2022年中國大陸集成電路設計人才需求報告下載地址2022年中國大陸集成電路設計人才需求報告-電子電路圖,電子技術(shù)資料網(wǎng)站 (elecfans.com)集成電路產(chǎn)業(yè)是支撐國家經(jīng)濟社會發(fā)展和保障
2022-08-17 16:18:05
產(chǎn)業(yè)迭代更新和經(jīng)濟的快速發(fā)展，中國仍然是主要的消費地區(qū)。預計到2025年，集成電路（IC）光掩模的全球市場銷售量將從2014年的25.63千平方米達到約60.73千平方米。在中國市場，2018年集成電路
2019-12-10 17:18:10
555集成電路，需要的朋友可以看一下
2019-12-21 17:19:33
555集成電路800例應用點擊下載
2018-07-26 21:34:19
555集成電路實用大全555集成電路實用大全介紹國內(nèi)外最通用的555時間集成電路（包括雙極型和MOS型，單雙時間電路）在38個應用領(lǐng)域的500多個應用實例，諸如安全、節(jié)電、充電、電話、傳真、遙控
2009-03-29 11:47:49
本帖最后由 ***s666 于 2013-10-5 21:41 編輯
555集成電路應用800例
2013-10-05 21:01:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
555集成電路應用800例
2012-04-07 16:49:12
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 19:49 編輯
555集成電路應用800例
2012-04-07 13:56:41
555集成電路應用800例
2012-04-07 17:03:58
` 本帖最后由 azsxdcfv1871514 于 2013-1-6 14:56 編輯
555集成電路應用800例(新編版)`
2012-08-01 21:57:32
商用4G LTE無線基礎設施的擴展，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，為氮化鎵順利進入MMIC市場提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設備集成，滿足新一代5G系統(tǒng)的需求。同時，隨著集成射頻、模擬
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵向商用 4G LTE 無線基礎設施的擴展，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，為氮化鎵順利進入 MMIC 市場提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設備集成，滿足新一代 5G 系統(tǒng)的需求。同時
2019-07-05 04:20:15
7805集成電路圖
2008-10-13 12:28:46
隨著人們訂購無線服務數(shù)量的激增、各種服務類型的多樣化，以及更低的便攜式設備接入因特網(wǎng)的費用，使得對于增加基礎設施容量的需求日益明顯。3G智能手機、3G上網(wǎng)本和3G平板電腦是引發(fā)對于無線數(shù)據(jù)服務和基站
2019-08-20 06:49:21
無線基礎設施容量面臨的挑戰(zhàn)是什么？
2021-05-20 06:47:50
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降，但由于其反向恢復行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
集成電路883與集成電路883b到底有哪些區(qū)別呢？
2021-11-01 07:05:09
同時，集成電路市場又是高度變動的,約十年為一個漲落周期。 21世紀，要求移動處理信息，隨時隨地獲取信息、處理信息成為把握先機而制勝的武器。如果前20年P(guān)C是集成電路發(fā)展的驅(qū)動器的話，后20年除PC
2018-08-24 16:30:34
隨著集成電路的逐漸開發(fā)，集成電路測試儀從最開始的小規(guī)模集成電路逐漸發(fā)展到中規(guī)模、大規(guī)模甚至超大規(guī)模集成電路。集成電路測試儀分為三大類別：模擬與混合信號電路測試儀、數(shù)字集成電路測試儀、驗證系統(tǒng)、在線測試系統(tǒng)、存儲器測試儀等。目前，智能、簡單快捷、低成本的集成電路測試儀是市場上的熱門。
2019-08-21 07:25:36
隨著集成電路制造技術(shù)的進步，人們已經(jīng)能制造出電路結(jié)構(gòu)相當復雜、集成度很高、功能各異的集成電路。但是這些高集成度，多功能的集成塊僅是通過數(shù)目有限的引腳完成和外部電路的連接，這就給判定集成電路的好壞帶來不少困難。
2019-08-21 08:19:10
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CMOS數(shù)字集成電路是什么？CMOS數(shù)字集成電路有什么特點？CMOS數(shù)字集成電路的使用注意事項是什么？
2021-06-22 07:46:35
EIMKT求購集成電路TGA4522、EP1S25F780C7N 原裝現(xiàn)貨TGA4522集成電路是Qorvo射頻放大器，該放大器是ka波段寬帶驅(qū)動放大器，屬于緊湊型ka波段和q波段放大器mmic
2019-10-22 10:13:51
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅(qū)動器?應用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
LM3361集成電路的內(nèi)電路結(jié)構(gòu)是什么？LM3361集成電路的電性能參數(shù)與典型應用電路有哪些？
2021-04-21 06:52:32
MACOM的貨源外，該協(xié)議還授權(quán)意法半導體在手機、無線基站和相關(guān)商用電信基礎設施以外的射頻市場上制造、銷售硅上氮化鎵產(chǎn)品。通過該協(xié)議，MACOM期望獲得更高的晶片產(chǎn)能和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)，取代現(xiàn)有的LDMOS
2018-02-12 15:11:38
大批量生產(chǎn)并交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨范圍拓展到更廣的無線/射頻領(lǐng)域。RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2020-06-04 17:20:31
2.4G無線話筒模塊 激光筆系列。RFX2401C產(chǎn)品性能.RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模
2020-03-27 11:31:29
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報價TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
TTL集成電路是什么？CMOS電路是什么？TTL集成電路和CMOS電路有哪些區(qū)別？
2021-11-02 07:58:45
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導體材料，然而，鍺砷化物是專門用于高速，非常大規(guī)模集成電路(VLSI)設計。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導體材料
2022-04-04 10:48:17
什么是集成電路？
2021-06-18 09:07:45
自從人類開始使用電子設備以來，電子世界經(jīng)歷了許多技術(shù)進步。然而，集成電路 代表了這些技術(shù)發(fā)展中最重要和最具變革性的技術(shù)之一。集成電路不僅徹底改變了電子產(chǎn)品，而且永遠改變了其發(fā)展方向。電子產(chǎn)品的小型化
2023-08-01 11:23:10
特定功能的電路。2集成電路的分類①功能結(jié)構(gòu)集成電路，又稱為IC，按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。模擬集成電路又稱線性電路，用來產(chǎn)生、放大和處...
2021-07-29 07:25:59
什么是厚膜集成電路？厚膜集成電路有哪些特點和應用？厚膜集成電路的主要工藝有哪些？厚膜是什么？厚膜材料有哪幾種？
2021-06-08 07:07:56
微波集成電路技術(shù)是無線系統(tǒng)小型化的關(guān)鍵技術(shù).在毫米波集成電路中,高性能且設計緊湊的功率放大器芯片電路是市場迫切需求的產(chǎn)品.
2019-09-11 11:52:04
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
關(guān)于TTL集成電路與CMOS集成電路看完你就懂了
2021-09-28 09:06:34
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務一些應用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
`[單片無線收發(fā)集成電路原理與應用].黃智偉.高清文字版，一共5部分，供大家參考`
2017-03-03 10:33:34
WMN網(wǎng)絡有哪幾種類型？固定基礎設施的多跳WMN網(wǎng)絡怎么構(gòu)建？
2021-05-19 06:25:32
采用TDA4605集成電路的開關(guān)電源電路
2019-09-27 07:40:16
555集成電路應用800例，很多很實用的電路，在生活中都很實用
2015-05-09 14:22:10
如何查看Soc基礎設施？
2022-03-07 06:08:57
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
迅速發(fā)展的射頻集成電路為從事各類無線通信的工程技術(shù)人員提供了廣闊的前景。但同時, 射頻電路的設計要求設計者具有一定的實踐經(jīng)驗和工程設計能力。本文總結(jié)的一些經(jīng)驗可以幫助射頻集成電路開發(fā)者縮短開發(fā)周期, 避免走不必要的彎路, 節(jié)省人力物力。
2019-08-30 07:49:43
砷化鎵晶圓代工廠。
公司主要從事砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業(yè)務，提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散組件與后端制程的晶圓代工服務，應用于高功率基站、低噪聲放大器(LNA
2019-05-27 09:17:13
新編555集成電路800例，特全的555應用，有用的孩兒們記得下載撒
2013-03-27 20:39:01
mg/°C。另外，這些加速度計配備有集成溫度傳感器，可用于漂移的熱補償。表1. 新系列MEMS加速度計的主要特性 結(jié)論如今對 MEMS 傳感器的需求已擴大到消電子應用之外。工業(yè)和基礎設施市場正在創(chuàng)造
2018-10-30 15:00:04
隨著集成電路制造技術(shù)的進步，人們已經(jīng)能制造出電路結(jié)構(gòu)相當復雜、集成度很高、功能各異的集成電路。但是這些高集成度，多功能的集成塊僅是通過數(shù)目有限的引腳完成和外部電路的連接，這就給判定集成電路的好壞帶來不少困難。
2019-08-20 08:14:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
推動了氮化鎵率先在有線電視行業(yè)開展商業(yè)應用。盡管與砷化鎵相比，碳化硅基氮化鎵的價格更高，但有線電視基礎設施的成本壓力要比無線手機小得多，而且節(jié)省的運營成本可以超過增加的購置成本。但是，商業(yè) CATV市場
2017-08-15 17:47:34
的關(guān)鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎設施的實際促技術(shù)，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
在無線電設備中，集成電路的應用愈來愈廣泛，對集成電路應用電路的識圖是電路分析中的一個重點，也是難點之一。1．集成電路應用電路圖功能▼▼▼ 集成電路應用電路圖具有下列一些功能： ①它表達了集成電路
2015-08-20 15:59:42
特性。一般來說，線性集成芯片的乘積靈敏度為４×１０４Ｖ／（Ａ·Ｔ），比普通霍爾元件乘積靈敏度高２個數(shù)量級。３．特種霍爾器件利用離子注入法在高電阻率的砷化鎵 （ＧａＡｓ）單晶片表面上制成非常薄的Ｎ型
2018-01-02 16:40:28
從3G升級到LTE-Advance，對下一代移動通信基礎設施的設備和器件供應商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無線設備要求支持更寬的信號帶寬、更復雜的調(diào)制方式，以便在全球范圍內(nèi)部署的各種運行頻段上都能獲得更高
2019-07-31 06:29:26
的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路
2020-02-18 13:23:44
化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，英特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風。但由于大型計算機的出現(xiàn)，需要
2020-04-22 11:55:14
如何判定集成電路的好壞？集成電路的測試有什么技巧？
2021-04-14 06:51:19
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
如何實現(xiàn)無線基礎設施使用的3.5GHz LNA的設計？
2021-04-20 07:02:50
性能并增加功能。雖然消費電子應用激發(fā)了對這些傳感器的需求，但其在其他市場的應用也在增加。隨著數(shù)字化或物聯(lián)網(wǎng)的出現(xiàn)，傳感器正成為工業(yè)基礎設施應用的核心。在這種情況下，應用依賴MEMS進行狀態(tài)監(jiān)控和結(jié)構(gòu)健康
2018-10-23 17:11:46
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
前端集成電路能提供業(yè)界最高水平的砷化鎵(GaAs)芯片整合。該公司所獨家特有的ANADIGICS InGaP-Plus制程技術(shù)將3大功能集于一個單一的砷化鎵裸片，使這么小的封裝體積成為可能
2018-08-27 16:00:11
Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高
2022-05-17 12:09:15
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:41:06
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:46:15
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:48:03
Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 11:22:27
Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 11:28:20
Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 14:09:52
Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 14:12:41
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:26:31
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:28:23
Wolfspeed 的 CMPA2738060 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓
2022-06-29 09:19:52
Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高
2022-06-29 09:43:43
Cree 的 CMPA5259080S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高
2022-07-01 10:20:20
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:30:08
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:32:18
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:19:07
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:20:43
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:23:59
來自Intersil公司的工程師Fan Feng詳細講解該公司面向無線基礎設施應用的一系列解決方案
2018-06-24 01:03:00
3211 無線電力傳輸集成電路
2021-05-16 14:39:23
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