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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

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NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示,受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響,第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171180

3D NAND Flash,中國自主存儲器突破點(diǎn)

受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長,各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497

NAND Flash非易失存儲器簡介

NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684

Nand Flash和Nor Flash存儲器簡介及其區(qū)別

Flash存儲芯片的一種,在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory,全稱為Flash EEPROM Memeory,即我們平時說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn),具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053185

NAND Flash和NOR Flash的差別

存儲器,NOR 與NAND 存儲邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命,因此適合用來存儲代碼;NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本,花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905

如何使用Flash模擬EEPROM存儲參數(shù)

概述在MCU的使用中,經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中,FlashEEPROM是常見的非易失性存儲器,都可以做到設(shè)備掉電重啟后,數(shù)據(jù)還會保留。但二者有明顯的區(qū)別:EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676

EEPROMFlash有哪些不同之處呢

不必害怕未知,無需恐懼犯錯,做一個Creator!功能特點(diǎn)對比EEPROM的全稱是“可擦除可編程只讀存儲器”。這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個字節(jié),可以往每個bit中寫入0或者1。具有
2022-01-26 07:39:43

EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種?

AVR系列單片機(jī)有哪幾種存儲器?AVR系列單片機(jī)在程序中如何訪問FLASH程序存儲器?EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種?
2021-09-23 08:13:11

EEPROM存儲原理/選型/特點(diǎn)/應(yīng)用

非易失性存儲器主要是用來存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM存儲原理EEPROM
2020-12-16 16:27:22

FLASH存儲器與SRAM最主要的區(qū)別是什么

概念理解:FLASH存儲器又成為閃存,它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器,但是FLASH存儲容量都普遍的大于EEPROM,,在存儲控制上,最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19

FLASHEEPROM的最大區(qū)別是什么

低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會集成FLASHEEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計(jì)往往只有FLASH,早期可擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了?,F(xiàn)
2021-12-10 08:23:11

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2021-06-18 07:03:45

Flash存儲器的使用壽命有什么辦法延長嗎?

嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個合理
2019-08-16 07:06:12

Flash存儲器的故障特征

Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15

NAND FLASH的相關(guān)資料下載

Nand flashNand-flash存儲器flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快
2022-01-26 07:56:35

NAND Flash的儲存結(jié)構(gòu)與接口設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33

復(fù)旦

FM33A0G系列,今天主要給大家介FM33A0系列,F(xiàn)M33A0系列是ARM CORTEX-M0核的32位低功耗MCU芯片,它最大可以支持512KN FLASH程序存儲器和64KB RAM,集成LCD驅(qū)動
2018-09-25 14:26:07

存儲器 IC 分類的糾結(jié)

紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM:可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。問題是,ROM明明叫只讀存儲器
2012-01-06 22:58:43

存儲器的分類介紹 各種存儲器功能分類大全

擦除,擦除后又可重新寫入新的程序?! ?、可改寫只讀存儲器EEPROM):  EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容,其編程電壓和清除電壓均與微機(jī)CPU的5V工作電壓相同,不需另加電壓。它既有
2017-12-21 17:10:53

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NAND FIash存儲器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
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RTOS的存儲器選擇

當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個嵌入式實(shí)時操作系統(tǒng)時(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存),各種各樣的閃存以及串口EEPROM可擦的,可編程的只讀存儲器)。  
2019-06-28 08:29:29

nor flash、nand flash 、sdram的區(qū)別

忍無可忍的。FLASH存儲器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢),U盤和MP3里用的就是
2018-08-09 10:37:07

rom eeprom ram flash 的區(qū)別

)要做,如果寫入,漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。FLASH存儲器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)
2013-01-04 00:20:57

存儲器NAND Flash三種類型應(yīng)用

NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應(yīng)用是
2018-06-14 14:26:38

串行EEPROM存儲器及應(yīng)用

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2017-02-05 13:47:29

為什么單片機(jī)中既有Flash又有EEPROM

,所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會集成FLASHEEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH,早期可擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。在芯片的內(nèi)電路中,FLASH
2018-09-26 14:29:06

什么是EEPROM存儲器?

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2021-11-01 07:24:44

你對嵌入式存儲器還不清楚?看這里

。EEPROM的全稱是“可擦除可編程只讀存儲器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在
2018-09-09 10:02:29

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折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進(jìn),偉大的EEPROM出現(xiàn)了,拯救了一大批程序員,終于可以隨意的修改rom中的內(nèi)容了。EEPROM的全稱是“可擦除可編程只讀存儲器”,即Electrically
2018-07-14 10:36:26

使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲器實(shí)現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法

本文檔適用于STM32F1系列微控制。介紹了外部EEPROM和嵌入式Flash存儲器之間的不同,描述了使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲器實(shí)現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法。
2022-12-01 06:16:17

半導(dǎo)體存儲器的分類

能擦除的次數(shù)也是有限的——幾百次吧。(現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰)EEPROM,也叫 E2PROM稱之為可擦可編程只讀存儲器,它和EEPROM類似,寫上去的東西也能擦掉重寫,但它要方便一些,不需要光照了,只要
2021-11-24 09:13:46

單板硬件設(shè)計(jì):存儲器NAND FLASH)

。 EEPROM的全稱是“可擦除可編程只讀存儲器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37

基于Arduino設(shè)計(jì)EEPROM外部存儲器

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如何去設(shè)計(jì)Flash存儲器

Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲器?
2021-04-27 06:20:01

如何識別哪些地址用于我的EEPROM存儲器

IAM即將完成PSOC3(我的第一個主要項(xiàng)目)的創(chuàng)建者項(xiàng)目,并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護(hù)。在TRM或某個地方,閃存保護(hù)不能用于保存SPC數(shù)據(jù)(如EEPROM存儲器)的字節(jié)。我的問題是:如何識別
2019-06-18 09:14:56

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我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
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2021-04-27 07:13:39

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和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以在字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面FlashEEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中
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存儲器的種類很多,按存儲類型來分,可分為FLASH存儲器、EPROM存儲器EEPROM存儲器、SRAM存儲器等。FLASH的特點(diǎn)是必擦除以后才能編程;EEPROM寫入速度較慢,通常為ms(毫秒)級,不
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FLASH存儲器又稱閃存 ,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
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flash存儲器的類型

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2017-10-11 14:39:468295

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2017-10-11 15:16:1715617

flash存儲器在線編程

Flash存儲器技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:413776

flash存儲器的讀寫原理及次數(shù)

程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。本文將探討FLASH存儲器的讀寫原理及次數(shù)。 FLASH存儲器的讀寫原理 FLASH存儲器的基本單元電路,與EEPROM類似,也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄,作為隧道氧化層。寫入方法與EEPRO
2017-10-13 16:34:3020879

美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲器市場

在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

存儲器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972

基于NAND FLASH存儲器實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)中的讀寫和控制

NAND寫回速度快、芯片面積小,特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁是NAND中的基本存貯單元,一頁一般為512 B(也有2 kB每頁的large page NAND FLASH),多個頁面組成
2020-05-20 08:57:002761

基于EPG3231和NAND Flash存儲器實(shí)現(xiàn)聲音播放器設(shè)計(jì)

背景知識的情況下,可以比較簡單地使用大容量的NAND Flash存儲器,降低了使用NAND Flash存儲器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879

單片機(jī)上FLASHEEPROM有什么不同?

也不同,FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作
2018-09-21 22:40:01779

東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234

如何區(qū)分各種存儲器(ROM、RAM、FLASH

相信有很多人都對計(jì)算機(jī)里的各種存儲器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3810522

NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

非易失性存儲器-Nor Flash的特點(diǎn)都有哪些

Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器,其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor FlashNand
2020-12-07 14:17:013046

【轉(zhuǎn)】PIC單片機(jī)的 程序存儲器,數(shù)據(jù)存儲器,EEPROM區(qū)別

PIC的程序存儲器FLASH存儲器,主要存儲程序代碼,掉電不丟失。 數(shù)據(jù)存儲器是SRAM,主要存儲一些程序的變量,掉電丟失。 EEPROM一般存儲程序中的重要數(shù)據(jù),掉電也不丟失
2021-11-16 13:06:0113

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU作者:時間:2009-04-21來源:電子產(chǎn)品世界字號:?小?中?大關(guān)鍵詞:?瑞薩?RISC?32MCU?Flash?SuperH
2021-12-02 09:51:0611

NOR FlashNAND FLASH的區(qū)別是什么

Flash Memory是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動存儲設(shè)備也都是
2022-01-25 17:25:1259808

存儲器迎來怎樣的2023?

存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND FlashNAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。2001年,許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲器新品

下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

NOR FLASHNAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹

非易失性存儲元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASHNAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888

NAND Flash 原理深度解析(上)

Nand Flash存儲器Flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626

NAND Flash接口簡單介紹

NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556

如何使用Flash模擬EEPROM存儲參數(shù)?

在MCU的使用中,經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中,FlashEEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812

NAND Flash和NOR Flash存儲器的區(qū)別

摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490

NAND Flash存儲器的基礎(chǔ)知識

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢?

為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù),同時因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647

杰盛微 EEPROM存儲器 數(shù)據(jù)手冊

EEPROM存儲器SOP-82KB1MHz
2022-08-19 15:54:043

stm32f103 flash模擬eeprom

,STM32F103的Flash存儲器可以模擬EEPROM的功能,在本文中我們將詳細(xì)介紹如何使用STM32F103的Flash存儲器來實(shí)現(xiàn)EEPROM。 概述 EEPROM(Electrically
2024-01-09 11:21:36374

什么是NANDFlash 存儲器?

前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160

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