濕度傳感器單片機檢測電路

首先，置RB0為輸出狀態(tài)，RB1和RB2為輸入狀態(tài)，RB0輸出高電平Vh（≥0.85VDD），通過濕敏電阻對C進行充電，根據(jù)電路理論，電容上的電壓按一階指數(shù)規(guī)律變化，
Uc(t) = Vh[1-exp(t/RxC)]???????? (1)

在渡越時間Tmr后，Uc(t)由0V上升到RB2的輸入高電平門檻電壓VT（0.45VDD），RB2的輸入狀態(tài)也由低電平變?yōu)楦唠娖剑藭r再將，RB0，RB2置為低電平，電容C上的電壓通過RP，及RX和RB2快速放電。如此重復，進行充放電。
由式（1）知
Tmr = -Ln( 1-VT/Vh ) Rx C???? (2)
由(2)知，只要測量Tmr，VT、Vh、C 為已知，可以計算出Rx，由于元件參數(shù)及溫度漂移，VT、Vh、C的值很難精確計算，為解決此問題，我們可置RB1為高電平，Vh（≥0.85VDD），通過固定電阻R0對C進行充電，同理可知，電容上的電壓Uc(t)由0V上升到RB2的輸入高電平門檻電壓VT的時間為Tcr:
Tcr = -Ln( 1-VT/Vh ) R0 C?????? (3)
將 (2)/ (3)可得：
Rx= (Tmr/ Tcr) R0????????????? (4)

由(4)可知，只要測量Tmr與Tcr，R0為精密固定電阻，通過運算就可以計算Rx ，與其他因素無關(guān)。在RX測量后就可以查表計算相對濕度值

參數(shù)設(shè)計：
電阻R0與電容C的選擇主要取決于需要的分辨率，與單片機周期等有關(guān)
電阻建議選擇精密金屬膜電阻，建議為60K---300K（1%）之間（取值與測量范圍有關(guān)，取與Rxmax的1/2左右）
電容的選擇既要考慮到測量的靈敏度，又要考慮不使計數(shù)時間太長，具體考慮單片機的時鐘頻率等因素。
C≤-T/[RxmaxLn(1-VT/Vh)]
???????????????????????????? T為計數(shù)器溢出時間，與分辨率有關(guān)
? Rxmax 為最大阻抗值，（取200K--600K左右取值與測量范圍有關(guān)）
建議電容量在0.1UF到1U間選擇,材料為陶瓷或有機電容

B、?A/D直接采樣法

濕度傳感器由于其必須的激勵通過交流電來實現(xiàn)，及不同溫度特性下阻抗不同的特性，決定了其在AD采樣電路中必須采用動態(tài)采樣的方法，并同時采樣溫度信號。具體電路示意圖如下：

參數(shù)設(shè)計：
???? R0采樣電阻的阻值通常建議在30－50KΩ，側(cè)重高濕測量，采樣電阻阻值可降低到20KΩ，低濕阻值可提高到100KΩ。
???? 在信號的正周期內(nèi)的中間段進行采樣，直接通過分壓法采集，注意采樣時間，通過電壓采樣后得到V0，計算如下：
RX=R0*(V-V0)/V0
同時檢測當前溫度T，通過查閱濕度傳感器Z/RH/T數(shù)據(jù)表，在不同溫度下RX的值推算出當前的相對濕度RH%。
不同單片機可能得到的數(shù)據(jù)會有所不同，建議通過軟件進行矯正。