臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:29
5044 3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:128497 
近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529 通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái)，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075376 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
汽車行業(yè)發(fā)展的革命性技術(shù)，其將同機(jī)器人技術(shù)，物聯(lián)技術(shù)共同改變?nèi)祟惿a(chǎn)生活方式。3D打印增材制造技術(shù)在汽車行業(yè)應(yīng)用已十分廣泛，汽車所有部件幾乎都能采用3D打印直接或間接實(shí)現(xiàn)，其優(yōu)點(diǎn)成本低、效率高、定制性強(qiáng)
2019-12-20 16:11:32
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
。在原型制作和生產(chǎn)中，該技術(shù)都可以創(chuàng)建精確，信譽(yù)良好的設(shè)計(jì)，從而帶來(lái)可滿足各種目的的傳感器?！ ≡龠^(guò)幾年，可能幾乎不可能列出所有3D打印將幫助生產(chǎn)的特定設(shè)備和傳感器。但是，在這些廣闊的領(lǐng)域中，我們可以肯定，這種特定的制造方法將在幫助擴(kuò)展物聯(lián)網(wǎng)方面發(fā)揮重要作用。
2020-06-22 09:21:54
，市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，在航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大。??3D打印技術(shù)持續(xù)發(fā)展，市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)??3D打印技術(shù)在技術(shù)方法、制造平臺(tái)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等方面取得重要進(jìn)展，在市場(chǎng)規(guī)模方面保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。??3D打印
2019-07-18 04:10:28
很多：打磨拋光或表面噴砂就可以，花費(fèi)時(shí)間更少。Cnc后處理要考慮的問(wèn)題就多了：材料的性質(zhì)，結(jié)構(gòu)形狀，尺寸大小等等。3D打印在未來(lái)能涉及更多領(lǐng)域；醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、航天領(lǐng)域、電子領(lǐng)域……
2018-11-10 16:15:04
請(qǐng)問(wèn)3D打印一體成型結(jié)構(gòu)復(fù)雜的鐵硅磁體技術(shù)應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
，深入研究，二次加工，開發(fā)出更多個(gè)性化的功能程序。打造出具有中國(guó)特色的新產(chǎn)品芯片。 3D打印是在傳統(tǒng)制造工藝上的創(chuàng)新，同樣，單片機(jī)解密也是在傳統(tǒng)正向研究技術(shù)方面的創(chuàng)新。任何領(lǐng)域都需要具有創(chuàng)新意識(shí)的新型產(chǎn)業(yè)來(lái)推動(dòng)發(fā)展。只有全民參與創(chuàng)新，才能實(shí)現(xiàn)從“中國(guó)制造”到“中國(guó)創(chuàng)造”的完美過(guò)渡。
2014-04-15 16:10:23
3D行業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)2021年收入將達(dá)到250億元。相關(guān)報(bào)告：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2020-2025年中國(guó)裸眼3D顯示器行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)及投資戰(zhàn)略研究報(bào)告》四、3D顯示技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)1、顯示算法
2020-11-27 16:17:14
和單元間隙，這有利于增加產(chǎn)品的耐用性。因此想要增加存儲(chǔ)空間就需要不斷的增加堆疊層數(shù)。圖 4 CTF和FG技術(shù)在發(fā)展3D NAND的過(guò)程中，廠商采用了兩種不同的存儲(chǔ)技術(shù)（如圖4所示）：電荷擷取技術(shù)(CTF
2020-11-19 09:09:58
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
公司涉嫌實(shí)施壟斷行為的反壟斷調(diào)查已取得重要進(jìn)展。自2016年三季度進(jìn)入漲價(jià)通道后，存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)持續(xù)至今，已接近兩年。包括三星、海力士、鎂光等公司在內(nèi)的三家國(guó)際存儲(chǔ)器公司，旗下的存儲(chǔ)芯片價(jià)格存在異常上漲
2018-11-22 14:49:22
閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)， NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
ALTIUM的PCB文件，怎么一次性刪掉所有元件的3D？
2017-11-10 10:51:12
視頻壓縮、先進(jìn)圖像處理性能，以及增加的對(duì)AI功能的支持，包括視頻編碼、反欺詐算法、生動(dòng)性檢測(cè)和3D識(shí)別等技術(shù)，在各個(gè)領(lǐng)域都得到了應(yīng)用。
2020-12-16 16:14:53
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
處理的一部分在內(nèi)核之間共享。KeyStone 架構(gòu)可提供一些改進(jìn)措施，以簡(jiǎn)化共享內(nèi)部與外部存儲(chǔ)器的一致性管理操作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在 KeyStone 架構(gòu)中，LL2 存儲(chǔ)器始終與 L1D 高速緩存保持一致，所以
2011-08-13 15:45:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
文章目錄前言一、存儲(chǔ)器類型二、探究S3C2440啟動(dòng)地址1.為什么nand啟動(dòng)地址是4096？2.為什么nor啟動(dòng)地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文記錄的是S3C2440啟動(dòng)
2022-02-15 07:30:08
電子作為國(guó)內(nèi)最先推出3D電視的廠家，早在一個(gè)月前就展開了聲勢(shì)浩大的營(yíng)銷攻勢(shì)。4月初，三星電子在北京召開了“中國(guó)三星論壇”，宣布三星3D電視正式上市。同時(shí)，在銷售終端的推廣上，三星與蘇寧、國(guó)美等渠道商也
2010-05-06 14:24:28
日前，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院鄭海榮研究員領(lǐng)銜的勞特伯醫(yī)學(xué)成像研究中心在高分辨率超聲成像方向取得新進(jìn)展，勞特伯醫(yī)學(xué)成像研究中心邱維寶博士課題組（以下簡(jiǎn)稱課題組）在高頻超聲換能器、超聲電子系
2018-03-23 14:59:13
娛樂(lè)等，未來(lái)AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動(dòng)性，對(duì)存儲(chǔ)要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長(zhǎng)的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
BeSang之前的許多設(shè)計(jì)都是偽3D?！?Simon Sze在1967年曾經(jīng)于貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了用于非易失性存儲(chǔ)器件的浮柵金屬氧化晶體管。Sze現(xiàn)在是***一所大學(xué)的教授?！ 癝oC將邏輯單元
2008-08-18 16:37:37
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個(gè)自建庫(kù)后的pcb預(yù)覽。在沒加3D元件時(shí)。自定義庫(kù)是可以用，可預(yù)覽的。加了3D元件后，工程文件使用了后預(yù)覽并沒有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
的NU4000芯片，賦予機(jī)器終端“人眼 + 人腦”的能力，并針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)調(diào)優(yōu)，為客戶提供高效、優(yōu)質(zhì)的本地化支持?！?b class="flag-6" style="color: red">中國(guó)，北京——2021年11月25日，全球3D芯片的引領(lǐng)者銀牛的母公司，銀牛微電子宣布，面向機(jī)器人
2021-11-29 11:03:09
，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
待機(jī)模式后有可能獲得標(biāo)志嗎？ 用于喚醒單片機(jī)的信號(hào)會(huì)保留很多或時(shí)間，所以我可以在喚醒前讀取它，所以也許將引腳的配置更改為普通 GPIO？不知道如何解決它，我是這類應(yīng)用程序的新手。
2022-12-21 07:32:36
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
維持在相同的水平。 3D打印在生產(chǎn)結(jié)構(gòu)復(fù)雜的鞋底時(shí)更具優(yōu)勢(shì)，運(yùn)動(dòng)鞋的生產(chǎn)注重設(shè)計(jì)感和創(chuàng)新性，3D打印能大大增加運(yùn)動(dòng)鞋底設(shè)計(jì)、創(chuàng)造的可能性，做出傳統(tǒng)模具難以完成的產(chǎn)品。六、3D打印控制系統(tǒng) 1. 計(jì)算機(jī)
2022-04-06 15:43:26
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫(kù)?復(fù)制到3D庫(kù)不能用.`
2013-08-21 12:42:02
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
，進(jìn)而改進(jìn)和實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者所需求的用戶界面。3D技術(shù)可向用戶呈現(xiàn)更多信息，但對(duì)系統(tǒng)存儲(chǔ)器（DDR）和非易失性存儲(chǔ)器（NOR/NAND閃存）需求產(chǎn)生的影響甚微。未來(lái)，如果這樣一套監(jiān)視系統(tǒng)能夠普及
2014-08-14 14:00:59
，從而幫助設(shè)計(jì)工程師快速設(shè)計(jì)、試制復(fù)雜曲面、異形結(jié)構(gòu)以及非標(biāo)零部件，高效推進(jìn)新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)與設(shè)計(jì)驗(yàn)證。1、模型處理在浩辰3D中打開模型文件，選擇「3D打印」選項(xiàng)卡，將模型上的裝飾螺紋換成物理螺紋。2
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲(chǔ)器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲(chǔ)器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲(chǔ)器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
端到端模式，專業(yè)定位于***、平板電腦、PMP播放器、數(shù)碼相框等各類手持式移動(dòng)終端設(shè)備，通過(guò)該方案，***終端與平板電腦、PMP廠家在原有的2D終端基礎(chǔ)上零開發(fā)工作量就可推出裸眼3D產(chǎn)品。億思達(dá)
2012-07-31 16:59:22
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲(chǔ)器如圖 3 所示，AND閃速存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場(chǎng)上銷售的閃速存儲(chǔ)器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲(chǔ)器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
精通3D nand flash 存儲(chǔ)器
2023-08-31 21:26:56
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲(chǔ)器微觀機(jī)制研究中取得系列進(jìn)展。
2012-04-13 09:31:301004 以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)展鋪路…
智能手機(jī)使用者不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)，除了提升裝置的處理
2018-06-07 07:44:00744 
位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001858 今年中國(guó)新起步的存儲(chǔ)器制造商預(yù)計(jì)將達(dá)到一個(gè)重要的里程碑，并將進(jìn)入初始量產(chǎn)階段，盡管它們已經(jīng)遇到了各種障礙。
2018-02-27 11:10:233816 
中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365 近年來(lái)，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來(lái)了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器
2019-03-19 15:43:016997 
紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612 11月20日，在世界5G大會(huì)“2019未來(lái)信息通信技術(shù)國(guó)際研討會(huì)”上，中國(guó)工程院院士、信息與通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)專家余少華表示，標(biāo)志性應(yīng)用和設(shè)備是5G成功的關(guān)鍵。
2019-11-20 14:50:492166 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:132330 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766 基礎(chǔ)前沿理論研究取得標(biāo)志性成果。在類腦智能計(jì)算、群體智能、大數(shù)據(jù)智能、跨媒體智能、自主協(xié)同控制與優(yōu)化決策、智能計(jì)算芯片與系統(tǒng)等基礎(chǔ)前沿理論研究領(lǐng)域取得明顯進(jìn)展，形成標(biāo)志性科技成果10個(gè)以上。
2020-12-11 15:41:231896 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲(chǔ)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，首次實(shí)現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器。
2021-01-06 10:47:20554 在騰訊電競(jìng)2021天美電競(jìng)項(xiàng)目計(jì)劃發(fā)布會(huì)上，深圳電競(jìng)制作中心正式成立并啟用，成為騰訊云5G網(wǎng)絡(luò)方案在電競(jìng)領(lǐng)域的一次標(biāo)志性落地。
2021-02-26 12:23:121694 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 機(jī)器學(xué)習(xí)發(fā)展歷程中不同時(shí)期的標(biāo)志性事件有哪些 機(jī)器學(xué)習(xí)是人工智能領(lǐng)域的一個(gè)重要分支，隨著數(shù)據(jù)科學(xué)和計(jì)算能力的不斷提升，機(jī)器學(xué)習(xí)在過(guò)去幾十年里取得了巨大的進(jìn)展。從早期基于符號(hào)邏輯的機(jī)器學(xué)習(xí)模型到現(xiàn)在
2023-08-17 16:30:19933 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39279 
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