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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>緩沖/存儲技術>“多、快、省”,F(xiàn)RAM以領先特性解決應用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新

“多、快、省”,F(xiàn)RAM以領先特性解決應用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新

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圓我“鐵電夢”,關于FRAM網(wǎng)友有話說!

近幾年,FRAM(鐵電存儲器)比較火,特別是在三表的應用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應用的心得,發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915

在RFID中嵌入FRAM,有必要嗎?

富士通半導體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的,而市場上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比,內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多,并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個數(shù)量級。
2017-03-28 17:56:15955

FRAM RFID應用案例大放送!

上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統(tǒng)嵌入EEPROM的RFID的優(yōu)勢。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應用。
2017-03-28 18:00:431652

多圖|FRAM特性那么多,我想去看看!

FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:301459

媒體聚焦 | FRAM應用淺記——只談創(chuàng)新案例

遇到的縮寫還是以FeRAM居多)作為一種新的存儲方式來報道,而現(xiàn)在,越來越多的應用借FRAM特性實現(xiàn)了自身在可靠性、性能等方面的突破。
2017-03-28 18:41:571055

富士通FRAM產(chǎn)品特性介紹(視頻)

本視頻主要內(nèi)容:介紹了富士通半導體的FRAM產(chǎn)品特性:低功耗,快速讀寫,高讀寫次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951

采用FRAM微控制器實現(xiàn)的溫度調(diào)節(jié)裝置

此參考設計采用 MSP430FR4133 基于 FRAM 的 MCU,是可遠程控制的全功能、電池供電的恒溫器。此設計中實現(xiàn)了高精度溫度測量、超低功耗特性和大型 LCD 顯示屏,可延長應用的電池壽命
2017-05-05 16:59:3215

帶你了解最熱門的三款FRAM產(chǎn)品

這兒有最最最最最熱門的三款FRAM產(chǎn)品。
2017-08-22 15:19:248536

獨立FRAM存儲器方案設計,特點有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢?
2017-09-17 16:34:229447

FRAM FRID在物聯(lián)網(wǎng)的應用

到物聯(lián)網(wǎng)市場開拓,利用FRAM的低功耗,高速寫入,放射線耐性等特點研發(fā)獨具特色的FRAMRFID的芯片,面向物聯(lián)網(wǎng),F(xiàn)A,生化,醫(yī)療電子設備等領域提供創(chuàng)新的應用解決方案。
2017-09-20 12:43:0815

FRAM的特點及應用介紹

FRAM 應用介紹
2018-08-15 08:28:005742

FRAM家族:MSP430的特性及應用介紹

MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性
2018-08-02 01:04:005951

富士通助力無線無電池應用,FRAM RFID的創(chuàng)新無源解決方案

前不久,富士通半導體有限公司系統(tǒng)存儲設計開發(fā)部FRAM RFID高級工程師羅建在2018第十四屆RFID世界應用創(chuàng)新大會上指出,基于FRAM RFID的創(chuàng)新無源解決方案讓產(chǎn)品實現(xiàn)自給能源,更加環(huán)保,更易于防水加工制造生產(chǎn),有著廣闊的應用前景。
2018-08-27 16:32:534774

華為“創(chuàng)新”已到瓶頸期?

編者按 :手機圈已經(jīng)趨向平靜,只有當5G真正來臨之時,才會有新的“驚喜”出現(xiàn)吧。 “創(chuàng)新”已到瓶頸期? 本文引用地址: 8月30日晚,華為在德國召開發(fā)布會,“驚喜”發(fā)布榮耀智慧手機Magic
2018-09-26 07:07:01567

可穿戴電子應用的FRAM

關鍵詞:FRAM , 存儲器 引言: FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文: 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關鍵任務空間
2018-09-28 15:56:01270

富士通FRAM存儲器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品

富士通半導體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數(shù))特長, 提供RFID用LSI以及應用于電子設備的FRAM內(nèi)置驗證IC產(chǎn)品。富士通提供使用無限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通產(chǎn)品
2020-05-21 14:01:03751

富士通FRAM鐵電存儲器解決方案在汽車上的應用

汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過全新FRAM解決方案,得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案MB85RS128TY和MB85RS256TY,這兩款器件可在高達攝氏
2020-06-02 14:00:09941

FRAM是一種鐵電存儲器,它的自身優(yōu)勢是什么

FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM技術和工作原理

特性能成就技術“硬核”,FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503

FRAM遷移到EERAM

本應用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM,以及如何通過跳線和修改代碼來創(chuàng)建一個集成EERAM 和FRAM(第二個源)的設計。
2021-04-16 10:04:567

FRAM性能比EEPROM好的三個優(yōu)勢是什么

FRAM的學術名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,其的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM
2021-04-30 17:10:171083

FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇

開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇。 為什么這么說?這就要從FRAM產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學術名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,
2021-05-11 17:17:09704

鐵電存儲器FRAM的優(yōu)劣勢

FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經(jīng)應用于IC卡和MCU中,預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術特點,符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

FRAM的應用場景

FRAM是電力計量系統(tǒng)中使用的主要存儲器,由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點,FRAM在此領域迅速占領了市場;隨著電子設備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應用,FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616

西安紫光國芯亮相第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會

在第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會上,西安紫光國芯憑借世界領先的異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)成功斬獲含金量極高的“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎。本次獲獎的SeDRAM可以突破馮·諾依曼架構的性能瓶頸,滿足高性能計算、人工智能、近存計算、智能物聯(lián)網(wǎng)等應用場景對高帶寬、高容量內(nèi)存的需求。
2021-12-30 15:35:152957

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741

什么是FRAM?關于鐵電存儲器FRAM特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417

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