美光Q2業(yè)績揭露 存儲市場現(xiàn)狀如何

1. 美光1 8Q2 業(yè)績創(chuàng)紀(jì)錄，上調(diào)Q 3 業(yè)績預(yù)期

1.1. 美光2018年前期業(yè)績概覽

（1） 營收、凈利潤方面：美光前兩季度營收、凈利齊升

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示公司2017年?duì)I收超過200億美元，同比增長64%， 18 年前兩季度營收合計(jì)1 41.54 億美元，凈利潤6 9.87 億美元，其中18Q2營收達(dá)到73.51億美元，同比增長58%，毛利（Non-GAAP下）為42.96億美元，同比增長140%，凈利潤（Non-GAAP）34.95億美元，同比增長239%， 2018 年前三季度累計(jì)營收預(yù)計(jì)將超過17年全年?duì)I業(yè)收入。2017年EBITDA為9 6 億美元，且該數(shù)值將會持續(xù)上升。

（2）現(xiàn)金流方面：公司現(xiàn)金流充足

2 018 年Q 2 現(xiàn)金流達(dá)到2 2.34 億美元，同比增2 85 %。 盡管美光資本支出正在增加，但預(yù)計(jì)公司自由現(xiàn)金流將從201 6 年的負(fù)值轉(zhuǎn)為22.34億美元，同比增長285% ，且自由現(xiàn)金流會持續(xù)提升。未來資本回報(bào)率也將從 2016 年的 1% ， 2017年的 22% 進(jìn)一步提高。

除此之外，公司上調(diào)1 8Q3 業(yè)績指引，營收從72-76億美元上調(diào)至 77-78 億美元，同時 EPS 上調(diào) EPS 至 3.12-3.16 美元，原指引為 2.76-2.90 美元。

圖 1 ：美光財(cái)務(wù)表現(xiàn)

圖 2 ：美光 2018 年Q 2 業(yè)績創(chuàng)紀(jì)錄

圖 3 ：美光股價(jià)有所反應(yīng)

1.2. 公司看點(diǎn)：兩大核心產(chǎn)品共同迎來快增長，收入結(jié)構(gòu)趨向穩(wěn)定

多年來，美光一直是存儲器產(chǎn)業(yè)中的龍頭企業(yè)，業(yè)務(wù)布局包括存儲器產(chǎn)品、非易失性存儲器以及一小部分其他產(chǎn)品。根據(jù)2 018 年中報(bào)，其存儲器產(chǎn)品收入達(dá)1 34 .46 億美元，占總收入的9 5 %。而在存儲器產(chǎn)品中，美光是全球唯一一家提供全品類存儲器的廠商，包括D RAM 、N AND F lash 、N OR F lash以及與因特爾共同研發(fā)的基于3 D XP oint黑科技的下一代產(chǎn)品 。其中DRAM和NAND Flash是公司的核心產(chǎn)品，分別占公司營收的60%和30%以上。

受益于市場需求的逐步提升和17年供需失衡下ASP的快速拉升以及公司生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，公司DRAM業(yè)務(wù)自16年后半年期起一直處于穩(wěn)步上升的態(tài)勢，2017年?duì)I收同比增長76%，是公司當(dāng)之無愧的收入主力軍，同時隨著工藝水平的提高，DRAM產(chǎn)品成本逐年下降，截止17Q4公司DRAM毛利率接近60%。目前世界DRAM大廠對DRAM大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)均持保守態(tài)勢，可以預(yù)計(jì)未來較長一段時間內(nèi)DRAM供應(yīng)仍跟不上旺盛的需求增長，美光雖也沒有相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)動作，但公司在廣島擴(kuò)展了10%的潔凈室空間，相信此舉能幫助相關(guān)技術(shù)突破，提升工藝水平，以提高公司出貨量，進(jìn)而保持公司DRAM產(chǎn)品營收的持續(xù)增長。

圖4 ： 美光DRAM業(yè)務(wù)收入逐期增長

與之相對，在NAND方面 公司于16年、17年已成功度過2D NAND 到3D NAND的技術(shù)轉(zhuǎn)變，并于2017年公司成功實(shí)現(xiàn)TCL架構(gòu)，3D NAND從32層推進(jìn)至64層，在市場仍呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性缺貨的狀態(tài)時，穩(wěn)步實(shí)現(xiàn)出貨量的提升，18Q2公司NAND營收年增長率達(dá)到28%。同時美光憑借堆疊層數(shù)以及技術(shù)水平的優(yōu)勢，預(yù)計(jì)18年將繼續(xù)保持高于行業(yè)水平的供給增長率。

在經(jīng)營業(yè)績得到大幅度提升的同時，美光還成功將公司較為單一的收入結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為多業(yè)務(wù)共同發(fā)展的模式，13年美光DRAM收入主要由PC和利基型存儲器構(gòu)成，而18年隨著下游應(yīng)用遍地開花以及公司投資方式轉(zhuǎn)變，美光公司收入來源也更多樣化更為平衡，可以說公司DRAM市場被PC，移動端，服務(wù)器和利基型存儲器四塊均分。同樣的公司NAND業(yè)務(wù)收入從原來份額過半的組件銷售分布更多元化，高價(jià)值產(chǎn)品份額得到了提升。

圖5 ： 美光收入來源多元化

1.3. 全面產(chǎn)業(yè)布局助力收入增長，高新技術(shù)為未來發(fā)展動力

前一節(jié)說到美光公司收入來源趨向穩(wěn)固多元化，除了因?yàn)閿?shù)據(jù)結(jié)構(gòu)多元化外。從應(yīng)用類別來看，美光業(yè)務(wù)主要由計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)單元，存儲業(yè)務(wù)單元，移動業(yè)務(wù)單元和嵌入式業(yè)務(wù)單元四大板塊構(gòu)成，覆蓋了下游大部分產(chǎn)業(yè)，隨著下游市場AI，自動駕駛，5G以及物聯(lián)網(wǎng)的火熱展開，近年來公司四大業(yè)務(wù)收入均在穩(wěn)步上升，2018年更是有望進(jìn)一步得到全面提高，其中主要為面向從事計(jì)算、圖像、云服務(wù)的客戶銷售DRAM的計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)單元受益于數(shù)據(jù)中心和PC表現(xiàn)出驚人的上升空間，預(yù)計(jì)18Q2收入規(guī)模將達(dá)到36.91億美元，年復(fù)合增長率達(dá)87%。同期移動業(yè)務(wù)單元受益于智能手機(jī)內(nèi)容多樣化下對電子元部件需求的拉動，同樣發(fā)展態(tài)勢明顯，預(yù)計(jì)18Q2營收為15.66億美元，同比增長44%。

圖6 ： 美光各業(yè)務(wù)收入狀況

半導(dǎo)體公司發(fā)展離不開技術(shù)上的領(lǐng)先，美光公司獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢為未來發(fā)展空間提供無限可能。 2015年美光和因特爾聯(lián)合提出了業(yè)界首款3D XPiont技術(shù)。3D XPoint 結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速存取，以及NAND閃存在關(guān)閉電源之后保留數(shù)據(jù)的特性，被業(yè)界視為未來閃存和內(nèi)存的替代品和整合品，前景無限，目前美光正在進(jìn)行3D XPoin t的第二代技術(shù)的研發(fā)，相信該項(xiàng)技術(shù)的成功將對存儲市場格局帶來全新的改變。此外在主流存儲器技術(shù)研發(fā)上，經(jīng)過四十年的發(fā)展公司也保持著領(lǐng)先地位，在DRAM和NAND領(lǐng)域分別位列第一和第四。2017年公司成功將DRAM制程從20nm推進(jìn)至1Xnm，且目前致力于1Ynm制程的突破，計(jì)劃于2018年下半年投產(chǎn)，該項(xiàng)目的成功能再次鞏固加強(qiáng)美光的競爭優(yōu)勢。NAND研發(fā)上，2017年公司TCL架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)和64層3D NAND的成功推進(jìn)，幫助公司完成生產(chǎn)力的提高和成本控制，現(xiàn)階段公司主要集中于96層3D NAND，以及更高效低能耗的第四代3D NAND研發(fā)。在高新技術(shù)上的領(lǐng)先讓美光始終能夠成功搶先一步搶占市場擴(kuò)大自身優(yōu)勢。

圖7 ：DRAM領(lǐng)域?qū)＠琶?/p>

圖8： NAND領(lǐng)域?qū)＠琶?/p>

2. 從美光業(yè)績看行業(yè)供需關(guān)系：整體需求旺盛，供給有所分化

美光是全球存儲器龍頭企業(yè)，跟蹤美光的業(yè)績走向和收入結(jié)構(gòu)將有助于我們對存儲器產(chǎn)業(yè)未來走勢的判斷，深入挖掘行業(yè)線索，對整個行業(yè)的投資都具有一定的指導(dǎo)意義。此外將國際龍頭美光的業(yè)績走向與國內(nèi)企業(yè)進(jìn)行聯(lián)動，也可以深入探析國內(nèi)的投資機(jī)會。

2.1. 多應(yīng)用共同驅(qū)動存儲器市場規(guī)模持續(xù)上漲

隨著2017年開始進(jìn)入數(shù)字經(jīng)濟(jì)時代，存儲器市場空間大幅提升，據(jù)統(tǒng)計(jì)2017年存儲器市場空間達(dá)到1280億美元，年均產(chǎn)生數(shù)據(jù)流量22萬億GB，而這一數(shù)據(jù)將隨著未來的AI、物聯(lián)網(wǎng)等的深入滲透將繼續(xù)提高， 預(yù)計(jì)2018年存儲器市場規(guī)模將超過1500億美元 。到了2021年，每年將產(chǎn)生62萬億GB的數(shù)據(jù)流量。 對于未來的存儲器市場，云數(shù)據(jù)中心帶來的AI服務(wù)器的需求上升、汽車存儲對高清地圖，語音手勢控制的需求以及智能機(jī)的功能更新和物聯(lián)網(wǎng)將是主要的四大驅(qū)動因素。

圖9：存儲器市場規(guī)模擴(kuò)大的四大驅(qū)動因素

圖10：預(yù)計(jì)2018年存儲器市場規(guī)模超過1500億美元

2.2. 需求端：Data Hungry型應(yīng)用拉動新一輪需求的旺盛

美光的業(yè)績提升很大程度上受益于需求端的不斷擴(kuò)大，在上述四個主要驅(qū)動因素下，不論是DRAM還是NAND Flash的需求都大幅增加， 2017年至2021年，DRAM位元需求復(fù)合年增長率將達(dá)約20%，NAND位元需求復(fù)合年增長率將達(dá)40-45%。 此外，存儲器的需求結(jié)構(gòu)也因?yàn)閿?shù)字經(jīng)濟(jì)的到來而將發(fā)生改變，就DRAM而言，服務(wù)器存儲將在2018年替代智能手機(jī)成為增長最快的DRAM市場，對于NAND Flash而言，所有市場中終端都有大幅的提升，尤其是企業(yè)級和云存儲SSD方面增幅最大。

圖 1 1：存儲器需求不斷上升，需求結(jié)構(gòu)有所改變

（1）全球數(shù)據(jù)中心資本支出不斷增加，拉動存儲器需求大規(guī)模提升。

DRAM方面： 據(jù)統(tǒng)計(jì)平均一座資料中心可容納約8000至15000個伺服器機(jī)架，每個機(jī)架可搭載4臺以上不同尺寸的伺服器，平均每個標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器需要145GB的DRAM，據(jù)估算將會消耗約1000萬GB以上的伺服器DRAM，約折合31萬條以上的32GB模組。而對于AI服務(wù)器而言，其對DRAM的需求更高，是普通服務(wù)器的好幾倍，預(yù)計(jì)到2021年，每一臺AI服務(wù)器需要2.5TB的DRAM。

圖 1 2：每臺服務(wù)器對DRAM的需求

NAND Flash方面： 對于NAND Flash 而言每一臺標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器需要平均2TB NAND，而預(yù)計(jì)2021年AI用服務(wù)器每臺將配置20TB NAND，是2017年標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器的10倍。

圖 1 3：每臺服務(wù)器對NAND Flash的需求

除了每一臺消耗的存儲量增多了之外，全球數(shù)據(jù)中心的數(shù)量也大幅增加，將從縱向和橫向兩個方面拉動存儲器的需求上升。 目前伺服器成長主要來自兩個方面：一方面是Intel與超威新伺服器平臺轉(zhuǎn)換，另一方面是Google、AmazonWebService、Facebook、MicrosoftAzure建立新資料中心帶來的需求。從全球幾家主要的數(shù)據(jù)中心公司披露的季度報(bào)可以看出，其在建設(shè)數(shù)據(jù)中心方面的資本支出額快速增長，2018年一季度四家企業(yè)累計(jì)支出總額達(dá)到了161.4億美元，比2017年4季度的127.74億美元上漲了26.35%。

對于AI云數(shù)據(jù)中心而言， 預(yù)計(jì)2021年全球云數(shù)據(jù)中心資本支出將達(dá)到10.8億美元，是2017年的3.6倍。 同時AI云數(shù)據(jù)中心數(shù)量也將有很大的提升，到2021年的時間，預(yù)計(jì)將增加到10％左右。到2025年，AI服務(wù)器將成為云基礎(chǔ)架構(gòu)中部署的服務(wù)器總數(shù)的一半左右。

圖 1 4： 全球主要廠商數(shù)據(jù)中心資本支出額（百萬美元）

圖 1 5： AI 云數(shù)據(jù)中心資本支出

（2）汽車智能駕駛走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，數(shù)據(jù)量膨脹的同時汽車存儲和快速運(yùn)算能力要求提高

汽車行業(yè)的存儲數(shù)據(jù)主要來自信息娛樂系統(tǒng)、儀表盤、ADAS系統(tǒng)、通信和動力系統(tǒng)五大方面，而隨著自動駕駛的逐步升級，數(shù)據(jù)量的飛速增長將催生汽車存儲更大的發(fā)展空間。 到2020年，在互聯(lián)網(wǎng)汽車方面的存儲需求可能將達(dá)到1萬億字節(jié)，要驅(qū)動全自動駕駛需具備每秒300 千兆字節(jié)（GB/s）以上的存儲系統(tǒng)帶寬。 在2017年美國世界移動通信大會上，美光正式發(fā)布了其用在下一代駕駛輔助系統(tǒng)ADAS以及汽車的信息娛樂系統(tǒng)上的LPDDR4，該產(chǎn)品峰值帶寬是LPDDR2的四倍，LPDDR3的兩倍，功耗更低。

圖16： 汽車行業(yè)的存儲需求結(jié)構(gòu)

圖17： 自動駕駛汽車對存儲要求更高

隨著自動駕駛從L1升級到L5，其對存儲器的需求也在增加，自動駕駛L5級別實(shí)現(xiàn)傳感器融合和車輛控制兩大功能，需要不少于10個攝像頭、10個雷達(dá)、4個激光雷達(dá)以及12個超聲傳感器共同作用，因此每一輛智能汽車不論是對DRAM還是NAND Flash、NOR Flash的需求都大幅上升。

DRAM方面：2017年，針對L1/2智能汽車，平均每一輛需要8GB的DRAM，到了2021年，L3需要16GB，是2017年2倍；2025年，L5則直接上升至74GB。

NAND Flash方面：2017年，L1/2需要8GB NAND，到了2021年，L3對NAND Flash的需求飛升至256GB，2025年，L5更是達(dá)到1TB。

當(dāng)然，除了單輛智能汽車對存儲的需求提升之外，整個智能汽車的市場規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大 ，按HIS Automotive估計(jì)，全球L4/L5級的自動駕駛汽車產(chǎn)量在2025年將達(dá)到60萬輛左右，并將在2025-2035年間迎來高速成長期，行業(yè)復(fù)合增長率將高達(dá)43%，有望在2035年達(dá)到年產(chǎn)2100萬輛L4/L5級汽車。除此之外，具備部分自動駕駛功能的汽車也將接近7600萬輛，高速帶動汽車產(chǎn)業(yè)鏈衍生市場的大規(guī)模催化擴(kuò)張。

圖19： 自動駕駛汽車對存儲要求更高

數(shù)據(jù)來源：HIS Automotive，國泰君安證券研究

（3）物聯(lián)網(wǎng)迅速發(fā)展，開拓中低端存儲器芯片市場

對于物聯(lián)網(wǎng)中的數(shù)以萬計(jì)的移動終端設(shè)備來說，它們需要的存儲設(shè)備體積更小、成本更低、功耗更低，因此需要大量中低端存儲器芯片產(chǎn)品來支撐如此大規(guī)模的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)體系，為中低端存儲器帶來更高的需求。以安防攝像頭為例：

在DRAM方面：網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)將由17年的0.5GB，提升至21年的8GB邊緣存儲。

在NAND Flash方面：網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)將由17年的0.25GB，提升至21年的1TB邊緣存儲。

圖 2 0： 智能安防攝像頭對DRAM、 NAND Flash 的需求

當(dāng)然智能安防只是物聯(lián)網(wǎng)中的一種，物聯(lián)網(wǎng)的市場規(guī)模遠(yuǎn)不止此， 物聯(lián)網(wǎng)與互聯(lián)網(wǎng)相似，在生產(chǎn)生活中具有非常強(qiáng)大的滲透性。近年來，全球物聯(lián)網(wǎng)更是快速擴(kuò)張，規(guī)模不斷增長 。 根據(jù)預(yù)測， 到了202 2 年，全球物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模將達(dá)到2.3萬億美元，復(fù)合增長率達(dá)到 20% ，接入物聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備也將從2016年的 148.66 臺增長到 2020 年的 300 億臺，其數(shù)量將是互聯(lián)網(wǎng)的五倍之多。

在大數(shù)據(jù)方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)等因素的推動，全球大數(shù)據(jù)市場規(guī)模也在持續(xù)上升，尤其是大數(shù)據(jù)下的存儲市場規(guī)模，從下圖中可以看出，存儲業(yè)務(wù)在大數(shù)據(jù)行業(yè)中的占比很高，2 017 年占比達(dá)到1 4 %，僅次于專業(yè)服務(wù)、計(jì)算和應(yīng)用，位居大數(shù)據(jù)市場中第四大業(yè)務(wù)。與此同時， 大數(shù)據(jù)行業(yè)的存儲業(yè)務(wù)市場規(guī)模也逐年攀升，由2 011年的1 1 億美元上升到2 017 年的69 .5 億美元，增長了約5 32 %。

（4）智能機(jī)的功能提升，對設(shè)備存儲要求更高。

就單部智能手機(jī)而言，隨著智能手機(jī)的功能不斷豐富，其對內(nèi)存和閃存的需求一直處于上升趨勢。在 DRAM方面：目前平均每部智能機(jī)需要2.7GB DRAM，預(yù)計(jì)2021年，旗艦機(jī)型將配置12GB DRAM；在NAND Flash方面：目前平均每部智能機(jī)需要43GB NAND Flash，預(yù)計(jì)2021年，旗艦機(jī)型將的NAND Flash配置將達(dá)到1TB。

圖 2 4： 智能手機(jī)對DRAM、 NAND Flash 的需求不斷上升

另一方面，全球智能手機(jī)的出貨量也連年增加，IDC 預(yù)計(jì)全球智能手機(jī)出貨量將會在今年內(nèi)開始提升，增長率大約在5%左右。配合單部手機(jī)的存儲提升，智能手機(jī)的全方位應(yīng)用的出現(xiàn)將成為存儲需求的一個重要增長點(diǎn)。

圖 2 5： 全球智能手機(jī)出貨情況

2.3. 供給端：兩大核心存儲器產(chǎn)品供給增長有所分化

（1） DRAM ：主要廠商供給增長能力有限，預(yù)計(jì)增長1 9 %

新制程需要更高的資本密集度，擴(kuò)產(chǎn)需要更高的資本支出，并且 2018 年三大DRAM 廠商晶圓因?yàn)楝F(xiàn)有產(chǎn)能的重新分配和制造技術(shù)的升級，成長空間較小，預(yù)計(jì)2018 年的供給增長率為 19.6% 。

三星方面的產(chǎn)能增加空間有限，目前月均 DRAM 晶圓產(chǎn)能平均為 39 萬片，能擴(kuò)充的工廠只有 Line 17 和一部分 Line 15 ，所以三星計(jì)劃在韓國京畿道平澤市新建第 2 座 12 寸晶圓廠；

SK 海力士同樣也是產(chǎn)能不足，其M10 工廠較老舊，制程無法轉(zhuǎn)入 18 納米，因此改為代工生產(chǎn)。而 M14 工廠 2017 年底前達(dá)每月 8 萬片產(chǎn)能。雖然 SK 海力士在中國無錫將興建第 2 座 12 寸晶圓廠，但最快也得 2019 年投產(chǎn)；

美光對整體市場的貢獻(xiàn)度更加有限，無論日本廣島還是***原華亞科的工廠都已滿載，并且沒有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，只有***原瑞晶的 A2 廠區(qū)有 60% - 70% 的提升空間，預(yù)計(jì)可增加每月 3 萬片到 4 萬片產(chǎn)能。

圖26：智能手機(jī)對DRAM、 NAND Flash 的需求不斷上升

數(shù)據(jù)來源：MU，國泰君安證券研究

圖27： 2017-2018主要 DRAM 廠晶圓投片量預(yù)估

數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，國泰君安證券研究

總體來說，DRAM需求增長率在 22% 左右，而供給增長率只有約 19% ，在2017 年供需已經(jīng)吃緊的情況下， 2018 年的供求關(guān)系難以緩解。 從下圖也可看出，2018年一季度供給低于需求 3.6% ，二季度為 2.1% ，四季度為 1.2% ，綜合看，全年供給量都將低于需求量。

圖28： 2017-2018全球 DRAM 供需差

數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，國泰君安證券研究

（2） NAND Flash ： 3D-NAND F lash技術(shù)日漸成熟， NAND 產(chǎn)能釋放在即

3D-NAND Flash由于其成本優(yōu)勢和性能優(yōu)勢，正在逐漸取代 2D-NAND ，成為主流的 NAND Flash 產(chǎn)品。 由于前期建造3D-NAND Flash廠更大的資本開支，各大廠商前幾年在2D-NAND Flash方面的擴(kuò)產(chǎn)放緩。一直到去年3D-NAND Flash技術(shù)尚不成熟，良率偏低，產(chǎn)能釋放不及預(yù)期。NAND Flash方面供給失衡嚴(yán)重，漲價(jià)幅度較大。

圖29：N AND 位元供給增速緩慢

數(shù)據(jù)來源：MU，國泰君安證券研究

但是2017年，原廠開始持續(xù)加碼新建Fab工廠，產(chǎn)能有望在今年釋放。 目前有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的包括三星平澤廠、SK海力士的 M14 生產(chǎn)線、美光 Lehi 和新加坡的 Fab 10x 、東芝的 Fab 2/Fab 6 以及英特爾的 Fab 68 （大連廠）。此外各大廠商在NAND 產(chǎn)業(yè)設(shè)備方面的資本支出的增加也預(yù)示著未來產(chǎn)能的增長。 2017 年全球NAND 產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出約 190 億美元，而 2016 年這一數(shù)據(jù)才 100 億美元，預(yù)計(jì)2018 年 NAND 產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出 200 億美元。

圖 3 0： NAND 設(shè)備資本支出額 圖 3 1：五大廠商N(yùn) AND 擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃

數(shù)據(jù)來源： SEMI ，國泰君安證券研究 數(shù)據(jù)來源：中國閃存網(wǎng)，國泰君安證券研究

3D NAND Flash方面，2017年美光開始試產(chǎn)64層 3D NAND，據(jù)三星產(chǎn)能釋放的周期來看，2012年試產(chǎn)，2014年良率提升。美光的產(chǎn)能最遲將在2019年上半年完成釋放，彼時各大廠商3D NAND Flash產(chǎn)能進(jìn)入集中釋放階段，NAND Flash的供給可能會超越需求，進(jìn)入降價(jià)階段。

表1：四大原廠2017年3D NAND投產(chǎn)情況

數(shù)據(jù)來源：中國閃存網(wǎng)，國泰君安證券研究

3. 國內(nèi)存儲廠家進(jìn)入世界舞臺，成為存儲產(chǎn)業(yè)X因素

利基型存儲器 NOR flash 等為跳板，目前我國國內(nèi)正在積極布局主流的DRAM和 NAND Flash 存儲器，以在國家大基金和政策的不斷扶持之下，形成了以合肥長鑫、長江存儲、福建晉華為代表，逐漸打入千億存儲器市場，創(chuàng)造具有自己知識產(chǎn)權(quán)的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品。

3.1. DRAM方面：形成了以合肥長鑫為主體的國家隊(duì)和以利基型為主的福建晉華

合肥長鑫是2016年 6 月成立。一期總投資基金達(dá)到 72 億美元，主攻 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品（包括DDR4與LPDDR4和利基型產(chǎn)品）。計(jì)劃在 2018 年底前研發(fā)成功，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于 10% （國內(nèi)公司兆易創(chuàng)新有參股和深入資本、運(yùn)營合作） 。

表2：合肥長鑫主要情況

數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，國泰君安證券研究

近期合肥長鑫也公布了其五年規(guī)劃：2018年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝； 2018 年底預(yù)計(jì) 8Gb DDR4 樣品研發(fā)成功； 2019 年 8Gb LPDDR4 ；2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè)。如果一切順利的話，合肥長鑫將成為中國第一家自主化大規(guī)模 DRAM 工廠，并且是世界第四家擁有在 20nm 以下制程 DRAM 生產(chǎn)技術(shù)的公司。

福建晉華于2016年 5 月宣布與臺聯(lián)電合作，共同開發(fā)利基型 DRAM ，由臺聯(lián)電提供技術(shù)，大陸提供資金與設(shè)備，臺聯(lián)電在***進(jìn)行 32 納米制程技術(shù)的研發(fā)，福建晉華支付研發(fā)費(fèi)用并且提供 DRAM 制造設(shè)備，并且主攻消費(fèi)電子 DRAM ，也就是我們所說的利基型 DRAM 。2016年 7 月 6 日，福建晉華集成電路生產(chǎn)線在泉州市正式開工，前期投資基金達(dá)到 53 億美元，項(xiàng)目規(guī)劃 2018 年第三季度形成每月 6 萬片 12 英寸內(nèi)存晶圓的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年銷售額 12 億美元，并且項(xiàng)目二期工程將在五年內(nèi)月產(chǎn)能擴(kuò)張至 12 萬片。

表2：福建晉華主要情況

數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，國泰君安證券研究

3.2. NAND Flash方面：以長江存儲為代表

長江存儲是2016年 7 月正式成立，其主要股東是紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)、 湖北省科技投資集團(tuán)有限公司等，其中紫光集團(tuán)是控股股東，擁有其 51.04% 的股份。長江存儲前期基金預(yù)計(jì)總投資 240 億美元，進(jìn)軍 NAND Flash 領(lǐng)域。

表 3 ：長江存儲主要情況

數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，國泰君安證券研究

長江存儲于2016年底動工了國家存儲器基地項(xiàng)目，占地面積 1968 畝，將建設(shè) 3座全球單座潔凈面積最大的 3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房，核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過 3 萬美元。該項(xiàng)目以 3D NAND Flash 為主， 2017 年 2 月宣布與微電子所聯(lián)合研發(fā)的 32 層 3D NAND Flash 芯片順利通過測試， 2018 年底有望順利投產(chǎn)。產(chǎn)能規(guī)劃前期 2 萬片 / 月， 2020 年 30 萬片 / 月， 2030 年 100 萬片 /月。

圖 3 3： 長江存儲產(chǎn)能規(guī)劃

綜合以上分析，我們可以看出我國存儲器產(chǎn)業(yè)正在逐漸進(jìn)入世界舞臺，進(jìn)這個千億的藍(lán)海市場，實(shí)現(xiàn)從“孕育”到“騰飛”的轉(zhuǎn)變。長江存儲的32層 3D NAND最遲2019年將進(jìn)入量產(chǎn)階段，DRAM方面合肥長鑫的LPDDR4也預(yù)計(jì)2019年3季度量產(chǎn)，國內(nèi)的產(chǎn)能釋放將成為存儲器市場的X因素，對全球存儲器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生也更深更廣泛的影響。