今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR市場(chǎng)內(nèi)部，兩種NOR也在自相殘殺。由于串行外圍接口（SPI） NOR的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，而且制造成本較低，所以正在奪取并行NOR的市場(chǎng)份額。
2013-04-10 16:15:51
2664 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17917 
Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦只讀存儲(chǔ)器Electrically Erasable Programmable Read – Only ...
2021-07-22 08:16:03
閃存。 相"flash存儲(chǔ)器"經(jīng)?？梢耘c相"NOR存儲(chǔ)器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是
2018-08-09 10:37:07
存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是，存儲(chǔ)器從大類來(lái)分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)， NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就再也無(wú)法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)消失
2021-12-10 06:34:11
發(fā)展迅速?！ ?、鐵電存儲(chǔ)器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速?！ ?、鐵電存儲(chǔ)器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
不同需求而發(fā)展出來(lái)的NAND應(yīng)用，相同點(diǎn)都是控制器加NAND顆粒組成的存儲(chǔ)介質(zhì)，但在應(yīng)用領(lǐng)域性能上的差別風(fēng)馬牛不相及。實(shí)際上在實(shí)際應(yīng)用上eMMC主要應(yīng)用于平板、手機(jī)，為了滿足移動(dòng)性的需求，所以需要做到輕
2019-08-15 14:17:58
蘋果則是NVME呢？什么是UFS？UFS全稱為Universal Flash Storage，即“通用閃存存儲(chǔ)”，是一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，UFS采用串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，只有兩個(gè)
2019-11-26 11:21:07
? ALTMEMPHY宏功能來(lái)構(gòu)建所有的 DDR2或者 DDR SDRAM外部存儲(chǔ)器。通過(guò)將 Altera DDR2 或者 DDR SDRAM 存儲(chǔ)控制器、第三方控制器或者定制控制器用于特定的應(yīng)用需要，可以實(shí)現(xiàn)控制器功能
2017-11-14 10:12:11
大家好，問(wèn)候。我一直在使用EEPROM在我的工作生活的印象中EEPROM是用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不經(jīng)常使用。如配置參數(shù)等。最近，我已經(jīng)被權(quán)力要求，以評(píng)估替代NAND閃存，因此，我已經(jīng)開始看NOR閃存。老實(shí)說(shuō)
2019-02-14 13:28:02
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
超高畫質(zhì)電視等消費(fèi)性產(chǎn)品。以及后續(xù)2020年受惠游戲機(jī)卡匣、5G基地臺(tái)、資料中心及筆電用存儲(chǔ)器出貨強(qiáng)勁成長(zhǎng)，旺宏的19nm SLC NAND FLASH將在眾多產(chǎn)品中成為中流砥柱。截至目前為止，19nm
2020-11-19 09:09:58
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
Utility 對(duì)內(nèi)部閃存和外部 NOR 存儲(chǔ)器進(jìn)行編程。我確實(shí)安裝了 ST-Link Utility，但是在我的電腦中找不到這樣的文件！任何人都可以幫助解決這個(gè)問(wèn)題嗎？謝謝！
2023-01-04 08:16:53
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。NAND 內(nèi)存是從起始頁(yè)面地址開始的順序訪問(wèn)，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
我已經(jīng)在 Touchgfx 和 FREERTOS 中實(shí)現(xiàn)了我的整個(gè)應(yīng)用程序，并使用 NOR 閃存作為外部存儲(chǔ)設(shè)備?，F(xiàn)在，有沒有辦法將存儲(chǔ)在 NOR 中的整個(gè)代碼復(fù)制到 SDRAM 并從那里運(yùn)行執(zhí)行
2022-12-28 06:50:11
說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要FSMC提供下述功能：●選擇合適的存儲(chǔ)塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51
說(shuō)明的中文翻譯版中并沒有這部分的說(shuō)明，因此需要參考庫(kù)函數(shù)的相關(guān)說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要
2015-01-22 15:56:51
描述Sitara AM437x 處理器上的 QSPI 接口允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員連接 NOR 閃存。該接口非常快，足以支持就地執(zhí)行 (XIP)。此設(shè)計(jì)通過(guò)使用成本更低的 NOR 閃存或更少的 DDR 內(nèi)存
2018-12-13 11:40:34
大, 容量大，讀寫快。eMMC與SSD聯(lián)系eMMC和SSD主要是滿足不同需求而發(fā)展出來(lái)的NAND應(yīng)用，相同點(diǎn)都是控制器加NAND顆粒組成的存儲(chǔ)介質(zhì)，我們可以這樣理解，單顆閃存芯片制作的eMMC，相當(dāng)于
2019-06-24 17:04:56
我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器運(yùn)行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過(guò)帶有外部程序存儲(chǔ)器
2023-03-24 08:08:30
的一種常見方法。寫入并非寫入相同的閃存位置，而是均勻地分布在整個(gè)閃存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列上，確保寫入內(nèi)容在閃存矩陣中均勻分布。通過(guò)磨損均衡，當(dāng)微控制器寫入物理存儲(chǔ)器中的單個(gè)位置時(shí)，閃存控制器可以將該
2019-07-30 11:19:18
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
的NOR總線和串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線。支持這些總線的存儲(chǔ)器在不同制造商提供的產(chǎn)品之間始終存在很小的不兼容性，這使得存儲(chǔ)設(shè)備的多來(lái)源采購(gòu)更加困難。 FPGA配置的歷史 FPGA首次面世時(shí)選擇的配置
2020-09-18 15:18:38
?！ ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)如何寫一段宏來(lái)控制外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)？
2021-10-29 06:24:53
，NOR閃存一直以來(lái)仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時(shí)特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的首選
2012-12-12 10:35:19
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
配置歷史回顧當(dāng)FPGA首次面世時(shí)，可選擇的配置存儲(chǔ)器是并行EPROM或并行EEPROM產(chǎn)品。隨著時(shí)間的推移，NOR閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，同時(shí)因其系統(tǒng)內(nèi)可重復(fù)編程性和高性價(jià)比而被廣泛采用。在第二次革命性轉(zhuǎn)折
2021-05-26 07:00:00
喜我想將一個(gè)項(xiàng)目從Arty（Artix-7 xc7a35tcsg324-1）移植到Nexys4-ddr（xc7a100tcsg324-1）。該設(shè)計(jì)使用QSPI NOR閃存作為存儲(chǔ)器，因此它將SCK
2020-06-10 16:52:14
，復(fù)位后FPGA將通過(guò)這個(gè)PROM啟動(dòng)。但是在我未來(lái)的項(xiàng)目中，只有JTAG連接可用。因此，我想知道是否可以通過(guò)JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個(gè)外部PROM。有沒有可用的通用指南如何通過(guò)JTAG和IMPACT（或任何其他工具）閃存任何隨機(jī)并行存儲(chǔ)器？感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
AVR單片機(jī)的外部RAM擴(kuò)展是什么樣的？怎樣利用宏來(lái)控制AVR外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)？有哪些應(yīng)用示例？利用宏去控制外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？
2021-07-07 07:19:20
的存儲(chǔ)空間，即通常理解的64GB、128GB等。但是實(shí)則不然，今天宏旺半導(dǎo)體就和大家來(lái)科普一下真正的手機(jī)內(nèi)存是指什么？運(yùn)行內(nèi)存與機(jī)身存儲(chǔ)內(nèi)存之前宏旺半導(dǎo)體在一篇文章里曾提到過(guò)內(nèi)存與閃存的區(qū)別，這里我們
2019-12-11 15:10:59
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
在過(guò)去幾年里，汽車應(yīng)用對(duì) NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂(lè)和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其是在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂(lè)等系統(tǒng)對(duì)NOR 閃存的市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)。
2019-08-09 06:31:34
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
的壽命(耐用性) 在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND
2023-02-17 14:06:29
eMMC可稱之為存儲(chǔ)內(nèi)存。寫入次數(shù)不同eMMC是閃存的一種標(biāo)準(zhǔn)，主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，用來(lái)提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。eMMC標(biāo)準(zhǔn)的閃存有使用壽命限制，不能無(wú)限寫入，當(dāng)然
2019-09-24 11:22:45
閃速存儲(chǔ)器根據(jù)單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類。NAND閃速存儲(chǔ)器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07
與釋放來(lái)進(jìn)行的。例如，一般的NOR閃速存儲(chǔ)器在寫人時(shí)提高控制柵的電壓，向浮置柵注人電荷（圖 2）。而數(shù)據(jù)的擦除可以通過(guò)兩種方法進(jìn)行。一種方法是通過(guò)給源極加上＋12V左右的高電壓，釋放浮置柵中的電荷
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
型號(hào)：GD25Q64CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類型：SPI 存儲(chǔ)器容量：64Mb存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
) 存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile 32Mbit，SPI FLASH
工廠包裝數(shù)量：9500
產(chǎn)品種類：NOR閃存
封裝：NOR閃存
GD25Q127
2021-12-06 16:26:59
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
多電平快閃存儲(chǔ)器技術(shù)及其未來(lái)發(fā)展王殿超1 潘亮2（1 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院 廣州 5106402 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司北京 100015）摘要： 多電平單元（MLC
2009-12-19 15:24:44
22 文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度
在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場(chǎng)高速擴(kuò)大的今天，存儲(chǔ)器的需求量迅猛增長(zhǎng)。在眾多存儲(chǔ)器類型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進(jìn)入串行時(shí)代
旺宏電子是全球最大的只讀存儲(chǔ)器(ROM)生產(chǎn)制造商和嵌入式市場(chǎng)全球第三大NOR閃存供應(yīng)商，提供跨越廣泛規(guī)格及
2010-04-12 09:08:371183 這兩年，移動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自手機(jī)、平板等移動(dòng)終端，NAND與NOR閃存市場(chǎng)格局變化迅速，越來(lái)越先進(jìn)的手機(jī)扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，并決定供應(yīng)商的成敗。
2012-12-25 08:51:04948 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011107 
現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 是新產(chǎn)品，普及還要一段時(shí)間，目前 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器如何發(fā)展，依然是關(guān)鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器首發(fā)，讀取
2018-07-26 18:01:002026 有幾十個(gè)工程師擠在美國(guó)德州奧斯汀(Austin)近郊重劃區(qū)的咖啡店與美容院之間，探索運(yùn)算技術(shù)的新方向──這是一家名為Mythic的新創(chuàng)公司，目標(biāo)是將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)映射至NOR快閃存儲(chǔ)器陣列，以或許可節(jié)省兩個(gè)數(shù)量等級(jí)功耗的方式來(lái)運(yùn)算與儲(chǔ)存資料。
2018-06-08 11:46:002321 NOR 閃存具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快等特性，雖然前幾年被NAND擠壓市場(chǎng)容量趨緩，但近年來(lái)自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興產(chǎn)業(yè)的涌現(xiàn)，使得NOR 閃存又找到了新的用武之地， 由此圍繞NOR閃存的爭(zhēng)奪也將走向變局。
2018-06-11 01:52:001774 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00720 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:452880 產(chǎn)品，它在需要快速，非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域（包括通信，工業(yè)和汽車應(yīng)用）中找到了新的機(jī)遇。當(dāng)然由于自動(dòng)駕駛汽車的發(fā)展，后者受到了廣泛的關(guān)注。 NOR閃存在無(wú)線電中起步-不需要大量?jī)?nèi)存的汽車應(yīng)用。但是在過(guò)去的十年中，遠(yuǎn)程信息處理以及中控
2020-08-27 14:44:25444 閃存市場(chǎng)上，盡管人們關(guān)注重點(diǎn)多集中于3D NAND等主流產(chǎn)品，但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車以及TWS耳機(jī)等消費(fèi)電子的發(fā)展，NOR閃存的需求量也在與日俱增，成為存儲(chǔ)芯片中另一個(gè)重要增長(zhǎng)點(diǎn)。日前，武漢
2020-09-20 09:44:082665 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長(zhǎng)時(shí)間。對(duì)于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:441619 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28878 閃存存算方面，目前主要路線是基于NOR flash（不是目前優(yōu)盤所用的閃存類型），多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小，這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOPS以上器件代價(jià)較大，通常業(yè)內(nèi)說(shuō)大算力一般
2023-09-06 12:40:33433 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:37840 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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