7nm將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場

　　安謀（ARM）與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7奈米FinFET制程技術進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片（SoC）的設計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

　　事實上，以臺積電目前先進制程之生產(chǎn)時程來看，屬于同一世代的10奈米、7奈米進度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾（Intel）。

　　臺積電先進制程10奈米、7奈米、5奈米等部分，所有制程皆on schedule10奈米制程2016第1季完成產(chǎn)品認證，而10奈米/7奈米應用非常廣泛，如手機、高階networking、Gaming、wearable等，具有快速的傳輸效率及低耗電量，而7奈米預計2018年第1季開始量產(chǎn)。

　　據(jù)了解，英特爾估計在2018年確定10奈米量產(chǎn)，7奈米估計要到2019年，而三星電子（Samsung Electronics）目前10奈米進度較不確定，臺積電在10/7奈米世代已經(jīng)展現(xiàn)雄心，并且展開多方客戶布局。

　　部分相關下游業(yè)者表示，未必會使用10奈米產(chǎn)品，如20奈米為16奈米制程之過渡期產(chǎn)品，反而7奈米才是下一世代鎖定的主力目標，而此次臺積電與ARM的長期合約訂立，也確立7奈米未來將成為國際大廠的主戰(zhàn)場。

　　據(jù)臺積電于先前公開法人說明會之說法，7奈米制程可在2018年第1季提供，而依照臺積電之計劃，5奈米將會在7奈米制程的2年后推出，約在2020年上半可見端倪。