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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>二維材料模塊的自組裝實(shí)現(xiàn),獲得高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜

二維材料模塊的自組裝實(shí)現(xiàn),獲得高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜

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2016-09-09 09:53:48

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半導(dǎo)體材料有什么種類?

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半導(dǎo)體材料的特性與參數(shù)

接觸處形成位壘,因而這類接觸具有單向?qū)щ娦?。利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕梢灾瞥删哂胁煌δ艿?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件,如極管、三極管、晶閘管等。此外,半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)外界前提(如熱、光、電、磁等因素)的變化非常
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半導(dǎo)體材料那些事

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2021-06-03 06:13:57

請(qǐng)問怎么才能設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的印制線路板?

怎么才能設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的印制線路板?
2021-04-23 06:57:27

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41

中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用 Applications of

中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用Applications of neutron beam on semiconductor thin films一、緣起與目的本計(jì)劃于清華水池式反應(yīng)器(THOR)中子束,建立一條多功能之儀器測(cè)試中子
2009-03-06 13:57:2525

離子自組裝薄膜自動(dòng)鍍膜機(jī)電路設(shè)計(jì)與控制軟件開發(fā)

基于離子自組裝薄膜技術(shù)的特點(diǎn),研制了微機(jī)控制的全自動(dòng)離子自組裝薄膜鍍膜機(jī)。該設(shè)備采用PCL733 及PCL734 32 位數(shù)據(jù)采集卡來(lái)實(shí)現(xiàn)與微機(jī)的通信,采用Visual Basic 語(yǔ)言開發(fā)計(jì)算
2009-09-15 15:57:2320

一個(gè)優(yōu)秀的高質(zhì)量LED是如何制造的

區(qū)分LED質(zhì)量高低的因素是哪些?如何說(shuō)出兩種LED的差別?實(shí)際上,選擇高質(zhì)量的LED可以從芯片開始,直到組裝完成,這期間有許多因素需要考慮
2012-06-25 16:42:28776

高質(zhì)量C++C編程指南

高質(zhì)量C++C編程指南高質(zhì)量C++C編程指南
2016-01-15 16:26:160

高質(zhì)量 C++/C 編程指南

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2016-04-05 14:59:5913

高質(zhì)量的c編程指南

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2017-10-26 16:00:2913

高質(zhì)量二維原子晶石墨烯的制備及性能研究

高質(zhì)量二維原子晶體的可控制備是基礎(chǔ)研究和應(yīng)用開發(fā)的前提,目前是迫切需要優(yōu)先研究的重大基礎(chǔ)科學(xué)問題之一??煽刂苽涞淖罱K目的是獲得大面積、單層和單晶結(jié)構(gòu)的二維原子晶體。 在中國(guó)科學(xué)院、科技部和國(guó)家
2017-10-27 17:05:476

高質(zhì)量C 編程指南

高質(zhì)量C 編程指南
2017-10-30 10:10:357

如何推動(dòng)我國(guó)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展_五個(gè)步驟告訴你

制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展是建設(shè)現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)體系、實(shí)現(xiàn)新時(shí)代高質(zhì)量發(fā)展的基礎(chǔ)與前提?,F(xiàn)階段我國(guó)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展面臨技術(shù)、資本、人才、制度、結(jié)構(gòu)五大挑戰(zhàn)。
2018-08-05 06:36:0015510

二維材料家族包含了哪些材料?

二維材料家族涵蓋了絕緣體、半導(dǎo)體、半金屬、金屬和超導(dǎo)體,是目前凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。制備高質(zhì)量二維材料,特別是原子層量級(jí)的超薄材料,是開展本征物性研究和探索新現(xiàn)象的基礎(chǔ)。
2020-06-05 09:57:1412672

基于空氣/水界面自組裝技術(shù)制備的高度有序半導(dǎo)體聚合物薄膜材料

研究人員首先將P3HT的甲苯溶液滴到水表面,兩分鐘之內(nèi)便可自組裝得到P3HT聚合物薄膜。通過(guò)該方法制備的P3HT聚合物薄膜可以很容易的轉(zhuǎn)移到玻璃,硅片,PDMS等各種基底上,為后續(xù)電子器件的制備提供了方便。
2020-09-21 16:58:302237

物理所成功制備單層MoS2晶圓,將推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料的研究發(fā)展進(jìn)程

本期為大家介紹的是中國(guó)科學(xué)院物理研究所在高質(zhì)量二維半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域獲得的新進(jìn)展,張廣宇課題組以自主設(shè)計(jì)搭建的CVD設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上外延制備了四英寸連續(xù)單層二硫化鉬晶圓,其晶圓具有目前國(guó)際上
2020-10-25 10:05:454315

奧趨光電發(fā)布可用于BAW/SAW濾波器的高質(zhì)量鋁鈧氮薄膜材料

創(chuàng)新技術(shù)開發(fā)的具有世界領(lǐng)先水平的高質(zhì)量藍(lán)寶石基鋁鈧氮薄膜模板產(chǎn)品。 鋁鈧氮是目前極具前景的半導(dǎo)體材料,可取代5G射頻前端BAW(FBAR)/SAW濾波器中的氮化鋁材料,并在新一代功率器件領(lǐng)域極具應(yīng)用前景。通過(guò)將高含量的鈧元素?fù)饺氲X,射頻器件的壓電性
2021-03-29 16:21:263142

如何在絕緣層上硅形成高質(zhì)量和大面積的化合物半導(dǎo)體材料

第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料,而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體(Compound Semiconductor)材料,其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是第二代半導(dǎo)體材料中的代表,氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:08790

高質(zhì)量宏觀石墨烯膜批量化制備

石墨烯被稱為二十一世紀(jì)的新材料之王,兼具柔性、輕質(zhì)及超高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱與耐腐蝕等特性,在熱管理、傳感器和電子器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。為實(shí)現(xiàn)石墨烯材料的宏觀應(yīng)用,需要將其組裝高質(zhì)量的宏觀材料。
2022-11-17 09:35:54541

天河高質(zhì)量發(fā)展大會(huì)丨全力以赴為高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)科技力量

2月6日,天河區(qū)召開全區(qū)高質(zhì)量發(fā)展大會(huì),廣州致遠(yuǎn)電子股份有限公司董事、副總經(jīng)理陳子文應(yīng)邀出席并發(fā)表講話,會(huì)上陳總表示:致遠(yuǎn)電子將全力以赴為高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)科技力量。 2 月 6 日,繼 省、市高質(zhì)量
2023-02-10 02:10:02573

二維材料電致橫向PN結(jié)及縱向異質(zhì)結(jié)快速轉(zhuǎn)移制備

該團(tuán)隊(duì)還針對(duì)化學(xué)氣相沉積方法可巨量生長(zhǎng)的二維薄膜材料的異質(zhì)結(jié)的快速制備問題,發(fā)展出了一種高效且高質(zhì)量的制備方法,創(chuàng)造性地利用水膜浸潤(rùn)轉(zhuǎn)移界面,根據(jù)材料或襯底的親水疏水性不同
2023-02-15 10:16:16755

天河高質(zhì)量發(fā)展大會(huì)丨全力以赴為高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)科技力量

2月6日,天河區(qū)召開全區(qū)高質(zhì)量發(fā)展大會(huì),廣州致遠(yuǎn)電子股份有限公司董事、副總經(jīng)理陳子文應(yīng)邀出席并發(fā)表講話,會(huì)上陳總表示:致遠(yuǎn)電子將全力以赴為高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)科技力量。2月6日,繼省、市高質(zhì)量發(fā)展大會(huì)
2023-02-13 13:49:42456

我國(guó)突破12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備,晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸,有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡,為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:39510

新發(fā)展格局下 磁元件企業(yè)如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展

高質(zhì)量發(fā)展浪潮下,磁性元器件行業(yè)面臨轉(zhuǎn)型問題,如何實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展?華東磁元件峰會(huì)搭建行業(yè)溝通橋梁,將為磁元件行業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展提供一份具有參考意義的“答案”。 高質(zhì)量發(fā)展的奮進(jìn)號(hào)角已響徹中國(guó)
2023-07-11 11:50:03360

中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),以單層過(guò)渡金屬硫族化合物為代表。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)展路線類似,晶圓材料是推動(dòng)二維半導(dǎo)體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化的根基。如何實(shí)現(xiàn)批量化、大尺寸、低成本制備二維半導(dǎo)體晶圓是亟待解決的科學(xué)問題。
2023-07-12 16:01:13364

重大進(jìn)展!中國(guó)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備

該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備,晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸,有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡,為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:49408

用于生長(zhǎng)高質(zhì)量二維半導(dǎo)體的重凝硫前驅(qū)體研究

以過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDCs)為代表的二維半導(dǎo)體具有原子級(jí)的厚度、獨(dú)特的能帶結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電學(xué)光學(xué)性質(zhì),是下一代電子、光電子器件的重要材料體系。
2024-01-13 09:22:28348

穩(wěn)中創(chuàng)新?產(chǎn)業(yè)升級(jí)?高質(zhì)量發(fā)展 | 聯(lián)誠(chéng)發(fā)高質(zhì)量發(fā)展工作推進(jìn)會(huì)議召開

推動(dòng)企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。聯(lián)誠(chéng)發(fā)創(chuàng)始人兼總裁龍平芳、董秘毛強(qiáng)軍等公司領(lǐng)導(dǎo)、員工代表出席了本次大會(huì)。 會(huì)上,董秘毛強(qiáng)軍首先提到,在當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)環(huán)境中,公司的高質(zhì)量發(fā)展是企業(yè)追求的最終目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),各板塊和各崗
2024-02-22 11:33:31154

漢高攜新品亮相SEMICON China 2024助力半導(dǎo)體封裝行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

粘接膠樂泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛細(xì)底部填充膠樂泰? Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進(jìn)封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導(dǎo)體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展
2024-03-21 16:36:1057

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