高通驍龍835詳細(xì)情況曝光

　　2016年高通的驍龍820處理器一掃驍龍810不受歡迎的沉迷，成為各大手機(jī)廠商的旗艦機(jī)必備，還重新贏回了大客戶三星的信賴。去年11月份高通又宣布了新一代的旗艦——驍龍835，制程工藝升級到10nm。即將開幕的CES展會上，高通將正式發(fā)布驍龍835處理器，現(xiàn)在它的詳細(xì)規(guī)格已經(jīng)被泄露了，CPU將升級到自研的Kyro 280架構(gòu)，4大4小，日常性能提升20%，而功耗則降低了50%。

　　高通之前雖然公開了驍龍835處理器，不過相關(guān)的信息非常少，大家對它的具體規(guī)格、架構(gòu)還不了解，CES展會上才會公布細(xì)節(jié)，只是神通廣大的Videocardz網(wǎng)站總是能提前拿到廠商的PPT，曝光了驍龍835處理器的秘密，我們來看下。

升級10納米工藝

　　驍龍835最大的亮點(diǎn)之一就是升級10nm工藝，相比驍龍820使用的三星14nm LPP工藝，未來的10nm工藝核心面積更小、功耗更低，這有助于廠商降低成本，提高續(xù)航。

驍龍835處理器架構(gòu)

　　驍龍835處理器內(nèi)的CPU、GPU、ISP、LTE基帶等單元都有升級，CPU將從目前的Kyro 200升級到Kyro 280，GPU從Adreno 530升級到Adreno 540，ISP升級到Spectra 180，DSP也會從Hexagon 680升級到Hexagon 690，基帶從X12 LTE升級到X16 LTE。

CPU性能提升，功耗降低

　　驍龍820處理器是自研4核架構(gòu)，驍龍835的CPU核心一直沒有確認(rèn)，不過從高通的PPT來看，驍龍835不僅會升級到Kyro 280架構(gòu)，也會回歸8核，配備4大4小核心，大核頻率2.45GHz(跟驍龍821一樣)，2MB L2緩存，號稱CPU性能在APP載入、VR及網(wǎng)絡(luò)瀏覽等應(yīng)用中提升20%。

　　小核頻率1.9GHz，1MB L2緩存，這里要注意了，日常使用中80%的時(shí)間都是在用小核心——別再說聯(lián)發(fā)科的10核是擺設(shè)了，多核心(>4核)的CPU處理器都是這個(gè)套路，基本上只有在跑分或者游戲中才會做10秒真男人，然后降頻鎖核。

　　10nm工藝帶來的另一個(gè)好處就是能耗更低，不過高通在PPT宣傳上比較雞賊，他們公布的對比并不是跟驍龍820比，而是跟28nm工藝的驍龍801相比——功耗降低了50%。如果跟驍龍820對比，從圖上看，功耗降低了也就20%左右。

　　其他功能方面，基帶升級帶X16 LTE，根據(jù)之前的資料，X16基帶支持4x20載波，上下行分別支持Cat13、Cat16，速度最高可達(dá)1Gbps，是首款商業(yè)級千兆LTE調(diào)制解調(diào)器。此外，驍龍835的GPU還將支持DX12、Vulkan、OpenGL ES等規(guī)范，DPU將支持10bit 4K顯示、VPU將支持4K HEVC 10bit解碼等等。