本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外,還通過舉例說明二極管
2018-01-31 09:07:3866856 總線寫一個地址信息),由寄存器(也可能是程序存儲器,也可能是數(shù)據(jù)存儲器)根據(jù)這個地址,把微處理器要讀取的數(shù)據(jù)寫到總線上,微處理器再讀取這個數(shù) 據(jù)。整個過程由控制總線控制。所以每次讀的數(shù)據(jù)是針對那個地址
2016-09-28 16:13:22
匯編語言程序目錄一、CPU對存儲器的讀寫二、內(nèi)存地址空間三、將各類存儲器看作一個邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機(jī)為例一、CPU對存儲器的讀寫CPU想要進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫
2021-12-10 08:04:16
舉例說明FPGA作為協(xié)處理器在實時系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用?FPGA用于協(xié)處理器有什么結(jié)構(gòu)特點和設(shè)計原則?
2021-04-08 06:48:20
硬磁材料、環(huán)狀元件(4)光盤存儲器激光、磁光材料2.按存取方式分類(1)存取時間與物理地址無關(guān)(隨機(jī)訪問)隨機(jī)存儲器在程序的執(zhí)行過程中 可讀可寫只讀存儲器 在程序的執(zhí)行過程中 只讀(2)存取時間與物理地址有關(guān)(串行訪問)順序存取存儲器磁帶直
2021-07-29 07:40:10
存儲器包括寄存器,只針對單片機(jī)而言嗎?對于別的比如計算機(jī)就不是了,對嗎?存儲器是CPU外的,寄存器是CPU的
2019-01-14 16:52:13
設(shè)存儲器讀/寫周期為 0.5us, CPU在1us內(nèi)至少要訪問一次。試問采用哪種刷新方式比較合理? 兩次刷新的最大時間間隔是多少? 對全部存儲單元刷新遍所需的實際刷新時間是多少?
2021-10-26 07:05:19
不是CPU通過總線和存儲器連接就可以控制存儲中數(shù)據(jù)的寫出和讀入了嗎?
2013-03-10 14:23:39
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲器映射存儲器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片廠商或用戶分配,給存儲器分配地址的過程就稱為存儲器映射,具體見圖 5-5。如果給存儲器再分配一個地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲器映射是什么意思?其映射過程是怎樣的?
2022-01-21 07:39:51
存儲器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片廠商或用戶分配,給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射,如果再分配一個地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間,平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
存儲器存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展,CPU的速度變化迅速,但存儲器的速度增加得較慢。這使得計算機(jī)的速度在很大程度上受限于存儲器速度。為了解決這個問題,設(shè)計了
2022-01-19 06:35:54
存儲器是用來做什么的?系統(tǒng)總線是什么?有何功能?CPU中央處理器是什么?有何功能?
2022-01-21 07:24:39
**第一至第三章**Q1. 若存儲器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位,存取周期為200ns,則存儲器的帶寬是多少?存儲器的帶寬指單位時間內(nèi)從存儲器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
快,可以將編碼的任務(wù)交與存儲器的存儲控制器,以節(jié)約CPU的算力。其中,可以在針對第一存儲體的多個訪問到達(dá)裝置的存儲控制器時,通過存儲控制器進(jìn)行編碼操作,即以針對第一存儲體的多個訪問到達(dá)存儲控制器作為第一操作
2019-11-15 15:44:06
存儲器可劃分為哪幾類?存儲器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的?
2021-09-16 07:12:10
;◆為超過單字轉(zhuǎn)移指令范圍的跳轉(zhuǎn)提供空間來保存常量。昌暉儀表yunrun.com.cnARM中的重映射是指在程序執(zhí)行過程中通過寫某個功能寄存器位操作達(dá)到重新分配其存儲器地址空間的映射。一個典型
2018-06-10 00:47:17
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了????AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明,各位高手有誰知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
ATmega168 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀/寫訪問的步驟
2020-11-16 06:50:11
摘要:介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理,詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較,分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
DMA直接存儲器訪問過程是怎樣的?
2022-02-15 06:21:47
具體應(yīng)用情況:5509A DSP 的CE1空間外接了一個異步存儲器(FIFO),由DSP提供的異步讀時鐘 ARE 的頻率是怎么控制的呢?是主頻/(建立時間+選通時間+保持時間)嗎?當(dāng)然這三個時間可由
2015-01-13 20:33:46
問題一:位圖都存儲在哪了?都在程序存儲器里嗎問題二:能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中?問題三:F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大?
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器分為哪幾類?Flash存儲器有什么特點?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
。手動的高速緩存一致性操作(例如全局或模塊回寫和/或無效)占用較少的周期即可完成,這就意味著在為共享存儲器判優(yōu)的過程中,實現(xiàn)CorePac 之間或 CorePac 與 DMA 主系統(tǒng)的同步將需要更短
2011-08-13 15:45:42
M24C08只讀存儲器介紹
2021-03-24 07:31:49
有效(為低電平),經(jīng)過存取時間(tREA)后,I/O引腳上的數(shù)據(jù)得到確定,在/RE的上升階段,內(nèi)部地址計數(shù)器只向前移動一位。這樣,單一的讀操作就可以讀出連續(xù)地址的存儲器內(nèi)容。▲ CLE(Command
2018-04-11 10:10:52
塊擦除(叫塊擦除更準(zhǔn)確吧,原文是BLOCK),舉例說明:比如你用的FLASH的BLOCK是512個字節(jié)(不同的FLASH大小不同),那么只有擦除過(所有位寫“1”)的BLOCK才能重新寫入,意思就是只能從“1”寫到“0”,如果要從“0”改到“1”必須整塊擦...
2021-11-24 08:12:26
MiniLoaderAll.bin并切換存儲器;另一種是Firefly為了方便大家燒寫,提供的一種參考燒寫方法,該方法操作上無需要切換存儲器,也可以使用Linux端的燒寫工具upgrade_tool進(jìn)行燒寫方法一
2022-04-26 17:58:43
有效、連續(xù)傳送多字節(jié)的數(shù)據(jù),可以一次最多進(jìn)行 64 字節(jié)(1 頁大?。┑臄?shù)據(jù)替換。狀態(tài)寄存器的讀/寫操作除了不必賦予地址外,其他與存儲器的讀/寫操作相同。當(dāng)狀態(tài)寄存器連續(xù)進(jìn)行讀操作時,將一個個讀出
2018-04-18 10:34:47
時被選擇的。將存儲器芯片的讀/寫信號設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時輸出?! ?.各份電源的切換,電池各份的重點將會在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見,只單純獲取vcc和電池(為
2020-12-10 16:44:18
的讀和寫端口,設(shè)計里在每個數(shù)據(jù)引腳上以雙倍數(shù)據(jù)速率各自獨立地工作,因此能在一個時鐘周期中傳輸4個數(shù)據(jù)字,因此4倍數(shù)據(jù)速率而得名。設(shè)計上采用分離的讀/寫端口從根本尚消除了SRAM與存儲控制器之間對總線爭用
2017-06-02 10:45:40
大家好,之前玩過51,知道程序存在ROM,數(shù)據(jù)存在RAM,現(xiàn)在接觸STM32,在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊時看到,BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器,手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
程過程中(BSY位為1時),任何讀寫閃存的操作都會使CPU暫停,直到此次閃存編程結(jié)束。 建議使用如下步驟對主存儲塊進(jìn)行編: 1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位,以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的編程操作。2.
2013-10-07 15:55:30
與時鐘概述3.2.6.STM32的時鐘框圖詳解第二部分、章節(jié)介紹3.2.1.STM32的存儲器映像 本節(jié)講述STM32的存儲器映像,涉及到了內(nèi)存與IO統(tǒng)一編址、地址總線和尋址空間的知識。繼續(xù)講解存儲器映射表,后面寫代碼時會需要用到這張表的內(nèi)容,請大家多注意細(xì)節(jié)。3.2...
2021-08-20 06:06:01
題目是一個停車場計時系統(tǒng),用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號,通過刷卡產(chǎn)生脈沖,經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號,用來讀取存儲器中對應(yīng)車的狀態(tài)(在不在車庫內(nèi)),再將
2016-07-23 00:01:59
什么是存儲器映射?是怎么一個運作過程?stm32的總體架構(gòu)是由哪些部分組成的?
2022-01-21 06:09:45
什么是EEPROM存儲器?
2021-11-01 07:24:44
。在此我們討論存儲器讀寫指令在Superscalar與OOO環(huán)境下的執(zhí)行過程。存儲器讀寫指令的執(zhí)行過程似乎非常簡單。即使是只寫過幾行匯編代碼的程序員亦可對此娓娓道來。許多人認(rèn)為存儲器讀不過是將數(shù)據(jù)從
2022-09-01 16:05:59
中寫入數(shù)據(jù)或要從存儲器中讀出數(shù)據(jù)再讓開關(guān)切換到相應(yīng)的位置就行了這組開關(guān) 由三根引線選擇讀控制端寫控制端和片選端要將數(shù)據(jù)寫入先由控制器選中該片然后發(fā)出相應(yīng)的寫信號開關(guān)切換到相應(yīng)的位置并將傳過來的數(shù)據(jù)電荷
2012-03-07 15:38:33
單元的通路,稱為位線。每一個存儲單元都能通過選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲器的讀操作分析。 圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲單元讀操作分析存儲單元的讀操作是指被
2020-04-29 17:27:30
后,不直接接到各單元去,中間再加一組開關(guān)(參考圖4 )就行了。平時我們讓開關(guān)關(guān)閉著,如果確實是要向這個存儲器中寫入數(shù)據(jù),或要從存儲器中讀出數(shù)據(jù),再讓開關(guān)接通就行了。這組開關(guān)由三根引線選擇:讀控制端、寫
2017-03-25 10:22:51
單片機(jī)如何寫一段宏來控制外部存儲器的訪問?
2021-10-29 06:24:53
好幾步完成,這幾步匯編指令是需要保護(hù)才能保證數(shù)據(jù)安全的,否則讀的時候可能出現(xiàn)一半的數(shù)據(jù)是修改的,一般的數(shù)據(jù)是未修改的情況,因此此類不合適以上是我的個人理解,大家有什么看法呢?理解不對之處歡迎大家討論,最好能舉例說明,萬分感謝!同時,我還在思考針對多核多進(jìn)程的情況,是否有所不同,歡迎大家討論
2023-02-01 15:42:35
描述用 Arduino 設(shè)計我自己的 EEPROM 外部存儲器 PROGRAMMER / RECORDER | 24LC256讀/寫
2022-07-26 06:59:44
。 根據(jù)存儲器速率和用戶設(shè)置,CAS和寫延遲都是可變的。從讀請求轉(zhuǎn)換為寫請求需要額外的延遲時間,因為雙向的數(shù)據(jù)總線必須改變傳輸方向。 針對視頻處理的IP核實現(xiàn)為了使存儲器數(shù)據(jù)帶寬和效率最大化,針對
2019-05-27 05:00:02
中,用戶可以根據(jù)不同的設(shè)計需求來使用。FIFO的基本單元是寄存器,作為存儲器件,它的存儲能力可由內(nèi)部定義的存儲寄存器的數(shù)量決定,一般以數(shù)據(jù)量的深度X為寬度形式來說明所采用的基本結(jié)構(gòu),它通常是雙端口
2018-12-07 10:27:46
外部數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展一、實驗?zāi)康亩?、實驗?nèi)容三、實驗步驟四、C代碼如下五、實驗結(jié)果六、實驗體會一、實驗?zāi)康恼莆諉纹瑱C(jī)系統(tǒng)外部存儲器電路的擴(kuò)展方法掌握單片機(jī)外部存儲器中變量定義和讀/寫編程熟悉在仿真
2021-12-07 11:24:17
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口?
2021-05-06 07:23:59
CPU之間怎么進(jìn)行通信?FIFO的工作原理是什么?如何利用多端口存儲器設(shè)計多機(jī)系統(tǒng)?
2021-05-26 07:04:50
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器,因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣,才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計呢?
2019-08-02 06:49:22
將新的比特流圖像寫入SPI附加存儲器的過程是什么。理想情況下,圖像不應(yīng)位于@ 0x0000000并且正在替換圖像。我在U470中看到提到配置存儲器讀取過程是否存在配置存儲器寫入過程?該文件涉及FAR
2020-06-01 13:57:36
的安全性,又可保證非安全區(qū)存儲器的實際擦寫次數(shù)大于100億次,從而延長鐵電存儲器的實際使用壽命。鐵電存儲器的特殊性在于每一次的讀操作都會破壞原有的數(shù)據(jù),因此必須在完成讀操作后再執(zhí)行一個回寫過程,這樣,每
2019-04-28 09:57:17
影響存儲器訪問性能的因素有哪些?DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同?
2021-04-19 08:32:10
您好,我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM(非易失性存儲器)。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀,但是現(xiàn)在我面臨的問題是,我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝,問候,
2019-09-18 10:31:51
開關(guān)電路,搭建存儲器編程開發(fā)環(huán)境,讀寫國產(chǎn)Lyontek的SRAM芯片:LY62L5128。國產(chǎn)的存儲器好像比較少,支持一下。 一,LY62L5128 CMOS SRAM 靜態(tài)存儲器(SRAM)是由
2016-08-30 04:32:10
存儲器可分為哪幾類?存儲器有哪些特點?存儲器有哪些功能?
2021-10-20 06:46:21
我使用 ESP-01 和 ESP-12 創(chuàng)建了一些 Hue 燈。這些燈可使用 ESP 網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器上的網(wǎng)頁進(jìn)行配置。但ESP-01版本功能較少(無硬件開關(guān))。所以我想在網(wǎng)頁上禁用這個選項。因此,我應(yīng)該首先檢查代碼是否在 ESP-01 上運行。
有沒有人舉例說明如何檢查代碼是否在 ESP-01 上運行?
2023-05-16 07:43:23
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助:數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜,在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么,求解答。單片機(jī)存儲電路里的數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
在用DM642處理圖像數(shù)據(jù)過程中,攝像頭采集回來數(shù)據(jù)后是先存入ddr存儲器,然后cpu從ddr中提取數(shù)據(jù)在進(jìn)行處理,在進(jìn)行輸出,是這個過程嗎?
2015-11-29 15:20:55
看看存儲器大小和帶寬要求: (i) 大小要求: 盡管這里沒有涉及到時間處理,為了避免一個源的兩幀被分開儲存,這樣當(dāng)一幀正在寫時,另一個幀可能要讀回來。兩幀圖像的大小是((1920 * 1080
2011-07-15 09:18:00
穩(wěn)定,不會出現(xiàn)FLASH 存儲器的“Data-tearing”現(xiàn)象。? 耐久性強(qiáng)(讀/寫次數(shù))-FRAM的讀/寫周期數(shù)為一百萬億次(10E15) ,而通常的FLASH/ EEPROM 只有一百萬
2019-06-12 05:00:08
很高興看到現(xiàn)在我們可以在 TIME.SETUP() 中指定 NTP 服務(wù)器!
我搜索了文檔,但我認(rèn)為它還沒有實現(xiàn)。
然后我在源代碼中看到這個函數(shù)最多可以有 3 個參數(shù)。但是如果我在我的國家使用一個 NTP 服務(wù)器,時間會是正確的,我不需要使用其他選項,或者我也必須使用?
請舉例說明此功能的所有可能性?
2023-04-26 08:38:25
隨著CPU速度的迅速提高,CPU與片外存儲器的速度差異越來越大,匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中的片上存儲器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache、數(shù)據(jù)Cache或者片上存儲器。
2019-11-11 07:03:58
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件?對FLASH存儲器進(jìn)行燒寫有哪些步驟?怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)?
2021-04-27 07:13:39
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗,如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間,大約要用2200uA的功耗去做寫的功能,但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
實現(xiàn)讀/寫操作。然而,由于本固態(tài)存儲器是由四塊芯片組成,有兩組IC總線,讀/寫操作時除了按照單芯片存取數(shù)據(jù)的步驟外還必須明確:目標(biāo)芯片是哪一塊,通過哪一組總線進(jìn)行通信等。因此算法較為復(fù)雜些。為解決這一
2014-02-14 11:48:21
,中心原子保持不動,存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新,掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存,速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上,并置
2011-11-19 11:53:09
,中心原子保持不動,存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新,掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存,速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上,并置
2011-11-21 10:49:57
的單元都是并聯(lián)的。NOR閃速存儲器以讀取速度 100ns的高速在隨機(jī)存取中受到人們的青睞。但由于其單元尺寸大于NAND閃速存儲器,存在著難以進(jìn)行高度集成的問題。寫人時采用CHE(Channel
2018-04-09 09:29:07
記憶。同時,因為熱能必定致使電荷以某概率發(fā)生消減,因此數(shù)據(jù)保存的時間將受到溫度的影響。下面,我們將進(jìn)一步討論閃速存儲器的擦除與寫人的原理。我們知道,數(shù)據(jù)的寫人與擦除是通過主板與控制柵之間電荷的注人
2018-04-10 10:52:59
TCL CPU M05V3(24C02)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-18 18:34:4743 TCL CPU M05V4(24C08)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-18 18:35:4751 TCL CPU M06V3(24C04)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-18 18:36:3068 鎖相環(huán)設(shè)計舉例:鎖相環(huán)設(shè)計主要包括:確定所需環(huán)的類型,選擇適當(dāng)?shù)膸?,指出希望的穩(wěn)定度。下面將舉例說明要滿足這些設(shè)計要求而常用的基本方法。
2009-09-05 08:51:42101 簡述了電子加工制造的過程控制及改進(jìn)的八個步驟、定義及其相互關(guān)系,并結(jié)合實際生產(chǎn)過程進(jìn)行舉例說明。
2011-10-11 15:01:130 S7 400CPU的存儲區(qū)可以劃分為三個區(qū)域:系統(tǒng)存儲器、工作存儲器、裝載存儲器。 系統(tǒng)存儲器(System Memory) 用于存放輸入輸出過程映像區(qū)(PlI,PIQ )、位存儲器(M)。定時器
2017-09-29 15:46:177 系統(tǒng)存儲器/ 用于存放輸入輸出過程映像區(qū)(PIl,PIQ )、位存儲器(M)、定時器(T) 和計數(shù)器(C))、\ 塊堆棧和中1斷堆棧以及臨時存儲器( 本地數(shù)據(jù)堆棧)。 工作存儲器:作存儲器僅包含
2017-09-29 15:53:405 本文介紹了開環(huán)控制系統(tǒng)與閉環(huán)控制系統(tǒng)以及手動控制系統(tǒng)和自動控制系統(tǒng),并舉例說明。
2017-10-15 10:41:4218 。區(qū)別:FLASH:只能塊擦除(叫塊擦除更準(zhǔn)確吧,原文是BLOCK),舉例說明:比如你用的FLASH的BLOCK是512個字節(jié)(不同的FLASH大小不同),那么只有擦除過(所有位寫“1”)的BLOCK才能重新寫入,意思就是只能從“1”寫到“0”,如果要從“0”改到“1”必須整塊擦...
2021-11-16 13:06:0113 Cache存儲器也被稱為高速緩沖存儲器,位于CPU和主存儲器之間。之所以在CPU和主存之間要加cache是因為現(xiàn)代的CPU頻率大大提高,內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)跟不上CPU訪存的速度。在2001 – 2005
2023-03-21 14:34:53755 cpu寄存器和存儲器的區(qū)別 寄存器存在于CPU中,速度很快,數(shù)目有限;存儲器是內(nèi)存,速度稍慢,但數(shù)量很大。寄存器的功能是存儲二進(jìn)制代碼,是由具有存儲功能的觸發(fā)器組合起來構(gòu)成的。一個觸發(fā)器可以存儲
2023-03-21 15:12:16866 ARM指令的尋址方式有幾種?試分別舉例說明? ARM指令集的尋址方式有基址尋址、立即尋址、寄存器尋址、寄存器間接尋址、寄存器相對尋址、相對基址尋址等多種方式。下面將逐一詳細(xì)介紹這些尋址方式,并舉例說明
2024-01-29 18:10:47388
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