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?2022年11月29日 – 提供超豐富半導體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子
?(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產(chǎn)品組合為各種應用提供靈活性、適應性和高價值，可幫助設計師滿足項目、價格或物流要求。
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貿(mào)澤電子供應的英飛凌通用MOSFET包括用于最高250V設計的低壓版本，以及用于500V至900V設計的高壓版本。低壓MOSFET包括各種單/雙N溝道和P溝道器件，其漏-源擊穿電壓范圍介于20V至600V。這些器件的漏-源電阻額定值為1.1mΩ至30Ω，連續(xù)漏電流范圍介于100mA至260A。這些低壓MOSFET的工作溫度范圍介于-55°C至+175°C，符合AEC-Q101標準。
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高壓MOSFET的漏-源擊穿電壓范圍介于500V至900V，漏-源電阻范圍介于77mΩ至4.68Ω，持續(xù)漏電流范圍介于1A至54.9A。這些器件的最低工作溫度為-40°C，功耗范圍介于5W至500W。
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貿(mào)澤分銷的英飛凌通用MOSFET提供多種封裝選項，包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220。所有這些器件都有配套的英飛凌在線設計工具、仿真模型和全面的產(chǎn)品支持文檔。
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這些通用MOSFET非常適合各種電源轉(zhuǎn)換和管理應用，可以集成到需要電池反向保護功能、在備用電源之間切換電源或可關閉非必要負載的設計中。其目標應用包括開關電源、充電器和適配器、照明、電視電源、服務器/電信設備、電池供電應用、電機控制和驅(qū)動器，以及電池管理系統(tǒng)。
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有關更多信息，請訪問https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/。
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貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應用的英飛凌通用MOSFET
- 英飛凌(136806)
- 貿(mào)澤電子(95693)
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2010-04-26 08:50:51571
571高度通用DC-DC轉(zhuǎn)換器LT3957
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向升壓、反激式、SEPIC 和負輸出電源應用的高度通用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3957。該
2010-06-18 17:42:411100
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面向電源設計的MOSFET硅技術平臺
為筆記本電腦增強動力 移動微處理器領域最新推出的產(chǎn)品對筆記本電腦電源的設計人員提了新的挑戰(zhàn)．井進一步加重了直流直流轉(zhuǎn)換器的功率負擔。直流一直流轉(zhuǎn)換器是用來為筆記本電腦輸送電能的裝置．而筆記本電惱對電源的要求是非?？量痰腎ntel公司最新推出的移
2011-02-18 14:20:0334
34英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013
1013將雙開關正向主電源轉(zhuǎn)換器及反激式待機電源轉(zhuǎn)換器與高壓功率MOSFET集成
將雙開關正向主電源轉(zhuǎn)換器及反激式待機電源轉(zhuǎn)換器與高壓功率MOSFET集成
2016-05-11 18:00:0820
20英飛凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術 助力電源轉(zhuǎn)換設計提升效率和性能
英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006
8006英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術，助力電源轉(zhuǎn)換設計達到前所未有的效率和性能
2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164
1164逆變電源中MOSFET的驅(qū)動
大家知道，逆變電源中用的最多的功率器件就是MOSFET了。特別是在低壓供電的中小功率逆變電源中，到處都可以看到 MOSFET的身影。如何用好MOSFET，關系到逆變電源的各種性能，如效率、可靠性、安全性等。所以這次和大家一起來探討下逆變電源中MOSFET的驅(qū)動。
2017-08-30 11:02:5333
33基于MOSFET在電源管理的應用
本文講述了電源管理在UPS、通訊和新能源中的應用，MOSFET技術和產(chǎn)品路線圖，還有用于于Oring FET的解決方案，隔離式DC-DC功率轉(zhuǎn)換。介紹了電源管理方案——太陽能電池逆變器。
2017-09-12 09:22:2812
12英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本
大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003685
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連接通用放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器時必須考慮的各種考慮因素的詳細描述
該應用報告討論了在連接通用放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器時必須考慮的各種考慮因素。該報告討論了帶寬，分辨率，模擬ADC輸入驅(qū)動器和電源考慮這兩個部分。
2018-05-28 09:46:1219
19英飛凌公司獨特的封裝技術：最新CoolMOS系列MOSFET問世
20世紀80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件，表明傳統(tǒng)電源技術已經(jīng)進入現(xiàn)代電源技術的新興時代。詳細介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652
7652全球MOSFET供應吃緊，英飛凌發(fā)聲、中興加價掃貨！
近日英飛凌擬收購ST半導體的消息受到廣泛關注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發(fā)布的財報顯示強勁的增長，在全球MOSFET供應吃緊，價格飆漲的形勢下，英飛凌稱部分MOSFET產(chǎn)品交貨時間超過26周，最長達52周。
2018-08-06 11:25:414299
4299英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車新技術
英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298
1298英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場競爭激烈
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267
4267SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設計中的優(yōu)化方案
作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些
2021-03-25 17:26:082117
2117英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073
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半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應用，如消費電子產(chǎn)品，以及可再生能源應用，如光伏、風能、水力和地熱等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器。
2022-07-29 09:44:201207
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面向通用交流輸入和5V/1.4A輸出的MOSFET集成PSR反激參考設計
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《面向通用交流輸入和5V/1.4A輸出的MOSFET集成PSR反激參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-06 09:26:170
0電平轉(zhuǎn)換以控制功率MOSFET
某些電源架構(gòu)要求電源排序器（或系統(tǒng)管理器）控制下游功率MOSFET，以允許功率流入分支電路。如果輸入電源電壓至少比電源輸出電壓高5V，則可以在電源輸出端放置一個功率MOSFET，并增加一些電平轉(zhuǎn)換電路。
2023-02-09 12:07:58536
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貿(mào)澤電子開售面向無線音頻應用的 英飛凌MA2304xN MERUS多級開關放大器
2023 年 4 月 4 日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的MA2304xN MERUS?多級開關
2023-04-04 14:29:25438
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如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動電路
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005290
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貿(mào)澤開售面向安全應用的英飛凌OPTIGA Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件
2023 年 5 月 11 日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨英飛凌的OPTIGA? Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全
2023-05-12 17:05:36443
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英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302
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用于反激式轉(zhuǎn)換器的同步MOSFET選擇
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于反激式轉(zhuǎn)換器的同步MOSFET選擇.pdf》資料免費下載
2023-07-26 10:29:261
1英飛凌EiceDRIVER?技術以及應對SiC MOSFET驅(qū)動的挑戰(zhàn)
碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅(qū)動電壓的選擇、驅(qū)動參數(shù)配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212
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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2
在電力電子領域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125
125英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術
在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創(chuàng)新能力和領先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297
97英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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工商網(wǎng)監(jiān)
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