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電子發(fā)燒友網(wǎng)>MEMS/傳感技術(shù)>針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)的兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開關(guān)方法

針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)的兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開關(guān)方法

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低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。本文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2013-10-09 11:41:11933

新創(chuàng)物聯(lián)網(wǎng)MEMS靜電開關(guān)方案

Menlo Microsystems宣布其MEMS開關(guān)在廣泛的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用中取得了進(jìn)展,除了GE的醫(yī)療系統(tǒng),未來還可作為功率致動(dòng)器和繼電器,用于各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及移動(dòng)系統(tǒng)的射頻(RF開關(guān)。
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兩款RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)固有的“逆天”性能

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2018-04-20 08:40:528486

基于MEMS技術(shù)的RF開關(guān)在電路中的設(shè)計(jì)

RF開關(guān)用于從多個(gè)可用信號(hào)源中選擇所需信號(hào),或?qū)⑿盘?hào)路由到所需信道,如分集天線系統(tǒng),雷達(dá)以及測試和測量設(shè)置等應(yīng)用。開關(guān)(有時(shí)稱為繼電器)可以使用類似于非RF開關(guān)的機(jī)電(EM)設(shè)計(jì)構(gòu)建,但現(xiàn)在已經(jīng)被開關(guān)IC取代,除了在IC不足的高功率應(yīng)用中,以及一些非常特殊情況或開關(guān)需要多極(觸點(diǎn))。
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滿滿的知識(shí)點(diǎn) | 關(guān)于射頻微機(jī)電系統(tǒng)開關(guān)的那些事兒

。在RF MEMS器件中,開關(guān)的機(jī)械組件大小只在微米級(jí)別。與電燈開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳輸?shù)氖巧漕l信號(hào)。 ? 射頻開關(guān)技術(shù) ? 射頻開關(guān)可以使用多種不同技術(shù)實(shí)現(xiàn)。除了RF MEMS開關(guān)以外,還有兩種主要類型的射頻開關(guān):機(jī)電式射頻開關(guān)和固態(tài)射頻開關(guān)。固態(tài)開關(guān)
2022-05-16 16:14:203606

5G射頻前端 | RF MEMSRF SOI 兩種工藝誰才是主流?

。這給前端RF設(shè)計(jì)師帶來了些難以置信的挑戰(zhàn)。”手機(jī)OEM廠商必須正面這種挑戰(zhàn),做出權(quán)衡,考慮選擇新的組件。具體來說,對(duì)于RF開關(guān)和天線調(diào)諧器而言,可以歸結(jié)為兩種技術(shù)- 基于RF SOI工藝和RF
2017-07-13 08:50:15

MEMS開關(guān)技術(shù)基本原理

。每個(gè)開關(guān)有五個(gè)并聯(lián)阻性觸點(diǎn),用以降低開關(guān)閉合時(shí)的電阻并提高功率處理能力。圖4. 特寫圖顯示了四個(gè)MEMS懸臂開關(guān)(SP4T配置)如開頭所述,MEMS開關(guān)需要高直流驅(qū)動(dòng)電壓來以靜電力驅(qū)動(dòng)開關(guān)。為使
2018-10-17 10:52:05

MEMS開關(guān)缺陷改進(jìn)

在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對(duì)于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做些改進(jìn)。
2019-07-29 07:57:25

MEMS開關(guān)缺陷的改進(jìn)概述

針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做些改進(jìn)。 1 RF MEMS開關(guān)般考慮 當(dāng)MEMS開關(guān)或膜受靜電力吸引向下偏移到定程度時(shí)達(dá)到閾值電壓,或膜迅速偏移至下極板,電壓大小取決于材料參數(shù)、開關(guān)尺寸及結(jié)構(gòu)
2019-07-08 08:02:54

MEMS技術(shù)及其應(yīng)用詳解

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RF MEMS開關(guān)的設(shè)計(jì)模擬

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對(duì)于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做些改進(jìn)。
2019-07-29 08:31:54

RF MEMSRF SOI 兩種工藝誰才是主流?

。這給前端RF設(shè)計(jì)師帶來了些難以置信的挑戰(zhàn)?!笔謾C(jī)OEM廠商必須正面這種挑戰(zhàn),做出權(quán)衡,考慮選擇新的組件。具體來說,對(duì)于RF開關(guān)和天線調(diào)諧器而言,可以歸結(jié)為兩種技術(shù)- 基于RF SOI工藝和RF
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RF MEMS元器件有哪些類別?

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2019-06-25 06:58:35

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吳軍民a, 湯學(xué)華b (上海電機(jī)學(xué)院a.汽車學(xué)院; b.機(jī)械學(xué)院,上海200245) 摘 要:研究了一種電磁射頻(RF)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS開關(guān)的軟磁懸臂梁的制備工藝。為了得到適合MEMS器件
2019-07-04 08:14:01

兩種LED開關(guān)電源控制方式入門科普

原理圖  以上就是本文針對(duì)兩種LED開關(guān)電源的控制方式,所進(jìn)行的簡單介紹和分析,希望能通過本文的分享,對(duì)各位新人工程師的學(xué)習(xí)和設(shè)計(jì)工作提供些幫助。
2016-01-29 16:10:04

懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)原理

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ASIC與MEMS協(xié)同設(shè)計(jì)的方法

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射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)開關(guān)的模擬與優(yōu)化

  近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。
2010-10-29 11:30:481652

基于RFMEMS開關(guān)的移相器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開關(guān)來設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS 開關(guān)
2011-12-26 18:41:0262

一種基于MEMS的新型鏤空壓電懸臂梁能量采集器

一種基于MEMS的新型鏤空壓電懸臂梁能量采集器_羅元
2017-01-07 21:45:572

RF_MEMS技術(shù)對(duì)小型化雷達(dá)的作用

RF_MEMS技術(shù)對(duì)小型化雷達(dá)的作用
2017-01-11 12:54:2111

MEMS高g值復(fù)合量程開關(guān)設(shè)計(jì)_李功

MEMS高g值復(fù)合量程開關(guān)設(shè)計(jì)_李功
2017-03-19 18:58:180

RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng)的解析

該文采用至上而下的方式,介紹了應(yīng)用RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng),將雷達(dá)子系統(tǒng)與RF MEMS 技術(shù)聯(lián)系起來,具體分析了應(yīng)用于雷達(dá)的RF MEMS 開關(guān)、移相器、濾波器和諧振器。同時(shí),文中以開關(guān)
2017-11-07 10:32:3714

毫米波RF MEMS移相器的智能建模方法

開關(guān),通過改變電容金屬橋位置進(jìn)而實(shí)現(xiàn)器件相移特性的改變,易實(shí)現(xiàn)小型化、高集成度和低成本。特別適合應(yīng)用于毫米波段相控天線的要求。 RF MEMS器件加工生產(chǎn)投入較大,通過大量加工實(shí)驗(yàn)獲得器件設(shè)計(jì)規(guī)律需要
2017-11-17 16:18:524

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬--用于MEMS開關(guān)缺陷的改進(jìn)

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對(duì)于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開關(guān)
2017-11-25 12:28:56365

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對(duì)于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開關(guān)
2017-12-02 15:27:26256

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)模擬設(shè)計(jì)

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對(duì)于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下 文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF M
2017-12-06 12:44:13277

RF MEMS大舉進(jìn)駐高階LTE手機(jī)

射頻微機(jī)電(RF MEMS)今年將大舉進(jìn)駐高階LTE手機(jī)。多頻多模4G手機(jī)現(xiàn)階段最多須支援十五個(gè)以上頻段,引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過大問題;為此,一線手機(jī)廠已計(jì)劃擴(kuò)大導(dǎo)入RF MEMS元件,透過
2018-05-05 10:37:00857

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與改進(jìn)

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對(duì)于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2017-12-07 04:55:02668

如何測量RFMEMS封裝中漏氣情況

一種測量RF、 MEMS封裝中漏氣情況的方法是Q因子提取。使用這種方法首先根據(jù)器件的電學(xué)性能計(jì)算出共振結(jié)構(gòu)的性能。當(dāng)使用這種方法進(jìn)行檢漏測試發(fā)現(xiàn)漏氣時(shí),被測器件可能已經(jīng)完全損壞了。
2018-04-13 11:33:001527

RF MEMS國內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

,重點(diǎn)介紹RF MEMS電容電感、開關(guān)、移相器、諧振器、濾波器、微型同軸結(jié)構(gòu)、天線、片上集成微納系統(tǒng)等的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀、典型研究成果和產(chǎn)品、技術(shù)方案和微納制造工藝及性能特點(diǎn)等,最后淺析RF MEMS領(lǐng)域的發(fā)展趨勢。
2018-03-07 11:22:3634534

測量儀懸臂梁拓?fù)鋬?yōu)化

針對(duì)高精度衡器載荷測量儀反力機(jī)構(gòu)的懸臂梁質(zhì)量較大的問題,對(duì)高精度衡器載荷測量儀的工作原理、懸臂梁加工工藝和拓?fù)鋬?yōu)化方法進(jìn)行了研究。利用ANSYS對(duì)優(yōu)化前的反力機(jī)構(gòu)進(jìn)行了靜力學(xué)分析,基于固體各向同性
2018-03-27 11:10:360

關(guān)于ADI新型RF MEMS開關(guān)技術(shù)的基本知識(shí)

p>ADI MEMS開關(guān)技術(shù),是開關(guān)解決方案發(fā)展史上的一次革命,可以滿足RF儀器儀表和測試系統(tǒng)的需要,瞄準(zhǔn)的是繼電器替代需求。2016年國際電子展嵌入式平臺(tái)大會(huì)發(fā)言稿。
2018-06-03 01:45:005032

國內(nèi)外RF MEMS廠商大盤點(diǎn) 5G對(duì)我國的RF MEMS廠商來說是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)

射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一,也是二十世紀(jì)九十年代以來MEMS領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號(hào)處理,是一項(xiàng)將能對(duì)現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:004331

MEMS開關(guān)基本原理及性能優(yōu)勢

本文介紹ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS開關(guān)技術(shù)。與傳統(tǒng)機(jī)電繼電器相比,ADI公司的MEMS開關(guān)技術(shù)使RF和DC開關(guān)性能、可靠性及小型化實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展。
2019-03-04 15:34:529777

深入了解工業(yè)應(yīng)用的高性能RF MEMS開關(guān)

當(dāng)柵極和源極之間的偏置電壓超過開關(guān)閾值電壓時(shí),梁上的觸點(diǎn)便接觸漏極,源極和漏極之間的電路閉合,開關(guān)接通。移除偏置電壓后,即柵極上為0V時(shí),懸臂梁像彈簧一樣,產(chǎn)生足夠大的恢復(fù)力,使源極和漏極之間的連接斷開,從而電路開路,開關(guān)關(guān)斷。
2019-04-15 14:02:255994

Sofant將RF MEMS用于其取得專利的高效MEMS天線平臺(tái)

Sofant將RF MEMS(射頻微機(jī)電系統(tǒng))用于其取得專利的高效MEMS天線平臺(tái),可解決無線通信系統(tǒng)面臨的若干挑戰(zhàn)。其最初目標(biāo)是用于衛(wèi)星通信和5G,利用MEMS天線技術(shù)降低電子掃描天線陣列70%以上的功耗。
2020-08-31 14:50:561539

手機(jī)射頻開關(guān)領(lǐng)域的工藝紛爭:RF-SOIVs.MEMS

來源:RF技術(shù)社區(qū) 本文來自射頻半導(dǎo)體 RF器件和制造工藝市場正在升溫,這種態(tài)勢對(duì)于智能手機(jī)中使用的兩個(gè)關(guān)鍵組件 - 射頻開關(guān)器件和天線調(diào)諧器尤為明顯。 射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出
2022-12-08 10:46:201424

機(jī)械光開關(guān)MEMS開關(guān)的工作原理及應(yīng)用對(duì)比

開關(guān)具有一個(gè)或多個(gè)可選擇的傳輸窗口,可分為2×2,1×N,M×N多種端口配置形式。光開關(guān)在光纖通信系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用,其實(shí)現(xiàn)技術(shù)多種多樣,包括:機(jī)械光開關(guān)、熱光開關(guān)、聲光開關(guān)、電光開關(guān)、磁光開關(guān)、液晶光開關(guān)MEMS開關(guān),等等。其中機(jī)械光開關(guān)MEMS開關(guān)是目前應(yīng)用較為廣泛的兩種開關(guān)
2020-10-28 18:50:176134

CN0377 使用RF MEMS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器

圖1所示的電路使用RF MEMS開關(guān)在兩臺(tái)表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號(hào)。 圖1. 射頻開關(guān)衰減器的簡化電路圖?衰減RF信號(hào)通常在RF測試儀器儀表和接收器前端完成,以保護(hù)
2021-05-29 11:50:552

跟大家聊聊RF MEMS

Kinetics 的加入,讓公司能夠在天線調(diào)諧領(lǐng)域確立市場領(lǐng)先地位。多家全球領(lǐng)先的智能手機(jī)供應(yīng)商也通過采用 CK 的 RF MEMS 技術(shù)降低損耗并提高線性度,實(shí)現(xiàn)了天線性能的顯著提升。CK 優(yōu)化了該技術(shù)
2021-08-23 11:09:502682

射頻微機(jī)電系統(tǒng)開關(guān)相關(guān)介紹

MEMS器件中,開關(guān)的機(jī)械組件大小只在微米級(jí)別。與電燈開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳輸?shù)氖巧漕l信號(hào)。 射頻開關(guān)技術(shù) 射頻開關(guān)可以使用多種不同技術(shù)實(shí)現(xiàn)。除了RF MEMS開關(guān)以外,還有兩種主要類型的射頻開關(guān):機(jī)電式射頻開關(guān)和固態(tài)射頻開關(guān)。固態(tài)開關(guān)使用
2022-05-12 17:19:151832

一文詳細(xì)了解射頻微機(jī)電系統(tǒng)開關(guān)

射頻微機(jī)電系統(tǒng) (RF MEMS) 開關(guān)是低功耗小型微機(jī)械開關(guān),可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān),通過觸點(diǎn)打開或關(guān)閉在開關(guān)中傳輸信號(hào)。在RF MEMS器件中,開關(guān)的機(jī)械組件大小只在微米級(jí)別。與電燈開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳輸?shù)氖巧漕l信號(hào)。
2022-05-18 10:22:071866

使用RF MEMS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的DC至2.5GHz可切換RF衰減器

四擲 (SP4T) RF MEMS開關(guān)按背靠 背方式配置,在輸入和輸出端之間產(chǎn)生了四條獨(dú)立可切換 路徑。前兩條路徑是直通傳輸線,第三條包含一個(gè)6 dB衰 減器,第四條包含一個(gè)9 dB衰減器。
2022-07-11 09:46:591

突破性的5kV ESD MEMS開關(guān)技術(shù)

ADI MEMS開關(guān)技術(shù)的核心是靜電驅(qū)動(dòng)、微加工、金懸臂梁開關(guān)元件的概念。MEMS開關(guān)可以被認(rèn)為是微米級(jí)的機(jī)械繼電器,具有金屬對(duì)金屬觸點(diǎn),通過高直流電壓驅(qū)動(dòng)的靜電驅(qū)動(dòng)。清晰可見的是平行的五個(gè)觸點(diǎn)
2023-01-04 14:23:17751

ADI公司革命性MEMS開關(guān)技術(shù)的基本原理

本文介紹ADI公司在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS開關(guān)技術(shù)方面的突破。與傳統(tǒng)的機(jī)電繼電器相比,ADI公司的MEMS開關(guān)技術(shù)在RF和DC開關(guān)性能、可靠性和小型化方面實(shí)現(xiàn)了巨大的飛躍。
2023-01-05 14:29:241215

一種基于微懸臂梁的電流天平的光子力測量MEMS裝置

首次提出了一種基于微懸臂梁的電流天平的光子力(PF)測量MEMS(pfMEMS)裝置。
2023-02-01 10:32:121190

基于壓阻式懸臂梁的低頻高靈敏MEMS麥克風(fēng)助力健康監(jiān)測應(yīng)用

提出了一種基于壓阻式懸臂梁MEMS麥克風(fēng),通過設(shè)計(jì)極其容易彎曲的結(jié)構(gòu)在0.1 - 250 Hz的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了約0.2 mPa的分辨率
2023-05-09 09:21:15275

基于微懸臂梁MEMS探針中與傾斜相關(guān)定位誤差的量化和校正

就微型探針而言,已經(jīng)研究了避免誤差的自動(dòng)定位技術(shù)。量化并控制傾斜誤差,對(duì)于利用微懸臂梁優(yōu)化自動(dòng)化探針測試至關(guān)重要。然而,后者的研究還沒有考量潛在的微型MEMS探針的機(jī)械柔韌性。微懸臂梁可用于制造各種微型電氣探針,包括射頻探針。
2023-05-17 09:51:30500

RF MEMS開關(guān)技術(shù)分析

驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn),分析了MEMS開關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問題等關(guān)鍵技術(shù)和問題,介紹了MEMS開關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用,以及對(duì)MEMS開關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05517

RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開關(guān)體積小,功耗低,且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50610

RF MEMS開關(guān)的運(yùn)作、優(yōu)勢

RF MEMS開關(guān)是一種小型微機(jī)械開關(guān),具有低功耗,可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開關(guān),通過打開或關(guān)閉接觸點(diǎn)來傳導(dǎo)信號(hào)。 在RF MEMS設(shè)備的情況下,開關(guān)的機(jī)械部件僅有幾微米大小。與普通開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳導(dǎo)的信號(hào)處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51862

一文讀懂RF MEMS 開關(guān)

所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機(jī)械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān),其中觸點(diǎn)打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導(dǎo)信號(hào)。在 RF MEMS 器件的情況下,開關(guān)的機(jī)械組件只有微米級(jí)尺寸。與電燈開關(guān)不同,在 RF MEMS 開關(guān)中傳導(dǎo)的信號(hào)在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776

虹科技術(shù) | 用于氣體密度和粘度傳感器應(yīng)用的壓電 MEMS 懸臂梁的設(shè)計(jì)、模擬、制作和表征

虹科技術(shù)用于氣體密度和粘度傳感器應(yīng)用的壓電MEMS懸臂梁的設(shè)計(jì)、模擬、制作和表征摘要經(jīng)設(shè)計(jì)、模擬、制作和測試,基于MEMS懸臂的諧振器用于壓電驅(qū)動(dòng)和感測的氣體監(jiān)測。氮化鋁(AlN)用作活性材料來實(shí)現(xiàn)
2022-10-31 14:55:45429

基于新型MEMS開關(guān)提高SoC測試能力及系統(tǒng)產(chǎn)出

本文將介紹ADGM1001 SPDT MEMS開關(guān)如何助力一次性通過單插入測試,以幫助進(jìn)行DC參數(shù)測試和高速數(shù)字測試,從而降低測試成本,簡化數(shù)字/RF片上系統(tǒng)(SoC)的測試流程。
2023-07-10 15:42:53291

基于射頻開關(guān)MEMS/NEMS狀態(tài)

,以解決早期RF MEMS開關(guān)解決方案的可靠性問題。ADI的ADGM1001(SPDT)聲稱致動(dòng)壽命為100億次循環(huán),而Menlo的理想開關(guān)解決方案的額定驅(qū)動(dòng)壽命為3億次循環(huán)。
2023-09-29 16:44:00559

MEMS工藝設(shè)計(jì)中如何實(shí)現(xiàn)應(yīng)力匹配?

相較于本征應(yīng)力,熱應(yīng)力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中,基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實(shí)現(xiàn)懸臂梁驅(qū)動(dòng)。在雙層膜形成的MEMS驅(qū)動(dòng)器中,溫度升高,懸臂梁會(huì)向熱膨脹系數(shù)小的一側(cè)彎曲,當(dāng)溫度回降,懸臂梁回到原位。
2024-01-02 12:32:43381

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