相關(guān)工藝 - 雙面接觸式電容壓力傳感器原理介紹

　　要得到好的鍵合效果，在進(jìn)行晶體鍵合前，要對(duì)3塊晶片的表面進(jìn)行處理，特別是晶體B,要用機(jī)械拋光的方法進(jìn)行，否則由于重?fù)诫s硼的晶體表面粗糙度太高，鍵合時(shí)會(huì)由于晶體表面的內(nèi)應(yīng)力使晶體彎曲，表面不平，常有空氣泡被封在里面，這使鍵合的效果不好，要得到好的鍵合效果就要使表面盡量光滑而且盡量平坦。在鍵合時(shí)，首先在晶體的邊緣進(jìn)行鍵合，如果在空氣中鍵合，晶體的中間會(huì)有殘留的空氣，這些殘留的空氣泡在高溫下會(huì)膨脹，有可能把兩片晶體分開。為解決這個(gè)問(wèn)題可在真空中鍵合;另一個(gè)辦法是同時(shí)在另一面也進(jìn)行硼擴(kuò)散來(lái)減少它的彎曲，因?yàn)閮擅媾饠U(kuò)散的厚度如果一樣的話，晶體的變形會(huì)最小。

　　對(duì)于電容壓力傳感器，硅梁的擴(kuò)散厚度需要精確控制，P+重?fù)诫s自停止腐蝕法及PN結(jié)自停止腐蝕來(lái)控制擴(kuò)散精度。P+重?fù)诫s自停止腐蝕主要是利用當(dāng)硼在硅中的濃度超過(guò)1019時(shí)，硅的腐蝕速率將大大減小，這是各向異性腐蝕的一個(gè)特性。各向異性腐蝕與晶體的晶向和摻雜濃度有關(guān)。腐蝕速率大部分取決于晶體的晶向，這個(gè)特性在腐蝕<100>晶向的晶體時(shí)會(huì)得到V形槽，<110>晶體得到U形槽。晶體的腐蝕速率取決于3個(gè)因素：晶體的類型、溶液的濃度及溫100>和<111>的腐蝕速率比值為50∶30∶1,在室溫下比值為160∶100∶1。腐蝕速率對(duì)溫度非常敏感，要注意控制腐蝕液的溫度。溶液的濃度也會(huì)影響腐蝕速率，但不是線性的。在10℃左右，腐蝕速率最大，而且當(dāng)溶液的濃度逐漸增加時(shí)，腐蝕速率會(huì)慢慢降下來(lái)。

　　查閱資料，當(dāng)溶液的濃度在10%～15%時(shí)，晶體的腐蝕速率最大。溶液的濃度很低時(shí)，晶體表面會(huì)產(chǎn)生一系列小洞。

　　4　結(jié)論

　　制造的成本與單面相當(dāng)。具有單面接觸式電容壓力傳感器所具有的優(yōu)點(diǎn)：低溫漂，高靈敏度，受環(huán)境影響小，對(duì)分布電容不敏感。對(duì)于同樣大小的器件，雙面接觸式電容壓力傳感器的電容量和靈敏度高出單面1倍。