一文詳解Flip Chip制程工藝

Kingbond Training Course

Flip Chip conductive method - connect to Substrate/PCB

1.Metal bump 金屬凸塊-C4 process(IBM)

2. Tape-Automated bonding 卷帶接合-ACF process

3. Anisotropic conductive adhesives

異方向性導(dǎo)電膠 -ACP process

4.Polymer bump 高分子凸塊 - C4 process

5.Stud bump. 打線成球 - ACP process(Matsushita)

C4: controlled collapse chip connection

ACF: anisotropic conductive film

ACP(ACA): anisotropic conductive Adhesive paste

Various flip chip technologies

PS: WIT ( Wire interconnect technology)

TAB(Tape- automated bonding)

Various flip chip technologies

SBB Process

C4: Controlled Collapse Chip Connection Process

ACP: Anisotropic Conductive Paste Process

ACF: Anisotropic Conductive Film Process

Wafer Bump

Metal bump method

1. 蒸鍍 Evaporation?

2. 濺鍍 Sputter?

3. 電鍍 Electroplating

4. 印刷 Printed solder paste bump

5. 錫球焊接 Solder ball bumping or Stud bump bonding (SBB)

6.無電鍍鎳 Electroless nickel technologies

Material of solder bump

1.95Sn/5Pb,97Sn/3Pb 高溫錫鉛合金

2. 63Sn/37Pb 低溫錫鉛合金

3. Ni 鎳

4. Au 金?

5.Cu 銅

Wafer bump (Printed method) Process:Wafer clean

Silicon Wafer arrives with an aluminum based final metal pad and die passivation. Wafer can be probed prior to bumping.

Wafer Bump (Printed method)?Process: Sputter UBM

The Under Bump Metallurgy is added by FCT through sputtered layers of Al,Ni-V,&Cu

Wafer Bump (Evaporation method)

Process: Sputter UBM

UBM consist 3 layer:

1. Adhesion layer : Ti,Cr,TiW 提供鋁墊(Al pad)與護層(Passivation layer)有較強之黏著性

2. Wetting layer:Ni,Cu,Mo,Pt 高溫回焊時錫球可完全沾附而成球

3. Protective layer:Au 保護 Ni,Cu等免于被氧化.

Wafer Bump (Printed method)

Process:Photo-resist

Apply photoresist, Pattern and develop

Wafer Bump (Printed method)

Process: Etch UBM

Etch to form UBM cap

Wafer Bump (Printed method)?

Process: Print solder paste & reflow

Deposit solder paste and reflow to form bump

Wafer Bump (Printed method)

Process: Inspection

Sample measure bump height, bump shear and bump resistance.

The typical size of a bump before reflow :

1. Evaporative bumps are 125 mils in diameter and 100 mils high.

2. Plated bumps are 125 - 175 mils in diameter and 25 -100 mils high.

上芯片流程Flip Chip flow

Why do you need to underfill

填膠制程? Under-fill

1. 毛細(xì)作用型 Capillary type):

利用毛細(xì)力造成膠材之流動.

2. 異方向?qū)щ娔z(Anisotropic conductive adhesive):

低溫制程,分膏狀(paste)和膜狀(film)

3. 前置型(Pre-applied type):

小尺寸芯片(<6mm),點膠(Die attachment)后再回焊(Reflow)

制程與材料之限制:

1. 加強快速填膠與固化能力

2. 提升其界面之黏著力

3. 較低的吸水率

4. 提升低錫鉛球間距內(nèi)的流動性

5. 加強可重工性(rework)

Polymide passivation?Evaporative solder bumping process

UBM:Cr/Cr-Cu/Cu/Au

編輯：黃飛

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Flip(9785) Flip(9785)
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2018-08-13 15:26:41

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為什么7nm工藝制程這么難？除了臺積電還有誰？

和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比，個位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了，很多在10Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭。

2018-10-26 15:40:31

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CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。

2019-01-08 08:00:00

臺積電2nm工藝制程研發(fā)啟動，預(yù)計2024年可實現(xiàn)投產(chǎn)

和以往間隔多年推出一代全新工藝制程不同，目前兩大晶圓代工廠臺積電及三星都改變了打法，一項重大工藝制程進行部分優(yōu)化升級之后，就會以更小的數(shù)字命名。作為韓系芯片大廠龍頭的三星在工藝制程方面非常激進

2019-08-26 12:29:00

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先進的制程工藝提升對于CPU性能提升影響明顯

先進的制程工藝提升對于 CPU 性能提升影響明顯。工藝提升帶來的作用有頻率提升以及架構(gòu)優(yōu)化兩個方面。一方面，工藝的提升與頻率緊密相連，使得芯片主頻得以提升；

2019-10-01 17:06:00

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英特爾下一代酷睿處理器的工藝制程全面進軍10nm節(jié)點

最近英特爾終于帶來了一些好消息，除了下一代（第11代）酷睿處理器的工藝制程全面進軍10 nm節(jié)點以外，英特爾還將在10 nm工藝制程中加入全新的“SuperFin”晶體管?；谶@一新技術(shù)生產(chǎn)的第11

2020-08-17 15:22:17

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中芯國際的先進制程工藝再獲突破

作為中國大陸技術(shù)最先進、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè)，中芯國際的制程工藝發(fā)展一直備受關(guān)注。歷經(jīng)20年，其制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點發(fā)展至如今的N+1工藝。

2020-10-20 16:50:10

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臺積電、三星在2022年將制程工藝推到2nm

臺積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。

2020-11-18 09:52:51

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MEMS工藝前段制程的特點及設(shè)備

MEMS制程各工藝相關(guān)設(shè)備的極限能力又是限定器件尺寸的關(guān)鍵要素，且其相互之間的配套方能實現(xiàn)設(shè)備成本的最低；下面先簡要介紹一下前段制程的特點及涉及的設(shè)備。

2021-01-11 10:35:42

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臺積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年，臺積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進的3nm制程也在計劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。

2021-01-12 16:26:53

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英偉達(dá)高通正尋求獲得臺積電下一代芯片制程工藝產(chǎn)能支持

1 月 22 日消息，據(jù)國外媒體報道，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺積電，獲得了蘋果、AMD 等眾多芯片廠商的代工訂單，他們的營收也已連續(xù)多年增長。由于芯片制程工藝領(lǐng)先，還有更多的廠商在尋求

2021-01-23 08:59:57

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消息稱高通2022年可能采用臺積電4nm制程工藝

2月24日消息，據(jù)國外媒體報道，在先進芯片制程工藝方面，三星電子雖然要晚于臺積電推出，但也是基本能跟上臺積電節(jié)奏廠商，并未落下很長時間。在三星電子的先進芯片制程工藝方面，高通是長期采用的廠商，他們

2021-02-24 17:29:28

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半導(dǎo)體工藝制程中常用的工序

半導(dǎo)體一般是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體的應(yīng)用非常廣泛，在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用等都有應(yīng)用。那么半導(dǎo)體工藝制程中常用的工序有哪些呢？下面一起

2021-10-03 18:14:00

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臺積電宣布推出4nm制程工藝——N4P

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）近日，全球晶圓代工龍頭臺積電宣布推出4nm制程工藝——N4P，希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。臺積電表示，憑借5nm（N5）、4nm（N4）、3nm（N3

2021-10-30 11:25:16

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臺積電2nm和3nm制程工藝

臺積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。

2022-07-04 18:13:31

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臺積電3nm制程工藝正式量產(chǎn) 已舉行量產(chǎn)及產(chǎn)能擴張儀式

來源：TechWeb 近日，據(jù)國外媒體報道，正如此前所報道的一樣，晶圓代工商臺積電，在他們旗下的晶圓十八廠，舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴張儀式，宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)

2022-12-30 17:13:11

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基于28nm工藝制程的7系列FPGA

7系列FPGA是基于28nm工藝制程。在7系列FPGA中，每個輸入/輸出區(qū)域（I/O Bank）包含50個輸入/輸出管腳，其中有4對（8個）全局時鐘管腳，稱之為CCIO（Clock-capable IO）。

2023-03-03 09:46:49

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基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。

2023-03-09 14:12:54

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詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝

2023-05-31 09:42:18

997

顛覆傳統(tǒng)PFC制程工藝的FDC應(yīng)用于CCS

2023-07-10 10:00:20

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工藝制程是什么意思 7nm5nm是什么意思

如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說的以指數(shù)級的速度縮小特征尺寸，會遇到兩個阻礙，首先是經(jīng)濟學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。經(jīng)濟學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大，導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。

2023-07-31 10:41:15

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半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

2023-08-24 10:38:54

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PCB工藝制程能力介紹及解析（下）

上周我們講到了PCB基本概念和鉆孔的一些基本知識，那么本篇內(nèi)容，小編將以pcb圖形轉(zhuǎn)移和阻焊等方向，為大家詳細(xì)介紹其他PCB工藝制程能力。如果對該內(nèi)容感興趣的朋友可以關(guān)注公眾號【華秋電子】，并查看

2023-08-31 15:51:34

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一文解析flip chip工藝流程

1.Metal bump 金屬凸塊-C4 process(IBM) 2. Tape-Automated bonding 卷帶接合-ACF process 3. Anisotropic conductive adhesives 異方向性導(dǎo)電膠 -ACP process 4.Polymer bump 高分子凸塊 - C4 process

2023-10-10 09:47:20

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