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測試時需要使用一臺晶體管圖示儀，電路如圖所示。TOPSwitch-GX的D、C、S極分別接圖示儀的C、B、E孔。由圖示儀提供的漏-源電壓UDS應(yīng)低于700V，以免損壞器件。當(dāng)C端加上如圖所示的波形時，可將內(nèi)部MOSFET關(guān)斷。關(guān)斷時的漏電流IDSS小于或等于250UA，這可通過串入電路中的微安表測得，亦可由數(shù)字萬用表的直流200UA（或2MA）擋來代替微安表。
測試漏-源擊穿電壓和關(guān)斷時的漏電流
- 測試漏-源(5905)
- 擊穿電壓(8824)
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關(guān)于電壓源與電流源串聯(lián)之后電壓源無法正常工作。我用了安捷倫電源的電壓源模塊給npn三極管供電，正極接集電極，負(fù)極接基極
2020-08-11 10:04:29
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可以忽略不計電流源：1.n個電流源并聯(lián)等效于一個電流源，電流為各個電壓源的代數(shù)和2.只有電流相等的電壓源才可以串聯(lián)，且等效于一個電流源3.任何與電流源并聯(lián)的原件都等效于該電流源由23得...
2021-12-27 08:31:38
電壓源和電流源的問題
本帖最后由 Stark揚 于 2018-10-18 11:27 編輯
如果一個電路只有一個電流源，沒有電壓源，那么哪來的電壓來提供給電路呢？比如上面這個電路，電流源的話是改變兩端電壓來達(dá)到特定
2018-10-18 11:21:46
AD7794的PSW端在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流有多大？
如題，AD7794的PSW端在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流有多大？手冊中好像沒有提到
2023-12-18 07:16:29
ASEMI場效應(yīng)管7N80，7N80性能特點，7N80機(jī)械性能
（BVDSS）：800V漏源擊穿電流（IDSS）：1uA柵源漏電流（IGSS）：±100nA柵極開啟電壓（VGS(th)）：5V導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：1.9Ω輸入電容（Ciss）：1178pF
2021-12-27 16:01:13
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6us內(nèi)關(guān)斷，不過驅(qū)動芯片有DESAT腳，無IGBT下測試，生效時間6us內(nèi)。)于是想先在低壓下同樣操作看異常波形在哪。目前在50V母線電壓情況下做關(guān)斷，測出有下面這樣的波形，從C極關(guān)斷時候的高壓看
2019-07-04 21:27:32
MOS管漏源極導(dǎo)通的原因是什么？
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管電壓型靜電擊穿特點
型及功率型。飛虹MOS管廠家今天要分享的電壓型靜電擊穿的特點。電壓型擊穿，即MOS管柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路，它的特點是：（1）穿通擊穿的擊穿點軟
2019-02-12 13:59:28
MOS管為什么會被靜電擊穿？
在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成***，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成
2016-07-21 10:55:02
MOS管為什么連柵極都會被擊穿呢？
三個極都有被擊穿，一個只是擊穿了漏極和還有源極?！ ∵@個驅(qū)動器，過溫、過流、過壓等保護(hù)全都有，額定最大電流也僅僅是MOS管ID值的一半，MOS管也全部是貼裝在PCB上的，驅(qū)動器又是金屬外殼。按理說散熱
2023-03-15 16:55:58
MOS管各項參數(shù)
%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關(guān)斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
2020-07-23 07:23:18
MOS管的每一個參數(shù)含義，這篇給你講全了！
的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關(guān)斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
2019-08-20 07:00:00
UIS測試了解一下？
面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件關(guān)斷過程中，如果電壓過沖值（通常由漏電流和雜散電感造成）未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，但是——當(dāng)電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET的擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩
2019-08-29 10:02:12
tinyswitch-4的通態(tài)漏源電壓怎么計算呢？
tinyswitch-4的通態(tài)漏源電壓的計算方法，在手冊里面有通態(tài)電阻了，還差哪個電流呢？我做適配器用的，謝謝
2015-05-25 10:07:10
【原創(chuàng)推薦】從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（十五）
的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時ID漏電流會增大，當(dāng)ID達(dá)到250uA時，此時的DS電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值
2021-09-01 17:10:32
【轉(zhuǎn)】別再把“泄露電流”與“耐壓漏電流”混淆了！
“漏電流”與“泄露電流”兩個專業(yè)名詞十分相似，導(dǎo)致很多工程師對著兩個量經(jīng)?；煜?，傻傻分不清楚。實際上他們之間的實質(zhì)截然不同，一個是用電器在輸入正常電壓下的測試，另一個是用電器不同電下，用另外的幾千
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上下管源極寄生電感對開關(guān)性能的影響
同步狀態(tài)，漏極的電流由源極S流向漏極D。上管關(guān)斷后，下管在開通的過程中，ID的電流從0開始增加流過寄生的二極管，LS的電流也是從0開始增加，LS的感應(yīng)電動勢VLS阻止其電流的增加，在LS上的感應(yīng)電
2020-12-08 15:35:56
中文圖解功率MOS管的參數(shù)，詳細(xì)實用資料！
的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關(guān)斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
2019-11-15 07:00:00
從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（十四）
都是在環(huán)境溫度25℃條件下測試的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時ID漏電流會增大，當(dāng)ID達(dá)到250uA時，此時的DS電壓即為雪崩擊穿
2021-08-16 11:07:10
加速RF器件測試需要正確的選擇
在RF測試能夠進(jìn)行之前，必須測試這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說，包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對于三極管，這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或漏極特性等。選擇正確的測試儀器并通過適當(dāng)?shù)脑O(shè)定，能夠極大地加速這些測試過程。
2019-07-22 07:09:31
反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析
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2018-10-10 20:44:59
圖片開漏漏電流未指定
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2020-03-11 06:35:45
場效應(yīng)管各參數(shù)符號含義
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安規(guī)耐壓與漏電流經(jīng)典30問！
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耐壓測試（介電強(qiáng)度測試）會有一個門限電流，一般叫漏電流或者擊穿電流，有3mA、5mA,還有10mA的，請問有沒有國標(biāo)規(guī)定
2019-11-13 11:28:35
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海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH3N200P3HV場效應(yīng)管
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2020-04-16 00:14:19
請問變壓器的漏感只會在MOS管關(guān)斷的時候，對MOS管DS間的電壓產(chǎn)生影響嗎？
網(wǎng)上基本都是說，當(dāng)MOS關(guān)斷時，漏感會產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問下，當(dāng)MOS管開通時，這個漏感就不會對MOS管產(chǎn)生影響嗎？
2018-12-20 14:12:20
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2018-10-17 16:52:30
#硬聲創(chuàng)作季 電路分析與測試：2-4電壓源、電流源的串聯(lián)和并聯(lián)
串聯(lián)電路分析電壓源電流源
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-28 10:02:43
加速RF器件測試的正確操作方法
在 RF測試 能夠進(jìn)行之前，必須測試這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說，包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對于三極管，這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或
2011-09-02 10:58:22
1202
1202
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漏電流是什么_漏電流產(chǎn)生的原因_設(shè)備漏電流如何解決
漏電流是PN結(jié)在電壓反偏置時通過二極管的電流。發(fā)光二極管通常都工作在正向?qū)顟B(tài)下，漏電流指標(biāo)沒有多大意義。
2019-07-30 16:36:3359833
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漏電流如何測試
隔離變壓器輸出一端接地的漏電流測試。測試的漏電流有電氣設(shè)備絕緣漏電流和隔離變壓器與調(diào)壓器由于分布電容形成的容性漏電流。
2019-09-13 15:14:0035877
35877擊穿電壓是什么，有什么作用？
擊穿電壓是使電介質(zhì)擊穿的電壓，電介質(zhì)在足夠強(qiáng)的電場作用下將失去其介電性能成為導(dǎo)體，稱為電介質(zhì)擊穿，所對應(yīng)的電壓稱為擊穿電壓。電介質(zhì)擊穿時的電場強(qiáng)度叫擊穿場強(qiáng)。
2019-09-04 11:19:1836857
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耐電壓測試儀結(jié)構(gòu)_耐電壓測試儀技術(shù)參數(shù)
耐電壓測試儀是測量耐電壓強(qiáng)度的儀器，它可以直觀、準(zhǔn)確、快速、可靠地測試各種被測對象的擊穿電壓、漏電流等電氣安全性能指標(biāo)，并可以作為支流高壓源用來測試元器件和整機(jī)性能。
2020-04-22 11:47:171042
1042耐電壓測試儀校準(zhǔn)電流的方法及安全注意事項
耐電壓測試儀是測量耐電壓強(qiáng)度的儀器，它可以直觀、準(zhǔn)確、快速、可靠地測試各種被測對象的擊穿電壓、漏電流等電氣安全性能指標(biāo)，并可以作為支流高壓源用來測試元器件和整機(jī)性能。
2020-04-22 14:27:052395
2395AC 耐壓測試與 DC 耐壓測試所量測之漏電流值會不同？
耐壓測試是偵測流過被測物絕緣系統(tǒng)之漏電流，以一高于工作電壓之電壓施加于絕緣系統(tǒng);而電源泄漏電流（接觸電流）則是在被測物正常操作下，以一最不利的條件（電壓、頻率）對被測物量測漏電流。簡單地說，耐壓測試之漏電流為無工作電源下所量測之漏電流，電源泄漏電流（接觸電流）為正常操作下所量測之漏電流 。
2020-08-21 14:53:3310166
10166超級電容漏電流測試儀AT680A的性能及應(yīng)用
AT680A 是采用高性能微處理器控制的超級電容漏電流測試儀。數(shù)控測試電壓：1.000V~10.000V，最大充電電流2A，4量程測試，使漏電流準(zhǔn)確度提高到1%，它可以測試0.001μA~200mA
2020-12-28 09:51:221328
1328IGBT關(guān)斷時的電流和電壓
, 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點。很多情況，由
于對IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識不清, 對關(guān)斷時間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識不清, 導(dǎo)致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長、
死區(qū)時間長等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導(dǎo)致IGBT因使用不當(dāng), 燒毀。今天我們就IGBT關(guān)斷時的
2023-02-22 14:57:54
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3耐壓和漏電流測試區(qū)別
在安規(guī)測試中，有耐壓測試和漏電流測試兩項，發(fā)現(xiàn)兩者的測試連接方式幾乎一致，一端接零火線，一端接外殼，而且耐壓合不合格看的就是電流有沒有小于要求值，兩者原理看似一致，為何要分耐壓測試和漏電流測試？
2023-06-05 09:09:081913
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電源模塊漏電流怎么測試？萬用表如何測泄漏電流？
漏電流測試是電源模塊安規(guī)測試項目之一，目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標(biāo)準(zhǔn)，防止漏電流過大造成設(shè)備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬用表測量電源模塊的漏電流。
2023-11-06 15:44:521068
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附錄一芯片量產(chǎn)測試常用“黑話”
），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機(jī)臺的電壓和功率不會很高；
2023-11-23 17:38:321124
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耐壓測試中漏電流的計算方法
發(fā)生的電荷流動現(xiàn)象。在耐壓測試中，漏電流是指設(shè)備在額定電壓下，由于絕緣材料存在缺陷而導(dǎo)致的電流泄漏。漏電流的大小直接影響到耐壓測試的安全性和準(zhǔn)確性。 二、漏電流的計算方法 AC 測試之漏電流理論計算： 計算公式：I =2π f V*Cy
2024-01-11 14:38:491355
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緣材料熱態(tài)擊穿電壓測試儀
正常工作的電壓加在被測設(shè)備的絕緣體上，持續(xù)一段規(guī)定的時間，加在上面的電壓就只會產(chǎn)生很小的漏電流，則絕緣性較好。程控電源模塊、信號采集調(diào)理模塊和計算機(jī)控制系統(tǒng)三個模塊組成測試系統(tǒng)，帶報警和時間控制功能。 KDZD5550系列智能絕緣材料熱態(tài)擊穿電壓測
2024-02-28 11:53:2564
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工商網(wǎng)監(jiān)
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