N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 ），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散
2023-06-28 08:39:353665 
采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個(gè)問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個(gè)對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型?！ ?.1.功率MOSFET的結(jié)構(gòu) 功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號如圖1所示；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電
2019-06-14 00:37:57
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
自 1980 年代中期以來，MOSFET 一直是大多數(shù)開關(guān)模式電源 （SMPS）中的首選晶體管技術(shù)。MOSFET用作初級開關(guān)晶體管，并在用作門控整流器時(shí)提高效率。MOSFET 的結(jié)構(gòu)類似于FET。在
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥如果是-48V的系統(tǒng)，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類型，放在
2016-12-07 11:36:11
圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
缺點(diǎn)是通態(tài)電阻大、導(dǎo)通壓降高、耐壓和電流容量較難提高等。一、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理場效應(yīng)管有垂直導(dǎo)電與橫向?qū)щ妰煞N結(jié)構(gòu)，根據(jù)載流子的性質(zhì)，又可分為N溝道和P溝道兩種類型v功率場效應(yīng)管幾乎都是由垂直導(dǎo)電
2018-01-29 11:04:58
MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
N8322 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲?。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
LT4320HMSE理想二極管橋控制器的典型應(yīng)用電路。 LT4320是理想的二極管橋控制器，可驅(qū)動四個(gè)N溝道MOSFET，支持典型的DC至600Hz的電壓整流。通過最大化可用電壓并降低功耗，理想的二極管橋簡化了電源設(shè)計(jì)并降低了電源成本，特別是在低壓應(yīng)用中
2019-10-25 06:18:48
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動IC，提供兩個(gè)輸出，用于直接驅(qū)動2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
控制器件。當(dāng)空穴濃度形成溝道時(shí)，由于負(fù)柵極電壓的增加，整個(gè)溝道的電流得到改善，因此這被稱為 P溝道增強(qiáng)型MOSFET。2、P溝道耗盡型MOSFETP溝道耗盡型MOSFET結(jié)構(gòu)與N溝道耗盡型MOSFET
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
圖1為二個(gè)P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實(shí)現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
通過導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的N+區(qū)，中和N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
MOSFET作為開關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開關(guān)電源負(fù)極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達(dá)420A，Vds最大100V，而開關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動、變壓器驅(qū)動或自舉驅(qū)動，驅(qū)動電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動
2019-04-04 06:30:00
、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(diào)（0～45V） 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)實(shí)例?？傮w結(jié)構(gòu)與主電路為該電源的總體結(jié)構(gòu)框圖。工作原理如下：基于MOSFET控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)實(shí)例2圖1 原理方框圖全橋整流電路將電網(wǎng)
2021-11-12 08:50:12
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
自1980年代中期以來，MOSFET一直是大多數(shù)開關(guān)電源（SMPS）首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門控整流器時(shí)，MOSFET是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對P
2021-04-09 09:20:10
的Rdson隨擊穿電壓呈指數(shù)級增長，如圖3.4所示?！ ?biāo)準(zhǔn)硅功率 MOSFET 對 Rdson 的貢獻(xiàn)?！ D3.4顯示了從30到600V的總Rdson貢獻(xiàn)百分比表。外延層的高百分比是顯而易見的;其
2023-02-20 16:40:52
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個(gè)的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
討論如何根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在
2011-08-17 14:18:59
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
耐壓為600V的 COOLMOS，使這一想法得以實(shí)現(xiàn)?！ ∨c常規(guī)MOSFET結(jié)構(gòu)不同，內(nèi)建橫向電場的MOSFET嵌入垂直P區(qū)將垂直導(dǎo)電區(qū)域的N區(qū)夾在中間，使MOSFET關(guān)斷時(shí)，垂直的P與N之間建立橫向
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表?！緲?biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時(shí)間的兩個(gè)輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個(gè)因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:36580 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:540 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392924 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36295 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
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