狠甩SK海力士、美光！三星 10納米DRAM 量產(chǎn)，記憶體脫離20納米世代

　　相較于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導(dǎo)入量產(chǎn)，加速 20 納米製程轉(zhuǎn)換，在 2016 年才要進(jìn)入 18/16 納米製程競賽的同時，早已搶先導(dǎo)入 20 奈米的叁星，現(xiàn)在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產(chǎn)的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。

　　叁星在 5 日宣布量產(chǎn) 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM，搶先 DRAM 大廠推出 10 奈米製程產(chǎn)品。叁星指出，新的 10 奈米 8Gb DDR4 資料傳輸率可達(dá) 3，200 Mbps，較上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%；并較 20 奈米相同產(chǎn)品省下 10~20% 的電力，這對于高效能運(yùn)算（HPC）、資料中心或大型企業(yè)網(wǎng)絡(luò)而言，有一定的吸引力，除了 PC 以外，叁星加速搶攻 IT 設(shè)備市場的企圖明顯，10 奈米產(chǎn)品線涵蓋 4GB PC 模組，到 128 GB 企業(yè)用伺服器，預(yù)估年底將大量供貨。而叁星也預(yù)告，今年稍晚將會推出 10 奈米製程 mobile DRAM，進(jìn)入 ultra-HD 智慧手機(jī)時代。

　　當(dāng)製程轉(zhuǎn)進(jìn) 10 奈米，微縮更加不易，不過，叁星這次還是用 ArF 浸潤式微影技術(shù)，還未用到被視為 10 奈米以下製程微縮關(guān)鍵的極紫外光（EUV）微影技術(shù)。不同于 NAND Flash，DRAM 一個記憶胞（cell）就有一個電晶體與電容，當(dāng)製程下到 10 奈米，線寬狹小到難以直接將電容堆疊于上頭，叁星利用四重曝光（quadruple patterning technology，QPT）技術(shù)，來改變 10 奈米記憶胞結(jié)構(gòu)，讓電晶體與電容足以有空間做連結(jié)。

　　DRAM 製程轉(zhuǎn)進(jìn)為什么變得緩慢？

　　電容問題，成為 DRAM 轉(zhuǎn)進(jìn) 10 奈米以下製程的技術(shù)難點(diǎn)，另一方面，記憶體大廠在先前 DRAM 大崩盤下咬牙苦撐下來，卻仍舊面臨市況持續(xù)不佳的景況，近幾年製程的提升逐漸變得緩慢，也大幅降低投資的比重，當(dāng)邏輯製程已來到 14/16 奈米，記憶體製程才在 20 奈米，逐步要踏進(jìn) 18/16 奈米而已，但對橫跨記憶體與晶圓代工的叁星而言，即擁有掌握記憶體市場技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)的本錢。

　　叁星與臺積電、英特爾之間的邏輯製程競賽，已進(jìn)入 10 奈米以下製程爭戰(zhàn)，由于記憶體製程較邏輯製程容易，臺積電、叁星通常都以 SRAM、DRAM 來練兵，製程的轉(zhuǎn)進(jìn)先從記憶體下手，當(dāng)良率提升到一定程度再導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品。

　　叁星在 2015 年 11 月中即發(fā)表 10 奈米 FinFET SRAM，叁星在製程技術(shù)即領(lǐng)先記憶體群雄，現(xiàn)在 DRAM 製程一舉轉(zhuǎn)進(jìn) 10 奈米，藉此狠甩對手的意圖不言可喻。

　　臺積電在去年 12 月底，于供應(yīng)鏈管理論壇也透露，早已成功以 7 奈米製程產(chǎn)出 SRAM，而且預(yù)告供應(yīng)鏈伙伴可開始準(zhǔn)備 5 奈米，接下來邏輯製程競賽同樣可期，依臺積電與叁星先前說法，10 奈米製程量產(chǎn)約在 2016 年底，英特爾第一顆 10 奈米 CPU 則延至 2017 年下半。不只記憶體製程競賽出現(xiàn)大變化，邏輯製程競賽同樣可期。