規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
系統(tǒng)集成等諸多優(yōu)點(diǎn)，在激光器調(diào)諧、光分插復(fù)用、光纖傳感和色散補(bǔ)償?shù)阮I(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用〔‘一‘〕。在光子晶體光纖(PCF)問世之初，人們就嘗試在光子晶體光纖中寫人光纖光柵，從全文下載
2010-06-02 10:05:28
兩條光子晶體單模波導(dǎo)和中間放置的兩個(gè)全同耦合微腔構(gòu)成,通過合理地選擇微腔的幾何構(gòu)形和物理參數(shù),能夠控制波導(dǎo)模式與兩個(gè)耦合微腔的耦合方式,使得在直線波導(dǎo)主干通道上傳播的光信息通過共振隧穿機(jī)制而高效率
2014-10-14 10:25:04
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)！??！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
繼電器線圈時(shí)，晶體管的導(dǎo)通與關(guān)斷控制著線圈中電流的通過。此時(shí)，當(dāng)晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，集電極（線圈中）的電流的突然減小，線圈將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢，并作用于集電極。這個(gè)反電動(dòng)勢將高達(dá)數(shù)百伏（V
2017-03-28 15:54:24
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
，PMOS指的是P型MOSFET。注意，MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極，由它的電壓來控制整個(gè)MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)?！ MOS電路符號(hào)如下圖： PMOS電路符號(hào)如下
2021-01-13 16:23:43
基區(qū)中由發(fā)射結(jié)逐漸流向集電結(jié)，形成集電極電流;最后，由于集電結(jié)處存在較大的反向電壓，阻止了集電區(qū)的自由電子向基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，并將聚集在集電結(jié)附近的自由電子吸引至集電區(qū)，形成集電極電流。2.場效應(yīng)晶體管
2016-06-29 18:04:43
管的E極接A點(diǎn)，C極接B點(diǎn)；NPN管的E有接B點(diǎn)，C極接A點(diǎn)）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺(tái)
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
無量綱的比例系數(shù)。hfe稱為輸出端交流短路時(shí)的電流放大系數(shù)，簡稱電流放大系數(shù)。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力，即晶體管的電流放大能力，是一個(gè)無量綱的數(shù)，習(xí)慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號(hào)的高反壓大功率開關(guān)晶體管。 6．達(dá)林頓管的選用達(dá)林頓管廣泛應(yīng)用于音頻功率輸出、開關(guān)控制、電源調(diào)整、繼電器驅(qū)動(dòng)、高增益放大等電路中。 繼電器驅(qū)動(dòng)電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
偏、集電結(jié)正偏，就是晶體管的倒置放大應(yīng)用）。要理解晶體管的飽和，就必須先要理解晶體管的放大原理。從晶體管電路方面來理解放大原理，比較簡單：晶體管的放大能力，就是晶體管的基極電流對集電極電流的控制
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
向下縮放時(shí)失去對漏電流的控制?！ 〈鸢甘抢玫谌齻€(gè)維度。 MOSFET晶體管從平面單柵極器件演變?yōu)槎鄸艠O3D單元，以增加電流驅(qū)動(dòng)并減輕短通道效應(yīng)?！ ∈褂?D還可以減少晶體管的面積。占據(jù)第三維可以
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
的，因此在發(fā)射極E上使用箭頭來指示電流方向。晶體管的放大功能是：集電極電流由基極電流控制（假設(shè)電源可以為集電極提供足夠大的電流），基極電流的微小變化會(huì)引起集電極電流的較大變化：集電極電流的變化是基極電流
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡單的pn結(jié)。而晶體管是通過背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
類型。
雙極結(jié)型晶體管(BJT)
雙極結(jié)型晶體管是由基極、集電極和發(fā)射極 3 個(gè)區(qū)域組成的晶體管。雙極結(jié)型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進(jìn)入晶體管基極區(qū)的小電流會(huì)導(dǎo)致從發(fā)射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管的工作原理是一樣的?！?光電晶體管光電晶體管是由雙極晶體管或場效應(yīng)晶體管組成的光電器件。光被吸收在這種器件的有源區(qū)域，產(chǎn)生光生載流子，這些載流子通過內(nèi)部電放大機(jī)制并產(chǎn)生光電流增益。光電晶體管在三
2023-02-03 09:36:05
學(xué)會(huì)了使用傳感器，您可能會(huì)錯(cuò)誤地認(rèn)為 PNP 晶體管是由正電壓控制的。當(dāng)然，事情并非如此 - 事實(shí)上恰恰相反 - 因?yàn)镻NP和NPN傳感器名稱與內(nèi)部使用的晶體管類型（或更復(fù)雜的設(shè)備的等效物 -有些甚至
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導(dǎo)體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎(chǔ)之外，光電晶體管的功能也是類似的。一個(gè)光敏晶體管被描述為一個(gè)去掉基極端子的 BJT，箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導(dǎo)率?！ ■捠綀鲂?yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D，因?yàn)榫哂械谌S度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
，是另一種固態(tài)三端設(shè)備，可用于柵極脈沖、定時(shí)電路和觸發(fā)發(fā)生器，用于交流功率控制型應(yīng)用中開關(guān)和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣，單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的 p 型和 n 型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的，在器件的主導(dǎo) n
2022-04-26 14:43:33
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
。這表示面包板上左右兩側(cè)對應(yīng)位置的走線距離必須完全一致，才能達(dá)到最好效果。 如圖： 再來一張實(shí)物圖： 下面的大面包板是“靜態(tài)存儲(chǔ)單元”，由晶體管Q1~4組成，上面的小面包板是“寫控制電路”，由晶體管Q5
2017-01-08 12:11:06
場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
`場效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
場效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2018-11-05 17:16:04
場效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
的影響?！娟P(guān)鍵詞】：光子晶體光纖;;非線性特性;;啁啾皮秒脈沖;;光脈沖壓縮;;超短光脈沖【DOI】：CNKI:SUN:DZJS.0.2010-03-028【正文快照】：0引言高質(zhì)量的光脈沖壓縮技術(shù)是現(xiàn)代高速大容量
2010-05-28 13:38:25
，導(dǎo)致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉?！ 〗?cái)鄥^(qū)域特征如下所示： 圖3.截?cái)鄥^(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關(guān)
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級(jí)別），當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在
晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速從基極抽取電子（因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級(jí)側(cè)電流ILr由次級(jí)側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會(huì)傳遞到輸出端，而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實(shí)現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)
2016-01-26 16:52:08
柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
這次來展示一下簡單的讓矩形鍵盤控制晶體管的代碼以51單片機(jī)為例#include#include#includetypedef unsigned char u8;typedef unsigned int u16;#define jianpan P1#define jingtiguan P...
2022-01-07 07:18:04
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
`如圖所示，使用STM32輸出通過光耦驅(qū)動(dòng)晶體管陣列MC1413(同ULN2003)，但是輸出端測不到，求指教電路是否合適，謝謝。順便貼上MC1413的電氣特性。`
2019-03-18 09:56:56
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
。還是回到這篇文章的主題，晶體管的使用心得。由于本人所從事行業(yè)的限制，基本沒有機(jī)會(huì)像《晶體管電路設(shè)計(jì)》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路，而更多的是使用晶體管來實(shí)現(xiàn)功率負(fù)載的控制，還有配合運(yùn)放或者其它
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
可折疊的防水晶體管是由哪些部分組成的？什么是生物傳感器（biosensor）？生物傳感器具有哪些功能？防水晶體管在生物傳感器中的應(yīng)用是什么？
2021-06-17 07:44:18
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論