,但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2022-12-01 10:23:191014 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254 什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564072 碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.10.34H-SiC
2022-03-07 09:51:01285 碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317 ? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn),因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅(jiān)固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、工業(yè)和國防應(yīng)用的功率器件.作為首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603 碳化硅(SiC)技術(shù)比傳統(tǒng)硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)更具優(yōu)勢,包括更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗,從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用,以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29389 電機(jī)控制器:碳化硅器件在新能源汽車電機(jī)控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動(dòng)單元等,利用其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗,提高電機(jī)的工作效率和壽命,并且實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的體積。
2023-11-21 16:52:14375 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240 隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353 ,但其未來應(yīng)用前景廣闊,具有很高的實(shí)用性。 首先,碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件,碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導(dǎo)率,這意味著在高溫或高電壓應(yīng)用中具有
2023-12-21 11:27:09286 的優(yōu)勢高頻率:碳化硅材料的電子遷移率比硅高,使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關(guān)頻率。這有助于減小無源元件的尺寸,提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗:碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低,使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠(yuǎn)低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求,提高設(shè)備的能效。高效率:碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27112 隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-02-21 09:27:13209 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更高的溫度和電壓下工作,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125
評(píng)論
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