0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠實現(xiàn)機械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
51單片機外部ram和rom能同時接64k嗎，一般都是rom64kram32k，請問同時試用控制線怎么接
2023-11-09 07:44:11
64794C 64K跟蹤深度仿真總線分析儀，128 KB
2019-01-21 17:13:52
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時BCD格式的世紀、年、月
2020-09-16 17:17:42
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網(wǎng)絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
CH563Q的內(nèi)部ram為32K還是64K？空白CH563Q芯片能否通過以太網(wǎng)接口下載程序？如果可以該如何操作
2022-06-10 06:37:03
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業(yè)領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
頁。我還想把操作數(shù)據(jù)存儲在Flash中。據(jù)我所知，我有兩個主要障礙：1。DRVYNVMMIATAYL大小目前只有64K。我相信這個塊是為Web的東西保留的。因此，如果我想把我的操作數(shù)據(jù)存儲在閃存范圍的末尾
2019-09-27 06:53:35
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
LPC1768 MCUXpresso IDE環(huán)境下如何使用完整64K內(nèi)存？
2022-02-10 06:07:48
MCS51單片機系統(tǒng)中RAM空間超64K的擴展電路分析
2021-03-26 07:31:33
我們的 RAM (64k) 不足，現(xiàn)在當我將一些操作系統(tǒng)任務堆棧移動到系統(tǒng) Ram (384K) 時，它會影響系統(tǒng)的性能。請讓我知道如何進行。為系統(tǒng) Ram 啟用數(shù)據(jù)緩存會有幫助嗎？如果是這樣，請告訴我該怎么做？
2023-04-20 09:27:20
的真值。出于某種原因，位于GPIO49∶46的地址位的上部似乎不反映地址。地址環(huán)繞每4K的數(shù)據(jù)。有什么想法嗎？有類似的例子嗎？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I am trying to write
2019-07-03 08:04:26
大家好：關于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問題要問：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應該設置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設置為0x02
2018-09-26 10:01:35
STC8A8K64S4A12的命名規(guī)則STC8 -- STC8系列A -- 子系列中的A子系列8K -- 片內(nèi)SRAM為8K字節(jié)64 -- 片內(nèi)FLASH為64K字節(jié)S4 -- 4個串口
2022-02-18 07:32:53
大佬我的TOTAL memory 怎么不夠用啊，明明64K 的單片機，F(xiàn)REE出來的也只有14K左右
2022-04-14 09:49:57
完整的做好了一個程序，結果編譯時報內(nèi)存超出（const） 在網(wǎng)上搜索了一遍，網(wǎng)友說是keil限制了const 和 code 加起來不能超過64K的空間然后在工程中屏蔽了一些代碼，使它少于了64K
2018-08-07 15:20:12
本帖最后由 楊樹榕樹 于 2013-12-31 11:56 編輯
笙泉MA82G5A64，64K Flash，5376B Sram，雙串口，多種內(nèi)置工業(yè)級晶振常溫1%誤差，6個PWM，12位
2013-12-30 09:30:30
按照地址分配，64K圖一用size等于0x10000? 計算轉化所得0X10000=65536=2^16，也就是17個二進制位（bit）才對呀可是flash為64K,64K=65536個字節(jié)，一個字節(jié)=8個bit，應該是65536*8個bit(二進制位)才對。
2021-02-27 14:34:02
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
早上好，來自西班牙的每個人，這里是一個棘手的問題，我需要填補（幾乎）8Mbit RAM（1Mx8）與傳入的ADC數(shù)據(jù)，然后處理它。當我正在讀DMA規(guī)范時，似乎有64K的頁面限制，即當較低的16比特從
2019-08-02 07:49:48
我應該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我定義了一個64K字節(jié)的數(shù)組，如果把數(shù)組定義成Const常量，編輯之后運行都正常。
但如果把數(shù)組定義成變量數(shù)組，可以編譯（占的空間比較大：Program Size: Code=8776
2023-06-13 08:36:12
嗨，沒有任何一個有如“代碼銀行“我FX2（高達16K的代碼/數(shù)據(jù)）和閃光（24LC64）64 kb的我如何能使用的最大閃光64K？帕斯卡 以上來自于百度翻譯 以下為原文 Hi, Does any
2019-03-01 06:22:12
任何人都可以幫助我面對像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問題嗎？即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
哪位哥們用個64K 8位、3.3v供電的RAM 幫提供兩個型號唄！
2019-01-14 06:36:13
，我沒有在微控制器中提供SRAM。在空隙應用開始（空隙）開始時，可用的SRAM接近32 K字節(jié)。所以我有三個問題：1）“192K字節(jié)SRAM包括64K字節(jié)的CCM數(shù)據(jù)RAM”是否意味著最大SRAM
2019-01-02 16:33:26
STM32F4中的192K SRAM與64K DATA RAM有何不同？
2018-08-27 09:27:43
區(qū)SRAM部分分為高64K程序區(qū)，其中的RAM區(qū)為0x3F8000~0x3FC000（L0~L3）；和低64K數(shù)據(jù)區(qū)，其中的RAM區(qū)為0x008000~0x00C000（L0~L3）。我想咨詢的是上述高低64K的L0~L3是公用的還是單獨的？DMA部分的RAM（L4~L7）算在34K范圍內(nèi)嗎？謝謝！
2018-08-22 10:19:01
在document/arm64/memory.txt下只看到了對于4K以及64K頁表的描述，也確實調(diào)通了64K，但是16K沒有調(diào)通；請問各位大神，linux 4.14.y是否支持ARM64架構16K頁表功能，謝謝。
2022-09-29 14:47:59
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS3600 安全監(jiān)控電路，帶有64B電池備份、加密SRAM
DS3600是具有64B加密SRAM的安全監(jiān)控電路，為需要加密存儲的應用設計，包括POS終端等。DS3600支持最高級別的
2009-03-31 09:55:42
597 DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261255 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《達拉斯DS1225Y FRAM適配器開源.zip》資料免費下載
2023-06-09 14:24:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-150IND+相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AD-150IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AD-150IND+真值表，DS1225AD-150IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:36:56
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AB-200+相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AB-200+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AB-200+真值表，DS1225AB-200+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:44:23
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-85+相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AD-85+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AD-85+真值表，DS1225AD-85+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:44:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-150+相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AD-150+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AD-150+真值表，DS1225AD-150+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:45:00
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2023-07-31 18:45:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-70IND+相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AD-70IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AD-70IND+真值表，DS1225AD-70IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:45:43
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2023-07-31 18:47:50
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