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電子發(fā)燒友網(wǎng)>EDA/IC設(shè)計(jì)>華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)

華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)

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聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922

臺(tái)積電3nm制程研發(fā)提速 預(yù)計(jì)2022年完成量產(chǎn)

根據(jù)英特爾發(fā)布的產(chǎn)品規(guī)劃路線,自己的14nm技術(shù)將要在處理器上連續(xù)使用三代而不進(jìn)行提升,而在制程這方面的研發(fā),臺(tái)積電顯然更勝一籌,前段時(shí)間臺(tái)積電剛剛確定年底將量產(chǎn)10nm、2019年將上馬5nm制程
2016-10-10 15:43:36792

賽普拉斯采用UMC工藝生產(chǎn)的40nm eCT Flash MCU現(xiàn)已出貨

全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(以下簡稱“UMC”)于今日宣布,賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 (eCT?) 閃存微控制器(MCU),現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253

中芯國際出樣40nm工藝的ReRAM意義何在?

作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片,并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來。
2017-01-17 09:40:003747

Crossbar公司與中芯國際合作的結(jié)晶:40nm的ReRAM芯片

目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達(dá)成合作,發(fā)力中國市場(chǎng)。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396

聯(lián)電新推40nmSST嵌入式快閃記憶存儲(chǔ)器制程

聯(lián)華電子宣布,推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶,在以往55納米單元尺寸減少20%以上,整體縮小了20~30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:361757

臺(tái)灣科技部宣布40億半導(dǎo)體射月計(jì)劃,將主攻3納米制程技術(shù),力拼2022年量產(chǎn)

中國臺(tái)灣地區(qū)科技部昨(28)日宣布啟動(dòng)四年新臺(tái)幣40億半導(dǎo)體射月計(jì)劃,并已評(píng)選出20項(xiàng)產(chǎn)學(xué)合作計(jì)劃。臺(tái)積電與臺(tái)大合作研發(fā)下世代制程,主要是要一舉突破3納米制程關(guān)鍵技術(shù),力拼2022年量產(chǎn)。
2018-06-29 16:13:004113

臺(tái)積電7nm開始量產(chǎn) 5nm制程將于明年年底投入量產(chǎn)

在21日臺(tái)積電舉辦技術(shù)研討會(huì),CEO魏哲家表示7nm制程的芯片已經(jīng)開始量產(chǎn),同時(shí)他還透露臺(tái)積電的5nm制程將會(huì)在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。
2018-07-02 14:46:443043

展訊推出集成無線連接40nm單芯片平臺(tái)

的2G 、3G 和4G無線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一,今日宣布其首款集成了無線連接的手機(jī)基帶平臺(tái)-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531集成了FM與藍(lán)牙,更高
2018-11-14 20:39:01419

應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm成熟工藝的SoC設(shè)計(jì)的USB3.0 IP解決方案

“芯啟源”)共同合作,集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)(PHY)與控制器 (Controller)并應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm的工藝技術(shù),推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394

三星宣布成功完成基于EUV的5nm制程開發(fā) 彰顯科技引領(lǐng)力

包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布,其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成,該技術(shù)
2019-04-18 20:48:54272

關(guān)于SMIC和14nm之間的關(guān)系分析和應(yīng)用

雖然從技術(shù)水平上看,臺(tái)積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術(shù),格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術(shù),而中芯國際,28nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),目前良率較低,技術(shù)處于逐步成熟階段,不過在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320

臺(tái)積電2nm工藝制程研發(fā)啟動(dòng),預(yù)計(jì)2024年可實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

,6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢(shì)如破竹準(zhǔn)備量產(chǎn),而其對(duì)手臺(tái)積電在較早前就宣布3nm制程發(fā)展相當(dāng)順利,后續(xù)的2nm工藝研發(fā)開始啟動(dòng),預(yù)計(jì) 2024年就能夠投產(chǎn)。
2019-08-26 12:29:002622

臺(tái)積電3nm制程按計(jì)劃推進(jìn),預(yù)計(jì)在2021年開始試產(chǎn)

臺(tái)積電3nm制程也在按計(jì)劃推進(jìn),預(yù)計(jì)在2021年開始試產(chǎn),2022年下半年開始大規(guī)模投產(chǎn),屆時(shí)臺(tái)積電的月產(chǎn)能將會(huì)達(dá)到10萬片晶圓。
2020-10-19 17:03:57568

中芯國際在成熟制程工藝上已反超三星

本周,Counterpoint Research給出了按成熟制程(節(jié)點(diǎn)≥40nm)產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單,如下圖所示。
2021-02-04 09:24:183175

成熟制程工藝有哪些?淺談成熟制程的優(yōu)勢(shì)

本周,Counterpoint Research給出了按成熟制程(節(jié)點(diǎn)≥40nm)產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單,如下圖所示。
2021-02-04 09:48:3010803

瑞薩電子宣布將于明年元旦開始漲價(jià)

近日,瑞薩電子開始對(duì)外宣布漲價(jià),或將于明年元旦開始漲價(jià)。瑞薩工廠基本是超負(fù)荷工作,并且供應(yīng)近一年一直緊張,再加上由于全球缺芯片原因?qū)е鹿?yīng)商大幅增加了成本。
2021-10-19 16:15:351802

臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)近日,全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P,希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。臺(tái)積電表示,憑借5nm(N5)、4nm(N4)、3nm(N3
2021-10-30 11:25:166696

臺(tái)積電3nm制程取得突破,新芯片N3B將于8月投產(chǎn)

今日,據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道,近期臺(tái)積電研發(fā)已久的3nm制程工藝取得了重大突破。
2022-04-12 17:58:442787

東芝電子開始量產(chǎn)M3H組21款新微控制器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,已開始量產(chǎn)M3H組的21款新微控制器,M3H組是TXZ+?族高級(jí)系列的新成員,采用40nm工藝制造。
2022-04-26 17:41:571069

臺(tái)積電將啟動(dòng)1.4nm制程研發(fā),欲保持其領(lǐng)先地位

據(jù)臺(tái)媒今日?qǐng)?bào)道稱,臺(tái)積電將于今年8月開始3nm制程的量產(chǎn),不過由于英特爾在芯片制程上步步緊逼的緣故,臺(tái)積電決定將要開啟1.4nm制程研發(fā)。 臺(tái)積電原計(jì)劃是在2025年完成2nm制程的量產(chǎn),但英特爾
2022-05-10 15:21:541177

富士康計(jì)劃新建12英寸晶圓廠,將鎖定28nm40nm制程

合作,一同成立合資企業(yè),并在馬來西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解,富士康提及到該工廠將會(huì)鎖定28nm40nm制程,并且預(yù)計(jì)該晶圓廠投產(chǎn)后,每個(gè)月能夠提供4萬片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程,因此例如臺(tái)積電等制
2022-05-18 16:35:032398

美日聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體,計(jì)劃2025年生產(chǎn)2nm制程技術(shù)

為了減小對(duì)臺(tái)積電的依賴,美日雙方開始聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù),近日據(jù)報(bào)道稱,日本計(jì)劃最早在2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體制造基地,并與美國聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。 目前全球半導(dǎo)體加工領(lǐng)域最先進(jìn)的企業(yè)是中國臺(tái)灣
2022-06-16 14:43:131445

中科院攻克2nm芯片技術(shù),中國2nm制程取得突破

現(xiàn)在全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm制程上,臺(tái)積電、三星、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息,臺(tái)積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了,而在中國大陸,芯片行業(yè)還停留在研發(fā)7nm制程
2022-06-22 10:40:5135066

中國臺(tái)積電研發(fā)2nm芯片

據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電正在研發(fā)先進(jìn)的2nm制程工藝,在北美技術(shù)論壇上,臺(tái)積電也是首次宣布,它們的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。
2022-06-22 16:39:011596

中科院研發(fā)2nm芯片 中科院攻克2nm芯片關(guān)鍵技術(shù)

  現(xiàn)階段全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm工藝制程上,臺(tái)積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息。
2022-06-27 16:55:3811543

全球首款2nm芯片問世 2nm芯片帶來的突破

在2021年5月份,IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù),全球首顆2nm芯片正式問世。近期,臺(tái)積電正式宣布用于生產(chǎn)納米片晶體管架構(gòu)的2nm芯片,預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn),三星電子也已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片,2nm將于2025年量產(chǎn)。
2022-06-29 09:38:042826

三星電子GAA制程工藝節(jié)點(diǎn)芯片開始初步生產(chǎn)

2022年6月30日,作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 GAA)制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。
2022-06-30 10:15:591884

臺(tái)積電已開始研發(fā)全新的2nm技術(shù)

臺(tái)積電表述,公司3nm技術(shù)已進(jìn)入全面開發(fā)階段,而3nm以下的技術(shù)開始定義并密集進(jìn)行先期開發(fā)。
2022-06-30 14:45:05849

中國突破2nm芯片技術(shù) 臺(tái)積電2nm芯片量產(chǎn)

  臺(tái)積電公布了下一代的2nm制程技術(shù)的部分細(xì)節(jié)信息,同時(shí)預(yù)計(jì)N2工藝將于2025年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-06-30 17:09:412729

臺(tái)積電2nm芯片預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

  臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公開了未來先進(jìn)制程的信息,其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn),而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片,預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:091391

臺(tái)積電2nm和3nm制程工藝

臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝,將于2025年量產(chǎn),其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:312636

臺(tái)積電3nm制程工藝正式量產(chǎn) 已舉行量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式

來源:TechWeb 近日,據(jù)國外媒體報(bào)道,正如此前所報(bào)道的一樣,晶圓代工商臺(tái)積電,在他們旗下的晶圓十八廠,舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式,宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)
2022-12-30 17:13:11917

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040

三星電子2nm制程工藝計(jì)劃2025年量產(chǎn) 2027年開始用于代工汽車芯片

外媒在報(bào)道中提到,根據(jù)公布的計(jì)劃,三星電子將在2025年開始,采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片,2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片,2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07459

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

臺(tái)積電即將宣布日本第二個(gè)晶圓廠項(xiàng)目,采用6/7nm制程

目前臺(tái)積電正迅速擴(kuò)大海外生產(chǎn)能力,在美國亞利桑那州、日本熊本市建設(shè)工廠,并宣布了在德國建廠的計(jì)劃。臺(tái)積電在亞利桑那州第一座晶圓廠此前計(jì)劃延期,預(yù)計(jì)2025年上半年將開始量產(chǎn)4nm工藝;第二座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2026年開始生產(chǎn)3nm制程芯片。
2023-11-23 16:26:48323

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