5Gbps高速測(cè)試系統(tǒng)的基本技術(shù)有哪些？
2021-05-28 07:02:17
5G射頻測(cè)試技術(shù)白皮書(shū)詳解
2021-01-13 06:33:58
的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進(jìn)一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓?fù)浒l(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
非接觸識(shí)別技術(shù)，識(shí)別過(guò)程不需要人工干預(yù)，能對(duì)多個(gè)物體批量、快速的識(shí)別。RFID標(biāo)簽不容易損壞、信息量大、讀取方便、可重復(fù)寫(xiě)人，這些優(yōu)點(diǎn)使RFID在圖書(shū)館的管理中具有廣闊的應(yīng)用前景。開(kāi)架書(shū)庫(kù)由于圖書(shū)借閱
2019-05-29 08:07:47
關(guān)于測(cè)試3G手機(jī)的DigRF技術(shù)，看完你就懂了
2021-04-14 06:59:49
測(cè)試WiMax技術(shù)的方法有哪幾種？
2021-05-27 06:30:40
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻
2019-05-28 06:06:21
技術(shù)
2023-03-24 15:07:41
CAN總線技術(shù)特點(diǎn)是什么？CAN總線技術(shù)在汽車(chē)中的應(yīng)用具有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-05-14 06:36:44
CDN技術(shù)為什么會(huì)產(chǎn)生？CDN是什么？CDN技術(shù)的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是什么？CDN技術(shù)在IPTV中有什么應(yīng)用？
2021-05-26 07:13:33
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車(chē)輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術(shù)的77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)滿(mǎn)足自適應(yīng)巡航控制時(shí)的高速度要求，但它們體積過(guò)大、過(guò)于笨重，占用了大量電路板空間。
2020-05-14 07:05:36
DDS技術(shù)的工作原理是什么？DDS信號(hào)源如何應(yīng)用于掃頻測(cè)試技術(shù)？如何進(jìn)行模擬濾波器頻響測(cè)試？如何進(jìn)行高分辨率數(shù)字濾波器的頻響測(cè)試？
2021-04-15 06:53:06
因?yàn)楝F(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)技術(shù)具有自定義邏輯功能和高可靠性的特點(diǎn)，所以，工程師已將FPGA技術(shù)融入測(cè)試系統(tǒng)，解決汽車(chē)電子設(shè)計(jì)與測(cè)試的困難，同時(shí)滿(mǎn)足低成本、系統(tǒng)可擴(kuò)展性和復(fù)雜的測(cè)試環(huán)境要求。
2019-10-22 06:38:42
本文重點(diǎn)是介紹HDMI1.4基礎(chǔ)技術(shù)及測(cè)試需求。
2021-06-04 06:21:51
HSDPA具有什么功能？UTRAN增強(qiáng)功能是什么？HSDPA和HSUPA在開(kāi)發(fā)/部署這些新技術(shù)時(shí)存在哪類(lèi)測(cè)試要求？
2021-04-14 06:43:01
什么是編碼技術(shù)？H．264編碼技術(shù)在視頻會(huì)議中的應(yīng)用是什么？
2021-06-02 06:17:58
分析技術(shù)廣泛應(yīng) 用于半導(dǎo)體工業(yè)用高純材料的痕量雜質(zhì)分析中． 主要進(jìn)行的高純材料分析 1. IC硅片表面雜質(zhì)分析2. 光伏多晶硅、單晶硅雜質(zhì)分析3. 三氯氫硅、四氯化硅： ICP．MS法測(cè)定高純
2017-12-11 11:13:29
移動(dòng)通信的不斷發(fā)展，對(duì)測(cè)試技術(shù)提出了非常高的要求，測(cè)試儀器和儀表在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中是不可或缺的一環(huán)，沒(méi)有這一環(huán)，技術(shù)和業(yè)務(wù)都無(wú)法正常開(kāi)展。LTE即將在中國(guó)規(guī)模商用，在這一進(jìn)程中，構(gòu)建完善的LTE產(chǎn)業(yè)鏈
2014-12-12 17:24:25
根據(jù)移動(dòng)通信技術(shù)和市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì),為提升公司在LTE 技術(shù)、產(chǎn)品、人才等方面的積累,保持公司在技術(shù)、產(chǎn)品和市場(chǎng)方面的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),進(jìn)一步夯實(shí)公司未來(lái)發(fā)展的基礎(chǔ),公司擬使用超募資金1043.1萬(wàn)元投資實(shí)施《LTE 網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)技術(shù)研究》項(xiàng)目。那LTE網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)技術(shù)研究究竟有哪些可行性呢？
2019-08-07 08:09:38
MIMO的原理是什么？MIMO技術(shù)在視頻傳送中的應(yīng)用有哪些？生產(chǎn)過(guò)程中MIMO系統(tǒng)中容易出問(wèn)題的方面如何對(duì)MIMO進(jìn)行調(diào)試？
2021-04-30 06:56:35
SoC測(cè)試技術(shù)傳統(tǒng)的測(cè)試方法和流程面臨的挑戰(zhàn)是什么？SoC測(cè)試技術(shù)一體化測(cè)試流程是怎樣的？基于光子探測(cè)的SoC測(cè)試技術(shù)是什么？有什么目的？
2021-04-15 06:16:53
WiMAX的應(yīng)用特點(diǎn)是什么？WiMAX技術(shù)在視頻監(jiān)控系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-06-01 06:19:46
用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，開(kāi)發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無(wú)感控制驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，為了進(jìn)一步測(cè)試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
中使用，目前各廠尚未量產(chǎn)或大量添加，原因可能是尚未完全克服添加鍺后形成的錯(cuò)位跟缺陷，但我們的確看到臺(tái)積電已經(jīng)在10nm量產(chǎn)中使用此技術(shù)領(lǐng)先群雄。SiGe組成與應(yīng)變?cè)谀壳暗墓に?b class="flag-6" style="color: red">中，磊晶所生長(zhǎng)的硅鍺
2018-06-14 14:25:19
?，F(xiàn)在一種新的測(cè)試技術(shù)——邊界掃描測(cè)試技術(shù)已逐步得到發(fā)展,大多數(shù)的ASIC電路和許多中等規(guī)模的設(shè)備已開(kāi)始利用邊界掃描測(cè)試技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。BST技術(shù)是按照IEEE1149.1標(biāo)準(zhǔn),提供了一套完整的測(cè)試方案。在
2018-09-10 16:50:00
請(qǐng)問(wèn)為什么模擬技術(shù)在某些性能方面勝于數(shù)字技術(shù)？
2021-04-22 06:52:03
互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中最新路由交換測(cè)試技術(shù)的介紹，看完你就懂了
2021-05-26 06:00:56
5G技術(shù)方興未艾，各種候選技術(shù)獲得業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文結(jié)合高頻技術(shù)在5G中的應(yīng)用場(chǎng)景和關(guān)鍵技術(shù)，介紹了愛(ài)立信開(kāi)發(fā)的5G高頻無(wú)線空口測(cè)試床，分享了在中國(guó)5G技術(shù)研發(fā)試驗(yàn)第一階段的測(cè)試結(jié)果，分析并總結(jié)了5G高頻技術(shù)的出色表現(xiàn)。
2019-08-16 07:27:48
數(shù)據(jù)鏈動(dòng)態(tài)仿真測(cè)試作為新一代武器系統(tǒng)采用SDP(StructuredDistributed Programming)技術(shù)開(kāi)發(fā)的分布式并行測(cè)試中的一個(gè)重要組成部分，在完成數(shù)據(jù)鏈自身測(cè)試的同時(shí)，也為武器系統(tǒng)
2019-08-29 06:47:59
什么是實(shí)時(shí)測(cè)試技術(shù)？測(cè)試工程師如何解決實(shí)時(shí)測(cè)試技術(shù)面臨的問(wèn)題？
2021-04-12 06:53:49
對(duì)使用新型測(cè)試技術(shù)和儀器的幾點(diǎn)忠告
2021-04-09 06:06:41
800-1.2GHz的帶寬載波，特別是LTE載波，將會(huì)轉(zhuǎn)至低通濾波器以便降低鏡像。 在濾波的輸出端，轉(zhuǎn)至調(diào)制器，即新型的基于SiGe的調(diào)制器ADMV1013，該SiGe器件將會(huì)從PLL VCO ADF5356中獲取一
2018-08-01 09:49:01
今天看見(jiàn)一個(gè)技術(shù)名稱(chēng)叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM，小弟請(qǐng)教各位大神，在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系，以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么？？
2012-05-24 21:43:46
鏈路感知技術(shù)的原理是什么？一種基于OTDR原理的光網(wǎng)絡(luò)智能測(cè)試技術(shù)方案
2021-05-21 06:47:44
加載與其他技術(shù)是如何結(jié)合的？加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計(jì)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-31 06:21:04
壓縮感知的技術(shù)原理是什么？壓縮感知技術(shù)在未來(lái)移動(dòng)通信系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-24 06:45:17
概述：THG4649是一款無(wú)線音頻應(yīng)用推出的FM發(fā)射集成電路，THG4649同時(shí)采用了硅鍺(SiGe)雙極型半導(dǎo)體工藝和BiCMOS半導(dǎo)體工藝技術(shù)制造，所有可能影響聲音質(zhì)量的電路都采用硅鍺(SiGe)雙極型半導(dǎo)
2021-04-06 09:43:55
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS基于車(chē)載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車(chē)載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車(chē)載DC/DC集成二合一5 車(chē)載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
行業(yè)尋求輻射測(cè)試、建模和模擬技術(shù)，以評(píng)估單粒子效應(yīng)（SEE）和總劑量效應(yīng)（TID）的輻射環(huán)境下高頻半導(dǎo)體的模擬和射頻性能。DTRA也關(guān)注90納米以下半導(dǎo)體的抗輻射建模、仿真和抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)備
2012-12-04 19:52:12
75A的混合碳化硅分立器件，并同時(shí)推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶(hù)在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上，直接進(jìn)行Pin To Pin替換驗(yàn)證測(cè)試及使用，在同樣的設(shè)計(jì)系統(tǒng)中
2023-02-28 16:48:24
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車(chē)輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術(shù)的77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)滿(mǎn)足
2022-11-14 07:45:06
常用的紅外數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范是什么基于軟件編碼的中速紅外技術(shù)在FTU中的應(yīng)用
2021-04-27 06:42:39
今天，有越來(lái)越多人倚賴(lài)無(wú)線設(shè)備來(lái)管理電子郵件、社交媒體、銀行帳務(wù)，并且下載或串流影片和電影。在許多市場(chǎng)中，LTE和LTE-Advanced已經(jīng)成為主流技術(shù)，而下一代5G標(biāo)準(zhǔn)也已經(jīng)進(jìn)入前期研究和定義
2019-06-10 07:17:09
如何DigRF技術(shù)進(jìn)行測(cè)試？DigRF技術(shù)生產(chǎn)測(cè)試的挑戰(zhàn)有哪些？
2021-04-15 06:05:31
怎么可以創(chuàng)建出高性能的測(cè)試系統(tǒng)？如何利用NI LabVIEW技術(shù)提高測(cè)試系統(tǒng)的吞吐量？如何利用NI LabVIEW技術(shù)實(shí)現(xiàn)并行化處理和并行化測(cè)試？
2021-04-15 07:00:28
電阻為4~8kΩ，則為硅管。與鍺二極管相比，硅二極管具有更高的耐壓性、更短的響應(yīng)時(shí)間和穩(wěn)定的性能。在大多數(shù)電路中，硅管可以代替鍺管，但其正向壓降高于鍺管。因此，在某些特定的環(huán)境中，例如小信號(hào)檢測(cè)電路，鍺
2023-02-07 15:59:32
如何去測(cè)試功率包絡(luò)跟蹤技術(shù)？
2021-05-10 06:01:35
問(wèn)題：如何解決PCB技術(shù)在高速設(shè)計(jì)中的特性阻抗問(wèn)題？
2019-09-06 09:48:13
自己置于由硅鍺(SiGe)、絕緣體上硅(SOI)、亞硝酸鉿(HfNO2)、金屬柵、低k和銅材料構(gòu)成的充滿(mǎn)挑戰(zhàn)的世界中。這些新材料對(duì)工藝和器件特性提出了新的測(cè)試要求，其中一些關(guān)鍵的應(yīng)用包括先進(jìn)的高k柵測(cè)試
2011-09-06 15:51:36
隨著無(wú)線技術(shù)更多地嵌入諸如車(chē)載雷達(dá)和機(jī)器對(duì)機(jī)器通信等“關(guān)鍵任務(wù)”應(yīng)用中，新的測(cè)試方法也相應(yīng)出現(xiàn)，以確保系統(tǒng)的可靠性。其中一種RF驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)測(cè)試方法便是“硬件在環(huán)(HIL) 測(cè)試”，該測(cè)試方法屬于“實(shí)時(shí)
2019-06-10 07:32:30
《開(kāi)關(guān)變換器的實(shí)用仿真與測(cè)試技術(shù)》系統(tǒng)地論述了開(kāi)關(guān)變換器模型、控制方面的基本原理和實(shí)用設(shè)計(jì)方法、基本仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試技術(shù)，以及開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的仿真與測(cè)試技術(shù)的應(yīng)用。主要內(nèi)容有：DC-DC變換器模型
2016-06-11 16:50:47
。碳化硅器件的結(jié)電容更小，柵極電荷低，因此，開(kāi)關(guān)速度極快，開(kāi)關(guān)過(guò)程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開(kāi)關(guān)損耗顯著降低，但傳統(tǒng)封裝中雜散電感參數(shù)較大，在極高的 di/dt 下會(huì)產(chǎn)生更大
2023-02-22 16:06:08
不會(huì)使用。這就需要一個(gè)準(zhǔn)確、可靠的測(cè)試程序，并且對(duì)生產(chǎn)環(huán)境來(lái)說(shuō)具有成本效益。通過(guò)將比特誤碼率-信噪比(BER/SNR)相關(guān)聯(lián)，讓在甚高頻(VHF)接收器中測(cè)試ACR(相鄰信道抑制)成為可能。對(duì)于任何設(shè)備的元件
2019-06-06 08:21:46
數(shù)字RF測(cè)試當(dāng)前常使用的技術(shù)包括哪些？數(shù)字RF測(cè)試有哪些具體應(yīng)用？
2021-04-14 06:49:16
汽車(chē)以太網(wǎng)在未來(lái)駕駛技術(shù)中的應(yīng)用
2021-01-04 06:46:42
泰克公司最近宣布首款經(jīng)驗(yàn)證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的新型示波器平臺(tái)ASIC各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實(shí)現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計(jì)目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)
2019-07-24 07:47:20
什么是混合信號(hào)激勵(lì)-響應(yīng)測(cè)試技術(shù)?
2021-04-08 06:35:18
高速數(shù)字設(shè)計(jì)和測(cè)試綜述高質(zhì)量的信號(hào)生成電源完整性測(cè)試物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中幾種典型芯片NB-IOT的測(cè)試方法
2021-01-12 07:15:11
電路在線測(cè)試技術(shù)的原理是什么？測(cè)試儀由那幾部分構(gòu)成?
2021-04-25 06:50:44
上。 不過(guò)，隨著碳化硅價(jià)格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調(diào)高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計(jì)的起點(diǎn)?！ √?b class="flag-6" style="color: red">化硅的采用取決于應(yīng)用，所以
2023-02-27 14:28:47
。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng)，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛，越來(lái)越無(wú)法離開(kāi)，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程度上也決定了生活的質(zhì)量。作為高尖精的產(chǎn)品，芯片
2023-02-20 15:27:19
，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比 在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí)，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
移動(dòng)技術(shù)在測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用？
2021-05-11 07:05:00
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專(zhuān)利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來(lái)看，用
2012-03-15 10:20:43
自動(dòng)旋轉(zhuǎn)貨架是怎樣構(gòu)成的？旋轉(zhuǎn)式貨架有哪些功能？自動(dòng)化技術(shù)在自動(dòng)旋轉(zhuǎn)貨架中的應(yīng)用是什么？
2021-09-14 07:31:27
當(dāng)今，各種創(chuàng)新型技術(shù)層出不窮，對(duì)測(cè)試測(cè)量行業(yè)產(chǎn)生巨大影響。NI通過(guò)與不同行業(yè)工程師深入交流，結(jié)合學(xué)術(shù)研究、商業(yè)咨詢(xún)、用戶(hù)調(diào)查等多種工具，提出2010年測(cè)試測(cè)量工程師需要關(guān)注的五大技術(shù)主題。
2019-06-03 08:10:29
節(jié)能減排技術(shù)在TD-SCDMA中的應(yīng)用是什么？
2021-05-25 07:11:44
藍(lán)牙技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？藍(lán)牙技術(shù)在汽車(chē)中的應(yīng)用有哪些？
2021-05-19 07:03:36
藍(lán)牙射頻技術(shù)及其測(cè)試項(xiàng)目有哪些？
2021-06-02 06:24:50
，目前虛擬儀器技術(shù)在哪些測(cè)試中具有明顯的優(yōu)勢(shì)呢？根據(jù)目前的虛擬儀器發(fā)展水平，我們認(rèn)為，虛擬儀器技術(shù)在復(fù)雜系統(tǒng)的測(cè)試方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。例如：軍用裝備的科研、生產(chǎn)、試驗(yàn)和部隊(duì)技術(shù)保障過(guò)程中的測(cè)試。
2009-09-06 22:47:59
虛擬儀器發(fā)展趨勢(shì)如何？虛擬儀器對(duì)軍用測(cè)試技術(shù)有什么影響？
2021-05-07 07:06:29
，20世紀(jì)無(wú)線電技術(shù)一直在不斷創(chuàng)新，技術(shù)的演進(jìn)也推動(dòng)著RF測(cè)試技術(shù)向前發(fā)展(見(jiàn)圖1)。從軍用的跳頻電臺(tái)、雷達(dá)到RFID，第三代移動(dòng)通信、藍(lán)牙、WLAN，各種微功率發(fā)射裝置等，瞬態(tài)信號(hào)如今無(wú)處不在。瞬態(tài)信號(hào)
2019-06-10 07:18:34
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
基于DSP的測(cè)試技術(shù)與傳統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)相比，有哪些優(yōu)勢(shì)？基本的混合信號(hào)測(cè)試技術(shù)包括哪些？采樣和重建在混合信號(hào)測(cè)試中的應(yīng)用
2021-04-21 06:41:10
對(duì)TD-LTE系統(tǒng)和設(shè)備的實(shí)際測(cè)試要求有哪些？如何使用現(xiàn)有測(cè)試技術(shù)測(cè)試TD-LTE？
2021-04-19 07:48:04
車(chē)內(nèi)信息通信測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:10:59
軟交換技術(shù)在長(zhǎng)途網(wǎng)中的應(yīng)用是什么
2021-05-28 06:04:24
邊界掃描測(cè)試技術(shù) 不屬于 coresight架構(gòu),邊界掃描測(cè)試技術(shù) 被 coresight 架構(gòu) 使用.綜述聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)組（Joint Test Action Group，簡(jiǎn)稱(chēng) JTAG）提出了邊界
2022-02-17 07:33:41
技術(shù)領(lǐng)域的第一次大會(huì)，每年的大會(huì)上在今年DesignCon2005中，主要有以下一些技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)： 1． 單純的電源完整性的仿真與測(cè)試在業(yè)界已經(jīng)有很多應(yīng)用，不再是分析工作中的難點(diǎn)。 2． 電容和電感(磁
2009-10-13 17:45:09
解決。 DesignCon2005的技術(shù)方向 DesignCon是每年互連技術(shù)領(lǐng)域的第一次大會(huì)，每年的大會(huì)上在今年DesignCon2005中，主要有以下一些技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)： 1． 單純的電源完整性的仿真與測(cè)試在業(yè)
2015-01-07 14:27:49
ADMV1017BCCZAnalog Devices 的 ADMV1017 是一款基于硅鍺 (SiGe) 的微波塊上/下轉(zhuǎn)換器，射頻頻率范圍為 24 至 29.5 GHz。上變頻器提供兩種頻率轉(zhuǎn)換
2022-10-30 10:11:16
這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術(shù)在線性度方面
2006-05-07 13:41:23
724 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技術(shù)具有高頻特性，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用在電子測(cè)試產(chǎn)品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高頻
2020-09-09 10:47:00
3 汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)
2023-02-03 15:25:163637 
電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來(lái)提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:004556 SiGe (硅鍺)技術(shù)是最近的一項(xiàng)技術(shù)革新，能同時(shí)改善接收機(jī)的功耗、靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速I(mǎi)C處理工藝，其特點(diǎn)是具有35GHz的特征頻率(fT)。下面的典型前端框圖(圖1)中給出了用硅鍺技術(shù)實(shí)現(xiàn)的混頻器和低噪聲放大器(LNA)可能達(dá)到的性能(1.9GHz)。
2023-06-09 14:11:25535 
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