DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示,第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9%,而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示,第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長(zhǎng),但芯片價(jià)格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005149 據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組,其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起,實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004052 存儲(chǔ)供應(yīng)緊俏,業(yè)者獲利直線上沖,口袋賺飽。外資警告,廠商砸錢增產(chǎn),DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會(huì)在今年年中觸頂。
2017-02-09 07:11:191092 使用的熟練情況,直接關(guān)系到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)劣。本文試著用比較通俗系統(tǒng)的圖片和文字來(lái)解說(shuō),DRAM中一個(gè)基本電路單元的工作原理。
2023-09-25 11:38:421911 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 2月份DRAM與NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲,DRAM上漲最主要的動(dòng)力來(lái)自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
2020-03-10 10:39:541182 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上,除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 設(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。軟件支持 當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化
2012-08-15 17:11:45
在本文中,我們將介紹一種新型的非易失性DRAM,以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件,但并非沒有缺陷。在本文中,我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
[ZZ]EEPROM和FLASH,NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
1、NAND Flash 和 NOR Flash區(qū)別2、串行通信的優(yōu)點(diǎn)3、三、五級(jí)流水線4、LDMIA R0! , {R1-R4}的尋址方式5、大小端存儲(chǔ)6、合法立即數(shù)7、STMDB R10
2021-07-16 07:23:16
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
在介紹具體如何寫Nand Flash驅(qū)動(dòng)之前,我們先要了解,大概的,整個(gè)系統(tǒng),和Nand Flash相關(guān)的部分的驅(qū)動(dòng)工作流程,這樣,對(duì)于后面的驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn),才能更加清楚機(jī)制,才更容易實(shí)現(xiàn),否則就是,即使
2018-07-17 15:00:00
親愛的FPGA專家,美好的一天!有人可以告訴我BRAM,DRAM和DMA之間的區(qū)別嗎?在什么特定情況下,每個(gè)適合使用?我們正在使用xilinx zedboard設(shè)備。非常感謝你。最好的祝福,格倫以上
2019-04-29 10:24:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
方式邊界對(duì)齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器 SRAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器 DRAM四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
本帖最后由 Mr_RMS 于 2018-3-12 10:34 編輯
nor flash啟動(dòng)與nand flash啟動(dòng)的區(qū)別1)接口區(qū)別:NOR FLASH地址線和數(shù)據(jù)線分開,來(lái)了地址和控制信號(hào)
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。內(nèi)存工作原理:內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的“動(dòng)態(tài)”,指的是當(dāng)我
2015-11-04 10:09:56
Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同,可以分為哪幾種?Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別?SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里?
2021-06-18 08:46:32
主控剛剛啟動(dòng),但是很快電量不夠,NAND Flash內(nèi)的程序會(huì)亂掉,從而無(wú)法正常啟動(dòng)。解決方法可以在程序中加入或者提高電池電量檢測(cè)的閾值,保證所有芯片在這個(gè)閾值上均可以正常工作。DRAM工作狀態(tài)不正常
2022-07-12 16:44:15
串口通訊是什么?RS-232標(biāo)準(zhǔn)有何作用呢?RS-232電平和TTL電平的區(qū)別在哪?USB/TTL轉(zhuǎn)232模塊的工作原理是什么?
2022-02-16 07:38:11
RS-232的標(biāo)準(zhǔn)是什么?RS232電平與TTL電平的區(qū)別是什么?USB/TTL轉(zhuǎn)232模塊的工作原理是什么?
2022-02-18 07:06:31
,這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。內(nèi)存工作原理:內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)
2018-08-09 10:37:07
一般來(lái)說(shuō)DRAM芯片的工作原理,比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
: SRAM處于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器金字塔的最頂端,在速度上,SRAM》DRAM》NAND。因?yàn)镾RAM的操作條件比較簡(jiǎn)單,就是簡(jiǎn)單的MOS管打開,相互fighting或者傳輸值的過(guò)程,用core電壓就可以實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 16:42:13
渲染能力。
內(nèi)存工作原理:內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的\"動(dòng)態(tài)\",指的是當(dāng)我
2023-05-19 15:59:37
變壓器差動(dòng)保護(hù)的工作原理是什么?變壓器差動(dòng)保護(hù)與線路差動(dòng)保護(hù)的區(qū)別在哪?變壓器縱差動(dòng)保護(hù)的特點(diǎn)有哪些?
2021-09-23 09:20:29
`這四種有什么區(qū)別?他們的工作原理分別是什么?求大牛們解答`
2015-07-09 17:47:20
無(wú)刷電機(jī)與有刷電機(jī)工作原理的區(qū)別在哪?無(wú)刷電機(jī)與有刷電機(jī)的性能有何差異?有刷電機(jī)與無(wú)刷電機(jī)調(diào)速方式的區(qū)別是什么?
2021-07-22 07:26:59
有刷電機(jī)與無(wú)刷電機(jī)工作原理是什么?有刷電機(jī)與無(wú)刷電機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)分別是什么?有刷電機(jī)與無(wú)刷電機(jī)的主要區(qū)別在哪?
2021-06-26 07:42:44
三極管的工作原理是什么?有源蜂鳴器和無(wú)源蜂鳴器的區(qū)別有哪些?工作原理是什么?
2021-10-21 08:11:06
步進(jìn)電機(jī)的工作原理是什么?伺服電機(jī)的工作原理是什么?步進(jìn)電機(jī)與伺服電機(jī)有哪些區(qū)別?
2021-09-30 07:56:28
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
電流互感器與一般的電壓變壓器的區(qū)別在什么地方?電流互感器的工作原理是什么?怎么計(jì)算?
2021-06-18 06:16:31
如下圖關(guān)于最常用的PNP三極管驅(qū)動(dòng)mos管,與最常見的電阻與二極管的驅(qū)動(dòng)的工作原理與區(qū)別有沒有大佬幫忙解釋詳細(xì)一點(diǎn)的那種。
2021-03-15 16:28:12
直流電機(jī)和交流電機(jī)的工作原理和區(qū)別是什么?
2021-10-22 06:59:19
有刷電機(jī)與無(wú)刷電機(jī),減速電機(jī)在控制上的區(qū)別是什么?編碼盤的工作原理是什么?如何去使用編碼盤?
2021-07-21 08:13:49
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 14:15 編輯
nand write.e 和nand write.yaffs有什么區(qū)別???
2018-06-22 01:32:05
請(qǐng)問一下,怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram,其實(shí)就是材料的選型,不知道怎么樣找資料,謝謝
2012-04-16 11:28:33
>NAND。因?yàn)镾RAM的操作條件比較簡(jiǎn)單,就是簡(jiǎn)單的MOS管打開,相互fighting或者傳輸值的過(guò)程,用core電壓就可以實(shí)現(xiàn)。而DRAM要產(chǎn)生3v左右的高壓,NAND的操作電壓就更高了。在面積上
2020-06-17 16:26:14
Full HD FIFO DRAM,顧名思義就是應(yīng)用于兩個(gè)主動(dòng)組件之間的影像暫儲(chǔ)存內(nèi)存.當(dāng)Writeenable寫入智能腳位工作啟動(dòng)時(shí),Read-clock 寫入頻率輸入同步啟動(dòng)時(shí),那影像的數(shù)據(jù)
2013-09-24 11:03:14
植物根系圖像分析儀的工作原理【霍爾德WinRHIZO】根系是一株植物全部根總稱。根系有兩類,直根系和須根系之分。直根系(taprootsystem)主根發(fā)達(dá)、明顯,極易與側(cè)根
2021-04-09 08:44:10
nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大,研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè),DRAM 與 NAND 閃存等,未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá) 7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1,099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)) 工作原理 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳
2017-10-13 20:02:4610 日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探,但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下,價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 今天小編和大家討論的兩線制、三線制、四線制,是指各種輸出為模擬直流電流信號(hào)的變送器,其工作原理和結(jié)構(gòu)上的區(qū)別,而并非只指變送器的接線形式。
2018-02-02 15:45:5016501 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流,但DRAM的讀寫速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù);NAND Flash能保存數(shù)據(jù), 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過(guò)于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域(另外還有DRAM),目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122131 本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來(lái)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2018-04-21 08:19:0011965 本文首先介紹了聲卡的概念和基本結(jié)構(gòu),其次介紹了聲卡的組成與其工作原理,最后介紹了有聲卡和沒聲卡兩者之間的區(qū)別。
2018-04-20 15:46:1345193 本文首先闡述了溢流閥的概念和先導(dǎo)式溢流閥的結(jié)構(gòu)及工作原理,其次介紹了溢流閥的作用,最后詳細(xì)介紹了溢流閥和減壓閥的區(qū)別。
2018-05-11 15:16:4266548 根據(jù)Yole 預(yù)測(cè)2018年DRAM價(jià)格將上漲23%,NAND價(jià)格下降15%。
2018-06-28 17:05:015697 據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 本文主要介紹了開環(huán)式及閉環(huán)式霍爾電流傳感器工作原理及區(qū)別。
2019-09-05 10:18:0327192 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊,據(jù)韓媒報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤密度和性能提升,明年全球 NAND 閃存需求將增加,5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44647 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新,才可以保存數(shù)據(jù),SRAM只要存入數(shù)據(jù)了,不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足,本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一,大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是,大家真的了解DRAM嗎?DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢?DRAM的工作原理是什么呢?如果你對(duì)DRAM具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942485 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢?DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢?如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示,DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌,韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出,出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140 上周,美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到,可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:172554 FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash,Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線,用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù),NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線,Nand Flash用來(lái)安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 美光表示:“最近,人們對(duì)2023年的市場(chǎng)前景有所減弱?!辈⒅赋觯A(yù)計(jì)DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮,NAND bit的供應(yīng)增長(zhǎng)也將顯著低于此前預(yù)期。
2022-11-17 14:41:22161 GPU和FPGA都是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)中的高性能計(jì)算設(shè)備,具有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將詳細(xì)介紹GPU和FPGA的工作原理及其區(qū)別。
2023-08-06 16:50:491348 mobile收入增長(zhǎng)及DDR5、HBM等出貨擴(kuò)大的推動(dòng)下,SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分別實(shí)現(xiàn)26.4%和48.9%的環(huán)比增長(zhǎng)
2023-09-05 16:13:32317 可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅(SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見的器件,它們?cè)诓煌膽?yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SCR和FET的工作原理及它們之間的區(qū)別
2023-09-08 11:47:03888 扁線電機(jī)和圓線電機(jī)的工作原理本質(zhì)上沒有區(qū)別,都是通過(guò)電流在磁場(chǎng)中受力作用產(chǎn)生轉(zhuǎn)動(dòng)。不同之處在于,扁線電機(jī)采用扁平的矩形導(dǎo)線而不是傳統(tǒng)的圓形導(dǎo)線。這樣做有什么好處呢?我們可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的比喻來(lái)理解。
2023-09-12 10:43:35847 據(jù)消息人士透露,nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈,到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示:“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 移相器的工作原理 移相器和延遲線的區(qū)別? 移相器和延遲線是電子電路中常用的兩種器件,它們都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)時(shí)間延遲的功能。但是在應(yīng)用場(chǎng)合和工作原理上還存在一些顯著的區(qū)別。 一、移相器的工作原理 移相器
2023-10-22 12:43:362003 電機(jī)定子和轉(zhuǎn)子是電機(jī)的重要組成部分,它們協(xié)同工作實(shí)現(xiàn)電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。本文將詳細(xì)介紹電機(jī)定子和轉(zhuǎn)子的工作原理以及它們之間的區(qū)別。
2023-11-18 16:30:263880 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有很大
2023-11-22 17:33:301061 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 振蕩器和放大器是電子電路中常見的兩種基本組件,它們的作用和工作原理有一些顯著的區(qū)別。
2023-12-12 18:27:14509 電涌保護(hù)器和浪涌保護(hù)器有什么區(qū)別?工作原理又是什么? 電涌保護(hù)器和浪涌保護(hù)器是用于保護(hù)電氣設(shè)備免受電涌和浪涌的損害的兩種設(shè)備。盡管它們有相似的功能,但在工作原理和應(yīng)用方面有一些區(qū)別。 一、電涌保護(hù)器
2023-12-26 13:42:15514
評(píng)論
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