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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>黃仁勛:28nm不成熟,新GPU良率低

黃仁勛:28nm不成熟,新GPU良率低

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2018-05-11 09:26:2718994

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28nm FPGA芯片-Altera 的“雄韜偉略”

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2012-09-19 09:15:277734

增長(zhǎng)近28%!傳聯(lián)電明年28nm制程晶圓報(bào)價(jià)飆升至每片2300美元

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2021-05-10 15:09:452170

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如何利用28nm高端FPGA實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡?

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想知道28nm制程下,例如乘法器加法器的動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗應(yīng)該去查什么資料,感覺在網(wǎng)上搜不到相關(guān)的參考資料。
2023-01-03 09:59:04

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請(qǐng)問工程師,C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm?同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎?
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請(qǐng)問FPGA中的nm是什么意思?

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2020-10-16 11:34:511447

美國(guó)允許臺(tái)積電向華為供貨28nm芯片

據(jù)外媒最新報(bào)道,近日美國(guó)政府允許了臺(tái)積電向華為供貨芯片,但只是允許向華為供應(yīng)一部分成熟工藝的產(chǎn)品,即:28nm工藝或以上的產(chǎn)品! 臺(tái)積電從美國(guó)商務(wù)部獲得許可證,能夠繼續(xù)向華為供應(yīng)一部分成熟工藝產(chǎn)品
2020-10-23 10:54:442708

DigiTimes :臺(tái)積電 28nm產(chǎn)能罕見滿載 中芯轉(zhuǎn)單效應(yīng)提前發(fā)酵

據(jù)臺(tái)媒 DigiTimes 報(bào)道,供應(yīng)鏈表示,臺(tái)積電 28nm 制程產(chǎn)能利用率過去始終未達(dá)預(yù)期,第 4 季度出現(xiàn)多年未見的滿載情況。 IT之家了解到,報(bào)道指出,其中,高通(Qualcomm
2020-11-04 10:24:271509

臺(tái)積電28nm的產(chǎn)能利用率未能達(dá)到預(yù)期

該報(bào)道指出,產(chǎn)能滿載的主要推動(dòng)力在于高通、博通將原先在中芯國(guó)際的28nm訂單提前轉(zhuǎn)移到了臺(tái)積電。
2020-11-04 16:05:451622

芯片“替代化”成主流趨勢(shì),28nm產(chǎn)業(yè)鏈1-2年有望成熟

近兩年,國(guó)際局勢(shì)的變化,推動(dòng)“芯片”這一話題不斷升溫。近日,清華大學(xué)教授魏少軍在接受搜狐科技專訪時(shí)表示,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)在當(dāng)前的處境下帶來(lái)的反彈影響深遠(yuǎn),將會(huì)加速國(guó)產(chǎn)及歐日韓元器件作為替代。同時(shí),他提到,中國(guó)28nm芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望在1-2年內(nèi)走向成熟
2020-11-12 16:15:491707

臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能將更緊張

獲得5nm工藝的產(chǎn)能。 從外媒的報(bào)道來(lái)看,不只是7nm、5nm等先進(jìn)的制程工藝,臺(tái)積電成熟工藝,目前也有強(qiáng)勁的的需求,已有外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電先進(jìn)工藝和成熟工藝都有強(qiáng)勁的產(chǎn)能需求。 從相關(guān)媒體的報(bào)道來(lái)看,在芯片制程工藝方面,28nm及以上工
2020-11-19 16:50:151672

臺(tái)積電成熟 28nm 產(chǎn)能將更緊張,與代工 OLED 屏幕驅(qū)動(dòng)芯片有關(guān)

獲得5nm工藝的產(chǎn)能。 從外媒的報(bào)道來(lái)看,不只是7nm、5nm等先進(jìn)的制程工藝,臺(tái)積電的成熟工藝,目前也有強(qiáng)勁需求,已有外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電先進(jìn)工藝和成熟工藝都有強(qiáng)勁的產(chǎn)能需求。 從相關(guān)媒體的報(bào)道來(lái)看,在芯片制程工藝方面,28nm及以上工藝
2020-11-19 17:13:191846

28nm目前全球的晶圓代工狀況

28nm目前國(guó)內(nèi)主要的芯片產(chǎn)品以及未來(lái)5年可能會(huì)導(dǎo)入的新的芯片產(chǎn)品
2020-12-02 10:31:093845

Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝

處引入了第二代 high-k 絕緣層 / 金屬柵工藝,這些為 28nm 的逐步成熟打下了基礎(chǔ)。 IT之家獲悉,2013 年是 28nm 制程的普及年,2015~2016 年間,28nm
2020-12-03 17:02:252413

臺(tái)積電和聯(lián)華電子28nm工藝將滿負(fù)荷運(yùn)行

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,雖然目前最先進(jìn)的芯片制程工藝已經(jīng)達(dá)到5nm,但成熟28nm工藝,目前仍還有大量的需求,28nm工藝目前就還仍是臺(tái)積電的第4大收入來(lái)源,貢獻(xiàn)了去年四季度臺(tái)積電營(yíng)收的11%,是4項(xiàng)營(yíng)收占比超過10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:481810

傳中芯國(guó)際已獲14/28nm許可,官方回應(yīng)

日前有消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)部分許可,14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 11:22:221635

曾經(jīng)被28nm改寫的半導(dǎo)體市場(chǎng)

最近,關(guān)于28nm工藝的新聞?lì)l頻見于報(bào)端。 一方面,臺(tái)積電日前宣布,將斥資約800億元新臺(tái)幣,把在南京廠建置28納米制程,目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬(wàn)片月產(chǎn)能。除此之外,市場(chǎng)中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:322770

22nm28nm芯片性能差異

據(jù)芯片行業(yè)來(lái)看,目前22nm28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了,很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多,主要原因就是價(jià)格便宜,那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢?
2022-06-29 09:47:467987

基于28nm工藝制程的7系列FPGA

7系列FPGA是基于28nm工藝制程。在7系列FPGA中,每個(gè)輸入/輸出區(qū)域(I/O Bank)包含50個(gè)輸入/輸出管腳,其中有4對(duì)(8個(gè))全局時(shí)鐘管腳,稱之為CCIO(Clock-capable IO)。
2023-03-03 09:46:491323

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:110

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:430

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:32:060

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-03-16 19:32:490

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

英特爾著眼玻璃基板,載板業(yè)界:量產(chǎn)技術(shù)仍不成熟

但是,臺(tái)灣載板業(yè)界認(rèn)為,玻璃基板量產(chǎn)技術(shù)還不成熟。載板市場(chǎng)已經(jīng)掌握了玻璃基板的技術(shù),目前在芯片核心層有原來(lái)內(nèi)置在pcb板材中的特殊玻璃材料,但相關(guān)技術(shù)還不成熟,因此正在實(shí)驗(yàn)室開發(fā)中。
2023-09-19 10:20:14431

臺(tái)積電第一家日本工廠即將開張:預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片

這座晶圓廠于2022年4月開始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個(gè)變種,專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433

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