自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)系統(tǒng)中選擇器件電源(DPS)IC的指南

器件電源(DPS) IC具有靈活的電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)容量，能夠?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)提供動(dòng)態(tài)測(cè)試能力。當(dāng)負(fù)載電流介于兩個(gè)設(shè)定限流值之間時(shí)，DPS IC可以作為電壓源；在達(dá)到設(shè)定限流值時(shí)，DPS IC可以順利轉(zhuǎn)換為精密電流源。

圖1.MAX32010示意圖

圖1顯示ADI器件電源MAX32010的簡(jiǎn)化架構(gòu)。開(kāi)關(guān)FIMODE、FVMODE和FISLAVEMODE選擇不同的模式，如FV（電壓驅(qū)動(dòng)）、FI（電流驅(qū)動(dòng)）和FI從器件選擇，而開(kāi)關(guān)HIZF和HIZM分別選擇MV（測(cè)量電壓）和MI（測(cè)量電流）模式。與外部檢測(cè)電阻相結(jié)合，RANGEMUX支持多個(gè)電流范圍，RA(1.2A)、RB(20mA)、RC(2mA)和RD(200μA)。通過(guò)使用公式RSENSE=1V/IOUT更改檢測(cè)電阻值，可設(shè)計(jì)自定義電流范圍。借助CLEN開(kāi)關(guān)以及ICLMP和VCLMPDAC，用戶(hù)還可設(shè)置可編程電壓和箝位電流。

本文先介紹設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的器件電源IC時(shí)的兩個(gè)重要考慮因素，范圍變更毛刺和效率。然后，文章詳細(xì)介紹構(gòu)建滿(mǎn)足特定應(yīng)用要求的DPS系統(tǒng)的一些需要考慮的因素。

范圍變更毛刺 ? ?

圖2.比較ADI和競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品之間的范圍變更毛刺

我們來(lái)看第一個(gè)考慮因素，測(cè)量范圍變更而引起的毛刺問(wèn)題。當(dāng)ATE執(zhí)行DUT測(cè)試時(shí)，系統(tǒng)可能需要針對(duì)不同的測(cè)試來(lái)更改電流范圍。IDDQ或靜態(tài)電流測(cè)量通常需要最低的電流范圍，用于測(cè)量較小的電流值。在移動(dòng)至最低電流范圍時(shí)出現(xiàn)的電壓尖峰或毛刺不僅會(huì)影響測(cè)量，還有可能損壞DUT。無(wú)毛刺范圍變更可保護(hù)DUT，并驗(yàn)證測(cè)試。使用270pF的負(fù)載電容進(jìn)行測(cè)試時(shí)，ADI的DPS能夠非常順利地執(zhí)行這一轉(zhuǎn)換，沒(méi)有任何毛刺，如圖2所示。如果不使用負(fù)載電容(0pF)，將會(huì)在20μs范圍內(nèi)發(fā)生轉(zhuǎn)換，斜坡速率為25mV/20μs。與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品在轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的毛刺相比，該轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的毛刺小得多。在數(shù)微秒的時(shí)間內(nèi)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手DPS的毛刺為159mV。因此，ADI的DPS性能比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的范圍變更性能高536%，而且不會(huì)對(duì)DUT造成任何損害。

器件電源效率 ? ?

表1.器件電源效率競(jìng)爭(zhēng)分析

在選擇DPS IC時(shí)，器件電源效率是第二個(gè)重要的考慮因素，因?yàn)樵撘蛩刂苯佑绊懴到y(tǒng)的成本和可靠性。效率越高，節(jié)省的成本就越多，可靠性更強(qiáng)，通常系統(tǒng)壽命也更長(zhǎng)。效率較低的DPS產(chǎn)生的熱量更多；更多熱量意味著更多損耗，系統(tǒng)中組件的故障率變得更高。

器件電源效率的計(jì)算公式是，效率=功率輸出/功率輸入。

如表1所示，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手DPS供應(yīng)的電流(1A)相比，ADI的DPS以更高的效率(58.33%)供應(yīng)更多電流(1.2A)。ADI的DPS效率比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品2的DPS IC高11%，比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品1的DPS IC高155%。

現(xiàn)在，我們來(lái)考慮構(gòu)建DPS系統(tǒng)以滿(mǎn)足特定應(yīng)用要求時(shí)的一些方面。

如何滿(mǎn)足DPS中的自定義負(fù)載電流要求 ? ?

圖3.使用檢測(cè)電阻選擇自定義負(fù)載電流

對(duì)于每個(gè)受測(cè)器件(DUT)，每個(gè)ATE都有自定義負(fù)載電流要求。MAX32010允許通過(guò)只更改1個(gè)檢測(cè)電阻值來(lái)選擇自定義范圍。MAX32010中的RANGEMUX選擇以下電流范圍之一：RA(1.2A)、RB(20mA)、RC(2mA)或RD(200μA)。通過(guò)使用公式RSENSE=1V/IOUT，選擇檢測(cè)電阻值。例如，負(fù)載電流要求是5mA；5mA是自定義負(fù)載電流，屬于范圍B。要選擇正確的RSENSE：RSENSE=RB=1V/5mA=200Ω。

如何提高輸出電流 ? ?

圖4.配置并聯(lián)DPS實(shí)現(xiàn)更高的輸出電流

很多時(shí)候，DUT所需的電流可能高于單顆DPS芯片能夠提供的電流。如圖4所示，通過(guò)并聯(lián)多個(gè)DPS器件，可實(shí)現(xiàn)超過(guò)1.2A的額外電流。兩個(gè)器件均保持FI模式，從而使電流加倍。例如，將兩個(gè)7V，1.2A器件并聯(lián)能夠?qū)崿F(xiàn)7V，2.4A的輸出電流。

圖5.MAX32010的50%占空比脈沖測(cè)試輸出

要提高DPS的輸出驅(qū)動(dòng)電流能力，另一個(gè)方法是脈沖輸出。如果電流要求只持續(xù)很短的時(shí)間，則脈沖測(cè)試是可行選擇，如圖5所示。例如測(cè)試DUT的I-V特性。通過(guò)更改FI開(kāi)啟時(shí)間的占空比，可執(zhí)行脈沖測(cè)試。在該測(cè)試中，DPS模式在50%的時(shí)間里設(shè)為FI模式，在另外50%的時(shí)間里設(shè)為“高阻抗”模式。根據(jù)DUT電流要求，占空比可能有所變化。我們?cè)贛AX32010IC上執(zhí)行了該試驗(yàn)，結(jié)果如下所示：

最大輸出電流=1.436A，占空比達(dá)50%

如何為DPS系統(tǒng)選擇正確的散熱器 ? ?

要想獲得可靠穩(wěn)定的系統(tǒng)，必須正確選擇散熱器。以下示例顯示了為MAX32010選擇正確散熱器的分步指南。

第1步：獲取封裝的相關(guān)尺寸。通過(guò)封裝熱分析有助于選擇正確的散熱器。了解用于散熱的裸露焊盤(pán)所在區(qū)域十分重要。

第2步：獲取PCB熱性能，以計(jì)算θJA的邊界條件。計(jì)算功耗，并考慮所有散熱方式（傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射）。

圖6.帶散熱器的MAX32010封裝的溫度分布

第3步：在計(jì)算封裝的溫度分布時(shí)，散熱器底面積和散熱器風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速是兩個(gè)重要的變量。請(qǐng)記住，IC的結(jié)溫應(yīng)保持在熱關(guān)斷溫度以下。我們使用靜止空氣開(kāi)展的分析表明，對(duì)于MAX32010，要使結(jié)溫保持在140°C以下，需要一個(gè)底面積為30.48mmx30.48mm、厚度為5mm、散熱片長(zhǎng)15mm的散熱器。

圖7.MAX32010的熱分析

第4步：要想使IC的結(jié)溫保持在140°C以下，氣流和散熱器材料發(fā)揮著重要作用。我們的分析表明，通過(guò)使銅散熱器的氣流增加1m/s，可顯著改善溫度性能。

結(jié)論 ? ?

本文提供關(guān)于在自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)系統(tǒng)中選擇器件電源(DPS)IC的指南。這些考慮因素將幫助客戶(hù)根據(jù)其特定的ATE系統(tǒng)來(lái)選擇DPS IC。文中還介紹了能夠滿(mǎn)足ATE系統(tǒng)的輸出電流和散熱要求的系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)。

審核編輯：湯梓紅