電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)方面的耐久性，換個(gè)說(shuō)法就是耐久性方面的考慮。原則上，就是需要在考慮使用時(shí)間、使用公里數(shù)、使用條件和使用環(huán)境等條件下，輸入給電池系統(tǒng)一個(gè)等效的負(fù)荷環(huán)境。
2017-06-06 15:24:10
1963 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨大影響，特別是當(dāng)應(yīng)用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無(wú)限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
傳輸數(shù)據(jù)。我們想知道是否需要對(duì)數(shù)據(jù)包采用前向糾錯(cuò)，因?yàn)槲覀儾淮_定EEPROM的可靠性。該數(shù)據(jù)表引用了1,000,000個(gè)周期的“最大寫入耐久性循環(huán)耐久性”。這個(gè)數(shù)字是否意味著在預(yù)期發(fā)生單個(gè)故障之前
2019-07-26 16:36:20
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時(shí)的泄漏電流小于55mA，相當(dāng)于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對(duì)于32Mb數(shù)據(jù)，它具有100K個(gè)循環(huán)的耐久性，而對(duì)于1Mb的數(shù)據(jù)可以>1M個(gè)循環(huán)。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢(shì)通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn)，讀寫速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn)，訪問(wèn)次數(shù)是有限的，超出限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半導(dǎo)體全球市場(chǎng)副總裁兼中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費(fèi)類電子、視頻、安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、有線/無(wú)線通信等不同市場(chǎng)的智能連接、接口擴(kuò)展等需求。通過(guò)GW1N系列
產(chǎn)品，高云半導(dǎo)體可以向用戶提供高安全
性、單芯片、低成本、小薄封裝等優(yōu)勢(shì)的最優(yōu)化
非易失性FPGA解決方案?！?/div>
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
連接器的基本性能可分為三大類：即機(jī)械性能、電氣性能和環(huán)境性能。 另一個(gè)重要的機(jī)械性能是連接器的機(jī)械壽命。機(jī)械壽命實(shí)際上是一種耐久性（durability）指標(biāo)。它是以一次嚙合、分離為一個(gè)循環(huán)，以在規(guī)定的嚙合、分離循環(huán)后連接器能否正常完成其連接功能（如接觸電阻值）作為評(píng)判依據(jù)。
2019-10-08 14:28:18
寫或讀高耐久性閃存（在這種情況下，我讀/寫從0x7f0到0x7FF）。我正在使用最新版本的代碼配置器生成的讀/寫函數(shù)。這聽(tīng)起來(lái)像是我遺漏的“常見(jiàn)”功能嗎？謝謝，塞爾吉奧
2019-10-21 13:01:27
PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少？
PSoC? 6 的數(shù)據(jù)表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續(xù)航時(shí)間為 10k 個(gè)周期。
請(qǐng)參閱第 6.5 節(jié) 62x7 數(shù)據(jù)表
2024-02-26 06:46:06
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
，比較是否一致，一致則計(jì)數(shù)”。然后重復(fù)測(cè)N次得到非易失性的有效讀寫次數(shù)。但是又不能直接拿STM32的引腳來(lái)驅(qū)動(dòng)FRAM芯片的VCC，又不能老是手動(dòng)斷電上電這么來(lái)測(cè)，這下有點(diǎn)找不準(zhǔn)方向了。想知道論壇里面各位大神有沒(méi)有什么好的測(cè)試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
嗨，哪里可以獲得有關(guān)X射線輻射損傷的設(shè)備耐久性和X射線輻射損傷的KRads總劑量閾值的信息，我需要在這些設(shè)備上具有高度重要性的信息：1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
2019-05-15 14:18:56
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)，從而可簡(jiǎn)化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2019-07-08 06:03:16
通信通道安全的加密數(shù)據(jù)（如安全密鑰及密碼等）等。最新低功耗微處理器(MCU)集成降低安全應(yīng)用成本與功耗所需的高性能以及各種特性，可幫助開(kāi)發(fā)人員為低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性FRAM替代
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在類似如上所述的系統(tǒng)中，FRAM 可帶來(lái)多種優(yōu)勢(shì)。 結(jié)合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲(chǔ)器保護(hù)單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
連接器的基本性能可分為三大類：即機(jī)械性能、電氣性能和環(huán)境性能。 另一個(gè)重要的機(jī)械性能是連接器的機(jī)械壽命。機(jī)械壽命實(shí)際上是一種耐久性（durability）指標(biāo)。它是以一次嚙合、分離為一個(gè)循環(huán)，以在規(guī)定的嚙合、分離循環(huán)后連接器能否正常完成其連接功能（如接觸電阻值）作為評(píng)判依據(jù)。
2019-10-24 09:02:11
親愛(ài);我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問(wèn)題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見(jiàn)的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
本文介紹了汽車PCM耐久性測(cè)試系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì)思路和測(cè)試規(guī)范，重點(diǎn)討論了關(guān)鍵子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原理，并通過(guò)原型樣機(jī)對(duì)幾種PCM模塊長(zhǎng)久性測(cè)試，驗(yàn)證了該系統(tǒng)的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個(gè)困難，顯然制造商沒(méi)有對(duì)NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)（對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
存取速度分類)：1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強(qiáng)人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
非易失性寫入性能優(yōu)于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁(yè)面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁(yè)面大小需要更多頁(yè)面寫操作和更多寫周期時(shí)間。因此造成額外的寫延遲。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">FRAM不是分頁(yè)的存儲(chǔ)器
2020-09-28 14:42:50
`MSP430FR5969 LaunchPad不僅支持最新發(fā)布的、采用集成型非易失性 FRAM 存儲(chǔ)器技術(shù)的 MSP430FR5969MCU, 而且具有業(yè)界最低功耗！我們即將舉辦一場(chǎng)相關(guān)超低
2014-07-16 12:35:33
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測(cè)量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長(zhǎng)
2021-11-03 07:28:04
上。此設(shè)計(jì)工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進(jìn)而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測(cè)量2.9uA 待機(jī)電流非易失性片上 FRAM 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監(jiān)視器此終端設(shè)備設(shè)計(jì)已經(jīng)過(guò)測(cè)試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
儲(chǔ)的信息。優(yōu)勢(shì)與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，FRAM具有下列優(yōu)勢(shì)：非易失性即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。與SRAM相比，無(wú)需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）更高速度寫入像SRAM一樣，可覆蓋寫入不要求改寫命令對(duì)于擦/寫操作
2014-06-19 15:49:33
提出了一種基于VB 串口通信的電動(dòng)天窗耐久性測(cè)試系統(tǒng)的軟硬件實(shí)現(xiàn)方案。該系統(tǒng)包括PC 機(jī)構(gòu)成的上位機(jī)和單片機(jī)構(gòu)成的下位機(jī)。上位機(jī)提供了良好的人機(jī)交互界面；下位機(jī)采用集
2009-09-21 11:20:39
21 燈具耐久性試驗(yàn)設(shè)施設(shè)計(jì)方案
摘要：文章根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB7000.1-2007《燈具 第一部分：一般要求與試驗(yàn)》標(biāo)準(zhǔn)12.3 規(guī)定和附錄K 中的要求，介紹了燈具耐久性試驗(yàn)設(shè)施的
2010-04-14 15:59:4139 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
在我國(guó)現(xiàn)行的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)各類產(chǎn)品的質(zhì)量要求，除對(duì)產(chǎn)品本身的基本性能有規(guī)定外,耐久性（壽命）試驗(yàn)是其主要考核指標(biāo)。許多產(chǎn)品在質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中都對(duì)工作壽命作出了確規(guī)
2010-07-17 16:04:3010 ：低功耗模式寫入工作，實(shí)現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。? 大容量?jī)?nèi)置存儲(chǔ)單元：記錄信息于電子標(biāo)簽，實(shí)現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量?jī)?nèi)存單元。? 讀寫工作高耐久性：保證最高1萬(wàn)億次
2023-12-27 13:53:33
模擬童車路況試驗(yàn)機(jī)-耐久性試驗(yàn)機(jī)設(shè)備簡(jiǎn)介： 本機(jī)依據(jù)CNS手推嬰兒車動(dòng)態(tài)耐用試驗(yàn)規(guī)范制作。測(cè)試方法為 ：置模型嬰兒于車臺(tái)中，將車臺(tái)固定于測(cè)試臺(tái)上，調(diào)整輸送帶 速度1.4±0.1m/sec
2024-02-01 10:22:29
和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲(chǔ)器的級(jí)別。而且，FRAM的讀/寫耐久性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM和Flash存儲(chǔ)器。EEPROM和Flash存儲(chǔ)器能寫入大約100萬(wàn)次（106次），FRAM最高可寫入1013次，或者說(shuō)寫入次數(shù)可以達(dá)到前兩種存儲(chǔ)器的1000萬(wàn)倍以上。
2017-03-29 11:46:291659 
提出了一種基于VB串口通信的電動(dòng)天窗耐久性測(cè)試系統(tǒng)的軟硬件實(shí)現(xiàn)方案。該系統(tǒng)包括PC機(jī)構(gòu)成的上位機(jī)和單片機(jī)構(gòu)成的下位機(jī)。上位機(jī)提供了良好的人機(jī)交互界面；下位機(jī)采用集成電路，以及信號(hào)采樣
2017-09-06 15:10:375 我國(guó)首例自主研發(fā)的超越5000小時(shí)耐久性的 燃料電池 產(chǎn)品,日前完成壽命測(cè)試和整車應(yīng)用驗(yàn)證。該產(chǎn)品突破了制約我國(guó)燃料電池汽車商業(yè)化應(yīng)用發(fā)展的瓶頸，在耐久性、可靠性和產(chǎn)品一致性上取得重大進(jìn)展。 作為
2018-03-25 09:57:005226 本文首先介紹了耐久性試驗(yàn)的概念，其次介紹了耐久性試驗(yàn)的目的及耐久性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，最后介紹了電子設(shè)備耐久性試驗(yàn)的基本步驟。
2018-05-14 09:27:597640 富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入，高讀寫耐久性（多次讀寫次數(shù)）特長(zhǎng)， 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗(yàn)證IC產(chǎn)品。富士通提供使用無(wú)限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通產(chǎn)品
2020-05-21 14:01:03751 手機(jī)翻蓋耐久性測(cè)試即將待測(cè)翻蓋手機(jī)重復(fù)開(kāi)合預(yù)設(shè)的次數(shù)，然后觀察手機(jī)的各部分性能是否完好，這在翻蓋手機(jī)的生產(chǎn)過(guò)程中是相當(dāng)重要的一環(huán)。以往采用氣動(dòng)方式的系統(tǒng)運(yùn)行速度較慢（約為每2秒1次）且操作界面不夠
2020-07-21 11:38:12520 
是具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介紹關(guān)于FRAM的耐久性。 SRAM具有無(wú)限的耐久性，可以無(wú)限地對(duì)其進(jìn)行讀寫。FRAM具有高（數(shù)量），將應(yīng)用程序限制為讀取或?qū)懭雴蝹€(gè)字節(jié)不超過(guò)指定的周期數(shù)。緩解的最佳方法是通過(guò)設(shè)計(jì)知道
2020-10-19 14:22:59626 UV膠粘接耐久性 UV膠粘接力是UV膠水各項(xiàng)性能中相當(dāng)重要的一項(xiàng)，而提高UV膠水粘接的耐久性是粘接技術(shù)面臨的重要任務(wù)，也是結(jié)構(gòu)連接的的可靠保證。AVENTK作為UV膠水生產(chǎn)廠家，在UV膠水領(lǐng)域已有
2020-12-23 15:10:572341 內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 
獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 為研究季節(jié)性凍土地區(qū)髙鐵路基水泥穩(wěn)定碎石基床長(zhǎng)期凍融循環(huán)耐久性，將宏觀試驗(yàn)與結(jié)構(gòu)內(nèi)部微元體的損傷發(fā)展相結(jié)合，建立了基于 morgan-Mers- Flodin（MMF）模型的高鐵路基水泥穩(wěn)定碎石
2021-04-19 10:58:564 FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)
2021-05-04 10:17:001850 
監(jiān)控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲(chǔ)器性能和耐久性設(shè)計(jì)。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級(jí)的存儲(chǔ)器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無(wú)遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫耐久性，高速寫入操作： ?系統(tǒng)每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
存儲(chǔ)器的性能和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使FRAM成為理想的存儲(chǔ)選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應(yīng)用 高速燒寫，高讀寫耐久性： 系統(tǒng)經(jīng)常會(huì)會(huì)受到發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)閉，導(dǎo)航，倒車攝像或電話進(jìn)入時(shí)的干擾，高端的car infotainment需要實(shí)時(shí)記錄當(dāng)前狀態(tài)，并在干擾之后回復(fù)當(dāng)前
2021-05-04 10:15:00290 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544 仍有最大訪問(wèn)（讀）次數(shù)的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個(gè)優(yōu)勢(shì)： 1、壽命，讀寫的次數(shù)比較多， EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 是一款非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? 近日富士通半導(dǎo)體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666 
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 熱量表的耐久性是熱量表使用壽命的重要指標(biāo)，通過(guò)對(duì)熱量表的冷熱交變沖擊4000次后測(cè)試其計(jì)量特性，還可推斷出基表材質(zhì)等對(duì)測(cè)量精度的影響，從而選定更適應(yīng)于熱量表應(yīng)用環(huán)境的材質(zhì)。早期通過(guò)超聲波熱量表常溫
2022-10-11 09:59:46384 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
本文將探討戶外儲(chǔ)能電池的可靠性和耐久性設(shè)計(jì)，以確保其在使用過(guò)程中具備高效、安全和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。
2023-08-08 13:50:06380 人工心臟瓣膜耐久性能測(cè)試儀技術(shù)參數(shù) 覲嘉 一、人工心臟瓣膜耐久性能測(cè)試儀設(shè)備特點(diǎn) 1、可同時(shí)測(cè)試不同尺寸規(guī)格的多個(gè)瓣膜，最多可同時(shí)測(cè)試6個(gè)樣品 2、可選擇6組以上測(cè)試樣品 3、加速測(cè)試頻率下提供增強(qiáng)
2023-12-04 15:13:23148 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417 
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