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V-MOS管測試

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惠海直銷30V 60V 100V mosSOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos【低開啟低結電容】

`惠海半導體【中低壓MOS廠家】,供應中低壓壓N溝道場效應NMOS 廠家直銷,質(zhì)優(yōu)價廉 大量現(xiàn)貨 量大價優(yōu) 歡迎選購,超低內(nèi)阻,結電容超小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導體專業(yè)20-150V
2020-11-02 15:36:23

挖掘MOS電路應用的特性

`  MOS最顯著的特性是開關特性好,所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中,常見的如開關電源和馬達驅(qū)動,也有照明調(diào)光?,F(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的需求:  1,低壓應用  當使用5V電源
2018-10-19 15:28:31

揭秘MOSMOS驅(qū)動電路之間的聯(lián)系

的?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOS導通特性  導通的意思是作為開關,相當于開關閉合?! MOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了?! MOS的特性
2018-12-03 14:43:36

教你一眼識別MOS電路

的單向?qū)ǚ较蛞恢??! ≡谝恍╇姵乇Wo電路中,常有兩個MOS共漏極使用的情況,因為在這些保護電路中,既要進行過充檢測也要進行過放檢測?! 〈蜷_該類MOS的規(guī)格書我們會看到許多如下參數(shù):  那么如何測試
2023-03-10 16:26:47

求推薦MOS

需求:耐壓50V左右,輸入12V,可承受電流5A,N溝道型MOS,做開關管用,推薦時告知導通阻抗Rds
2019-10-12 15:39:52

淺析MOS封裝選取的準則

使用5V的驅(qū)動電壓,因此要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動電壓選取不同閾值電壓VTH的功率MOS。  數(shù)據(jù)表中功率MOS的閾值電壓VTH也有確定的測試條件,在不同的條件下具有不同的值,VTH具有負溫度系數(shù)。不同的驅(qū)動電壓
2018-11-19 15:21:57

淺析MOS的電壓特性

`` 本帖最后由 王棟春 于 2018-10-19 21:32 編輯  在當今的開關電源設備中,當電源電壓在200v以下時,主開關功率器件一般都使用MOS。所以深入了解MOS的內(nèi)部結構和工作
2018-10-19 16:21:14

淺析設備MOS損壞?MOS代理商告訴你這6點可以簡易判斷!

的小了很多說明MOS并未損壞?! ?2)在加速過程中,如24V電源時,MOS柵極電壓應為14V;36V電源時,MOS柵極電壓應為26V。此時測試漏極(D)、源極(S)之間電壓應隨加速而下降。若電壓
2018-12-27 13:49:40

電機驅(qū)動MOS發(fā)熱問題

`做了一個無刷直流電機驅(qū)動板,但是現(xiàn)在MOS發(fā)熱太嚴(MOS型號CSD18540)。測試波形如下圖。想問一下有沒有大佬知道怎么解決散熱問題?(增加散熱片沒什么效果)`
2020-03-26 16:46:00

詳解MOS驅(qū)動電路

是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS導通時源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達
2017-08-15 21:05:01

詳解MOS驅(qū)動電路

極電壓。而高端驅(qū)動的MOS導通時源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成
2017-12-05 09:32:00

請教MOS的保護.

請教各位老師,我的MOS經(jīng)常擊穿,是怎么回事.如何保護.MOSVDS為60V,ID=60A.負載為24V150W燈.驅(qū)動脈沖100HZ.請看圖片.謝謝!!!
2013-10-24 08:47:33

請教個MOS與繼電器選型的問題

1、開關電源輸出DC 30V,開關電源的輸出接MOS對電源進行開關控制,請問MOS的VDS電壓根據(jù)什么來選擇?比如VDS=100V?200V?2、繼電器切換11A左右的DC直流負載,選擇
2018-05-25 17:49:22

請問對于電源中大功率MOS的內(nèi)阻如何測試

如題,內(nèi)阻1mR的mos,如aon6500。這樣的超低內(nèi)阻mos,內(nèi)阻隨電流變化的曲線,怎么測試的?什么設備可以測試
2019-05-22 09:18:59

高端驅(qū)動MOS的問題

我做了個高端驅(qū)動的MOS,然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問題是低Vgs的時候MOS不會完全打開。比如這個電路的Vgs大概是在5V左右,但是門極和源極之間測得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29

高端驅(qū)動的MOS

  一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24

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