在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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雖然說使用EEPROM保存參數(shù)很有效，但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當(dāng)我們的一些參數(shù)需要不定時(shí)修改或存儲(chǔ)時(shí)，使用FRAM就更為方便一點(diǎn)。這一節(jié)我們就來設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)FM24xxx系列FRAM的驅(qū)動(dòng)。
2022-12-08 15:09:11855 
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
和非易失性存儲(chǔ)器就萬事大吉了么？令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲(chǔ)器，它既是非易失的，同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)的，也就是說能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
首先討論HDD及其功能，并比較儲(chǔ)存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來的專欄中，我們將專門討論SSD，并探索在可預(yù)見的未來將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存趨勢(shì)。 儲(chǔ)存 vs 存儲(chǔ)器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
Programmable）?！ ?、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底擦除
2017-10-24 14:31:49
Time Programmable）?！ ?、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底
2017-12-21 17:10:53
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
是圖形顯示存儲(chǔ)器的最佳選擇，有大量的像素需要存儲(chǔ)，而恢復(fù)時(shí)間并不是很重要。如果不需要下次開機(jī)時(shí)保存上次內(nèi)容，使用易失性的DRAM存儲(chǔ)器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的。事實(shí)證明，DRAM
2014-04-25 13:46:28
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲(chǔ)器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
數(shù)據(jù) (L1D) 存儲(chǔ)器。另外，每個(gè) CorePac 還擁有局域的二級(jí)統(tǒng)一存儲(chǔ)器。每個(gè)局域存儲(chǔ)器均能獨(dú)立配置成存儲(chǔ)器映射的SRAM、高速緩存，或是兩者的組合?！ eyStone 架構(gòu)包含共享的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)，其由
2011-08-13 15:45:42
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的
選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供?！ RAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級(jí)別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。該存儲(chǔ)器沒有特殊配置或頁(yè)面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會(huì)，介紹全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）解決方案，該器件可在高達(dá)攝氏
2017-08-18 17:56:43
MSP430FR 系列MCU 來實(shí)現(xiàn)多功能雙接口存儲(chǔ)器的方法。相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器(例如FLASH，SRAM，EEPOM)，FRAM集合了更多的優(yōu)勢(shì)，擁有更強(qiáng)大的功能。利用MCU的靈活性，用戶可以設(shè)計(jì)出功能強(qiáng)大
2019-06-13 05:00:08
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應(yīng)用中，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
單芯片FRAM存儲(chǔ)解決方案成為嵌入式設(shè)計(jì)的理想選擇
2021-03-04 07:37:38
時(shí)，也可以恢復(fù)采集到的數(shù)據(jù)。所以，諸如EEPROM或FLASH等現(xiàn)存的通用存儲(chǔ)器技術(shù)在這些能量受限的情況下并不總是最佳選擇。幸運(yùn)的是，技術(shù)的發(fā)展方向正讓能量采集系統(tǒng)變得可行。其中一項(xiàng)技術(shù)集成就是TI的鐵
2018-08-29 15:36:21
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器？
2021-05-24 06:13:40
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
技術(shù)中關(guān)注哪些方面？ 雖然 TI 目前仍在為 Ramtron 生產(chǎn)獨(dú)立的 FRAM 存儲(chǔ)器，我們的內(nèi)部工作重心仍為 ?嵌入式 FRAM（作為數(shù)字化流程的 2 掩碼加法器）。 我們已成功設(shè)計(jì)出高達(dá)
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
可從全新的地點(diǎn)獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311這個(gè)單片機(jī)的fram存儲(chǔ)地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
功能介紹2.1 MSP430FRXX 系列MCU簡(jiǎn)介TI 公司最新一代MSP430FRXX系列MCU 采用了FRAM作為代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，替代傳統(tǒng)MCUFLASH+SRAM 的結(jié)構(gòu)，并且其FRAM帶有
2019-06-12 05:00:08
你好，我當(dāng)前正在運(yùn)用ADI公司的AD9954芯片，我想用它自帶的內(nèi)部存儲(chǔ)器來產(chǎn)生任意波形，可是搞了10天了還是沒有任何的進(jìn)展，在此希望能夠得到ADI技術(shù)人員的幫助，或是給我們些有關(guān)內(nèi)部存儲(chǔ)器的程序
2018-11-26 10:07:00
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？？[/mw_shl_code]
2019-03-29 01:54:26
、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器里，FRAM速度會(huì)更快而所需功耗卻最低。從擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)來看，一般存儲(chǔ)器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣，存儲(chǔ)器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測(cè)量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 《集成電路應(yīng)用》雜志日前采訪了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品總監(jiān)王景陽(yáng)先生，請(qǐng)他就平板電腦如果選用嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行了介紹。
2012-04-20 13:35:292011 近幾年，FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對(duì)于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-17 16:34:229447 
現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲(chǔ)器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓F基材料（鐵）。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。
2018-04-04 09:07:309 Numonyx首席技術(shù)官Ed Doller講述了選擇存儲(chǔ)器時(shí)的混亂局面，以及如何選擇適合您的存儲(chǔ)器解決方案（節(jié)選自Ed在Memcon '08上的主題演講）。
2018-06-26 08:22:003330 如果是擁有敏感信息的中小型企業(yè)，那么有關(guān)為消費(fèi)者選擇最佳云存儲(chǔ)的建議就不適用。這是為什么?這是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)很復(fù)雜，需要考慮多種因素，以便為企業(yè)的業(yè)務(wù)選擇最佳選項(xiàng)。
2018-12-22 09:13:003488 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532 FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ)
型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
相比于其他市場(chǎng)，汽車市場(chǎng)更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺(tái)，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它使用鐵電膜作為電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn)，又有非失易失性特征，同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689 
開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級(jí)是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng)，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 
FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進(jìn)行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些
最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.
選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供
選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，
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2023-12-15 10:10:49507 已全部加載完成
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