Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15
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二極管或阻尼二極管使用。起到高頻整流、續(xù)流、吸收、隔離和箝位的作用。 二極管MUR3040WTG特性 超快恢復(fù)時間35~60ns 工作結(jié)溫175℃ 標準TO-247封裝 600V高電壓
2020-09-24 16:19:53
海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管（FRD）、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
快恢復(fù)二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復(fù)時間短（20ns），開關(guān)速度快，降低器件的開關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)
2020-09-24 16:10:01
快恢復(fù)二極管DPG60C400HB，電壓400V，電流60A， TO-247封裝。使用平面鈍化芯片，開關(guān)特性好，恢復(fù)時間快，低開關(guān)損耗，軟恢復(fù)特性。應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、低電壓
2020-09-24 16:17:13
快恢復(fù)二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復(fù)時間50ns，TO-3PF封裝。開關(guān)速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應(yīng)用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
快恢復(fù)二極管HFD8060P（可完全替換MUR8060PT/STTH100W06C），電壓600V，電流80A，超快恢復(fù)時間，低漏電流，高浪涌特性，開關(guān)特性好，低功耗及射頻干擾?？蓱?yīng)用于低電壓
2020-09-24 16:04:45
快恢復(fù)二極管與普通整流二級管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間是如何定義的呢？下面來給大家普及一下基礎(chǔ)知識：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間（trr）的定義：電流
2017-02-10 17:51:37
快恢復(fù)二極管與普通整流二級管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間是如何定義的呢？下面來給大家普及一下基礎(chǔ)知識：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間（trr）的定義：電流
2021-08-13 17:15:07
承受很高的反向工作電壓。
快恢復(fù)二極管的反向
恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6
V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。整流
二極管整流
二極管是一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?/div>
2023-02-17 14:08:01
整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。1、快恢復(fù)二極管在繼電器方面的應(yīng)用如下圖，在繼電器兩端并聯(lián)一個UF4007，它的反向重復(fù)峰值電壓1000V、正向浪涌電流30A。繼電器線圈是可以儲存能量的，一旦線圈
2023-02-16 14:56:38
整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。1、快恢復(fù)二極管在繼電器方面的應(yīng)用如下圖，在繼電器兩端并聯(lián)一個UF4007，它的反向重復(fù)峰值電壓1000V、正向浪涌電流30A。繼電器線圈是可以儲存能量的，一旦線圈
2023-02-20 15:22:29
客戶簡單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長是開關(guān)速度非常快，反向恢復(fù)時間可以小到幾個納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11
、6.2V穩(wěn)壓二極管代換。3.開關(guān)二極管的代換開關(guān)二極管損壞后，應(yīng)用同型號的開關(guān)二極管更換或用與其主要參數(shù)相同的其它型號的開關(guān)二極管來代換。高速開關(guān)二極管可以代換普通開關(guān)二極管，反向擊穿電壓高的開關(guān)二極管可以代換反向擊穿電壓低的開關(guān)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2021-07-07 14:58:27
由于電路電流信號頻率較高，二極管速度跟不上。你測得是電流有效值，應(yīng)該是直流的吧，可能信號中有高頻成分，電流峰值遠遠超過你測出的2A，這樣就導(dǎo)致二極管峰值功率特別高，管子很燙。 快恢復(fù)二極管加載過熱處理辦法，一般情況下會建議您使用超快恢復(fù)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2022-03-31 16:57:33
，電流峰值遠遠超過你測出的2A，這樣就導(dǎo)致二極管峰值功率特別高，管子很燙。快恢復(fù)二極管加載過熱處理辦法，一般情況下會建議您使用超快恢復(fù)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2021-06-29 13:49:58
，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超
2018-07-16 15:12:36
0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2022-03-31 10:04:12
二極管或阻尼二極管使用。目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中作整流元件，高頻電路中的限幅、嵌位等。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，...
2021-11-12 06:34:53
二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短，正向壓降較...
2021-09-09 06:52:46
正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小
2015-11-27 17:55:42
在業(yè)余條件下，可以利用萬用表能檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無開路、短路故障，并能測出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。下面讓辰達電子帶你認識一下如何檢測快恢復(fù)
2021-06-25 17:46:42
電子元件都是有正負極的，那么MDD快恢復(fù)二極管的正負極是怎樣的呢？我們在安裝快恢復(fù)二極管的時候不免都有這種疑問，要正確了解到MDD快恢復(fù)二極管的特征才能正確快速的安。 一般情況下，我們都是使用萬能表
2020-09-18 17:02:52
快恢復(fù)二極管資料下載內(nèi)容主要介紹了：快恢復(fù)二極管的作用與結(jié)構(gòu)常用的快恢復(fù)二極管
2021-04-19 06:56:15
是普通二極管甚至快恢復(fù)二極管和超快恢復(fù)二極管所不具備的，特別適用于低電壓、大電流的高頻整流場合(如計算機開關(guān)電源中的+5V、+3．3V整流)，它的缺點是反向耐壓較低，一般不超過200V(不過2004年
2021-05-14 08:11:44
什么是超快恢復(fù)二極管？’既然那么多的朋友都有關(guān)注到這個問題，那么我們今天就來為大家淺談一下超快恢復(fù)二極管。揭開它神秘的面紗。?超快恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間超短的半導(dǎo)體二極管，常用
2016-04-20 14:38:22
，如何獲得低trr和更高反向耐壓的二極管一直是業(yè)界追求的目標。這時候就需要我們的超快恢復(fù)二極管出場了。 通過采用獨特的摻鉑 (Pt) 工藝，ASEMI解決了這個問題并推出了超快恢復(fù)二極管。超快恢復(fù)二極管
2021-10-25 17:34:10
為二極管工作的上限頻率。由于二極管與PN結(jié)相同，其結(jié)電容由勢壘電容組成。所以Fm的值主要取決于PN結(jié)電容的大小。如果超過這個值。單向?qū)щ娦詴艿接绊憽?以上就是關(guān)于ASEMI快恢復(fù)二極管
2021-07-24 13:48:34
編輯-ZMURF860AC參數(shù)描述型號：MURF860AC封裝：ITO-220AC特性：快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF
2021-09-15 16:43:21
：ITO-220AC特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌電流Ifsm：125A漏電流(Ir
2021-09-01 15:56:11
編輯-ZASEMI快恢復(fù)二極管SFP3006和瞬態(tài)二極管一樣嗎？超快恢復(fù)管SFP3006是指二極管工作時電子空穴的恢復(fù)速度，一般工作在正像偏置，常用于開關(guān)電源整流等高頻信號應(yīng)用。瞬態(tài)二極管 (TVS
2021-11-15 16:22:58
電流可以通過PN結(jié)。只有當正向電壓達到一定值（這個值稱為“閾值電壓”，鍺管在0.2V左右，硅管在0.6V左右）時，快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但是快恢復(fù)二極管的開啟壓降是恒定的嗎？它與正向擴散電流有
2021-07-30 14:33:17
物體內(nèi)部與加熱電流相反的方向，便會產(chǎn)生對應(yīng)的很大電渦流。 說到高頻設(shè)備，就不得不提超快恢復(fù)二極管MUR2060AC，主要原因是MUR2060AC這個配件是高頻設(shè)備部件的重要組成部分，也是電器設(shè)備的高頻化
2021-11-17 16:12:54
編輯-ZMURF1640CT參數(shù)描述型號：MURF1640CT封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：16A 400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：16A芯片個數(shù)：2正向電壓
2021-09-17 17:08:43
編輯-ZSF58參數(shù)描述型號：SF58封裝：DO-27特性：小電流、直插超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：5A600V芯片材質(zhì)：GPP正向電流(Io)：5A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF)：1.70V浪涌電流
2021-09-25 16:33:05
，如果使用普通管會嚴重影響電路的運行速度，最終導(dǎo)致電路特性變差。 SFP6006參數(shù)描述型號：SFP6006封裝：TO-247特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：60A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流
2021-09-10 16:13:18
的功能。 SFF1604參數(shù)描述型號：SFF1604封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：16A，400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：16A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF
2021-09-02 16:13:11
編輯-ZSFF2006這類二極管的優(yōu)點是反向恢復(fù)時間短、開關(guān)特性好、體積小，因此廣泛應(yīng)用于脈寬調(diào)制器、不間斷電源、開關(guān)電源、變頻器等電路中。SFF2006快恢復(fù)二極管的作用是高頻大電流整流或續(xù)流
2021-11-29 16:16:50
DPG80C400HB快恢復(fù)二極管，電流80A，電壓400V，快恢復(fù)時間45ns，標準TO-247封裝。軟恢復(fù)特性，反向恢復(fù)時間短，改善熱性能，可靠性高?？蓱?yīng)用于整流器，開關(guān)電源等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">快恢復(fù)
2020-09-24 16:14:45
ES1J超快恢復(fù)二極管和ES1D超快恢復(fù)二極管的區(qū)別是什么？
2023-03-09 17:35:00
漏電流(Ir)：5uA工作溫度：-55~+150℃恢復(fù)時間(Trr)：500ns引線數(shù)量：2 快恢復(fù)二極管FR107的性能參數(shù)介于肖特基二極管和普通整流二極管之間。FR107兼有肖特基二極管導(dǎo)通電壓降低
2021-09-07 16:05:24
*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管 BYC8-600 : Rectifier diode 
2009-10-09 13:50:33
、高浪涌容量、超快恢復(fù)時間，高電壓等特性。 以上就是關(guān)于MUR1660AC-ASEMI超快恢復(fù)二極管MUR1660AC的詳細介紹。強元芯電子是一家集科研開發(fā)、制造、銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。12年
2021-11-17 16:11:23
能力，高浪涌容量，超快恢復(fù)時間，高電壓等特性。 以上就是關(guān)于MUR2060AC-ASEMI超快恢復(fù)二極管MUR2060AC的詳細介紹。強元芯電子是一家集科研開發(fā)、制造、銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。12
2021-11-30 16:30:19
：TO-252特性：貼片快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：5A 600V正向電流(Io)：5A正向電壓(VF)：1.5V浪涌電流Ifsm：60A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-55~+150℃反向恢復(fù)時間(Trr
2021-12-06 15:59:13
電荷小，快恢復(fù)二極管MUR860D的反向恢復(fù)時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓）較高。 MUR860D參數(shù)描述型號：MUR860D封裝：TO-252特性：貼片快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A 600V正向
2021-12-07 16:12:41
。 MURF1040CT參數(shù)描述型號：MURF1040CT封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：10A 400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：10A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF
2021-09-17 17:07:27
1.3V，其中有3條引線。 MURF1640CT參數(shù)描述型號：MURF1640CT封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：16A 400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：16A芯片個數(shù)
2021-09-03 16:18:50
條引線。 MURF860AC參數(shù)描述型號：MURF860AC封裝：ITO-220AC特性：快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF
2021-09-01 16:02:03
。 SF58參數(shù)描述型號：SF58封裝：DO-27特性：小電流、直插超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：5A600V芯片材質(zhì)：GPP正向電流(Io)：5A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF)：1.70V浪涌電流Ifsm
2021-12-08 16:12:59
型號：SF58封裝：DO-27特性：小電流、直插超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：5A600V芯片材質(zhì)：GPP正向電流(Io)：5A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF)：1.70V浪涌電流Ifsm：125A漏電流(Ir
2021-09-10 16:14:19
型號：SFF1604封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：16A，400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：16A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF)：1.3V芯片尺寸：98 MIL浪涌
2021-09-16 17:20:59
。 SFF2004參數(shù)描述型號：SFF2004封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF)：1.3V
2021-09-02 16:15:09
、外延芯片結(jié)構(gòu)等特性。 以上就是關(guān)于SFF2006-ASEMI超快恢復(fù)二極管SFF2006的詳細介紹。強元芯電子是一家集科研開發(fā)、制造、銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。12年專注于整流橋、電源IC
2021-11-15 16:26:42
編輯-ZSFF3006在ITO-220AB封裝里采用的2個芯片，其尺寸都是120MIL，是一款高壓大電流超快恢復(fù)二極管。SFF3006的浪涌電流Ifsm為300A，漏電流(Ir)為10uA，其工作
2021-11-16 16:24:01
型號：SFF806A封裝：ITO-220AC特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌電流
2021-09-15 16:42:02
)為35nS，其中有3條引線。 SFP3006參數(shù)描述型號：SFP3006封裝：TO-247特性：大功率快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：30A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：30A芯片個數(shù)：2
2021-11-29 16:14:51
型號：SFP6006封裝：TO-247特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：60A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：60A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF)：1.5V芯片尺寸：140 MIL浪涌電流Ifsm
2021-09-25 16:31:27
STTH80S06/RURG8060快恢復(fù)二極管，電流80A，電壓600V，TO-247封裝。超快開關(guān)，低反向電流，低熱阻，低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品適用于開關(guān)電源和太陽能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11
STTH8R06FP-ASEMI快恢復(fù)二極管可以用來做整流二極管嗎？-Z
2021-05-28 14:47:32
，MOSFET的體二極管是具有pn結(jié)的二極管，因而存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，其特性表現(xiàn)為反向恢復(fù)時間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較
2018-11-27 16:40:24
恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能
2019-03-11 11:24:39
在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時悶較短的整流二極管，常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢壘二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">快恢復(fù)二極管和超快恢復(fù)二極管廣泛用于PWM脈寬調(diào)制器、開關(guān)電源
2020-10-29 08:50:49
三相超快恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點是什么？三相超快恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用有哪些？
2021-06-08 08:09:38
MURF1040CT-ASEMI比普通二極管好？ MURF1040CT參數(shù)描述型號：MURF1040CT封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：10A 400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：10A
2021-09-03 16:17:05
二極管，即陰陽極分別為N和P型半導(dǎo)體。物理結(jié)構(gòu)決定了兩者的電特性。1.肖特基二極管耐壓較低，通常在200V以下,同等耐壓，相同電流下，肖特基二極管的正向壓降低于快恢復(fù)二極管。2.肖特基二極管載流子只有電子
2018-11-01 15:26:11
（FRD），更高的超快恢復(fù)二極管（SRD），開關(guān)二極管，最快的是肖特基管（其原理不同于以上幾個二極管） 快恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM
2021-06-30 13:51:20
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
?快恢復(fù)二極管電路容易擊穿是常見的問題，當快恢復(fù)二極管電路出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象的時候應(yīng)該怎么去做呢？ 快恢復(fù)二極管電路中，擊穿是因為耐壓值不夠高所致，燒毀是因為額定電流小所致。建議替換成耐壓值較高，額定電流
2021-01-27 14:11:38
` 一、超快恢復(fù)肖特基二極管的檢測 用萬用表檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)肖特基二極管的方法基本與檢測塑封硅整流二極管的方法相同。即先用RX1K擋檢測一下其單向?qū)щ娦?，一般正向電阻?.5KΩ左右，反向
2018-12-05 11:54:21
（16A400V）只能做一下幾種封裝：TO-220的鐵封和塑封、TO-252。Type封裝所屬分類MUR1640FCTITO-220AB快恢復(fù)二極管MUR1640CTTO-220AB快恢復(fù)二極管
2016-12-14 11:45:54
過熱燒毀。四、快恢復(fù)二極管規(guī)格型號不符。更換新二極管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成二極管管擊穿損壞。五、電路板短路，用蒸汽清潔的電路板后，沒有晾干，由水造成電路短路故障而造成的。請在用蒸汽清潔后，再用壓縮空氣吹一遍再檢測應(yīng)該可以避免這種損壞。?快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2021-05-13 17:27:00
編輯-ZSFF2004參數(shù)描述型號：SFF2004封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF
2021-09-16 17:22:26
參數(shù)描述型號：D92-02封裝：TO-247/3P特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，200V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為
2019-06-12 02:34:10
資料價格：1產(chǎn)品種類: 快恢復(fù)二極管制造商: IXYS RoHS: 符合RoHS 數(shù)量：9500 描述Diode Array 2 Independent Standard 600V 30A
2019-04-18 18:09:17
` 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。 前者
2016-04-19 14:29:35
,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于150V)，通態(tài)壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復(fù)
2015-11-27 18:02:58
請問肖特基二極管和快恢復(fù)二極管在運用上有什么區(qū)別？謝謝！
2010-04-21 16:03:33
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2020-11-26 17:31:19
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
ES5J 超快恢復(fù)二極管 原廠直銷，歡迎咨詢洽談訂購！產(chǎn)品類型：超快恢復(fù)二極管封裝形式：SMC(DO-214AB)反向電壓（最大值）：600V正向電流（最大值）：5A壓降（VF）：1.7V最大反向恢復(fù)時間：35ns工作溫度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-16 14:18:03
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