美光昨天發(fā)布了最新款的5210 ION系列企業(yè)級SSD 也是全球首款QLC閃存產(chǎn)品

美光昨天發(fā)布了最新款的5210 ION系列企業(yè)級SSD，采用美光與Intel聯(lián)合開發(fā)的新一代QLC NAND閃存顆粒。這也是全球首款QLC閃存產(chǎn)品。

按照存儲方式劃分，NAND閃存已經(jīng)發(fā)展了四代：

第一代SLC每單元可存儲1比特數(shù)據(jù)（1bits/cell），性能好、壽命長，可經(jīng)受10萬次編程/擦寫循環(huán)，但容量低、成本高，如今已經(jīng)非常罕見;

第二代MLC每單元可存儲2比特數(shù)據(jù)（2bits/cell），性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經(jīng)受1萬次編程/擦寫循環(huán)，現(xiàn)在只有在少數(shù)高端SSD中可以見到;

第三代TLC每單元可存儲3比特數(shù)據(jù)（3bits/cell），性能、壽命變差，只能經(jīng)受3千次編程/擦寫循環(huán)，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是當(dāng)前最普及的;

第四代QLC每單元可存儲4比特數(shù)據(jù)（4bits/cell），性能、壽命進(jìn)一步變差，只能經(jīng)受1000次編程/擦寫循環(huán)，但是容量更容易提升，成本也繼續(xù)降低。

Intel和美光的QLC NAND閃存顆粒此前就已經(jīng)做到64層堆疊、單Die 512Gb（64GB）大容量，現(xiàn)在更是宣布了64層堆疊、單Die 1Tb（128GB），這在閃存歷史上還是第一次。

同時得益于四層結(jié)構(gòu)（之前是兩層），I/O指令可以并行，彌補(bǔ)了大容量帶來的性能損失，而且還有“陣列下CMOS”（CMOS under the array）設(shè)計，使得電路設(shè)計雖然增多，但不至于導(dǎo)致內(nèi)核面積增大過多。

美光5210 ION系列是標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格，容量起步就有1.92TB，最大更是7.68TB，體現(xiàn)了QLC閃存的大容量優(yōu)勢。

主控不變還是Marvell 88SS1074，固件則是美光自己編寫的，但是性能指標(biāo)未公布（肯定好不到哪里去）。

壽命方面稱低于現(xiàn)在的5200 ECO系列，那就是每天不到一次全盤寫入，而結(jié)合1000次的編程/擦寫循環(huán)，事實上每天全盤寫入次數(shù)應(yīng)該只有0.5次，換言之就是兩天寫滿一塊盤才能保證不壞。

雖然這比如今絕大多數(shù)3D TLC SATA SSD的每天0.3次還是高一些，但它可是企業(yè)級產(chǎn)品，完全顯示了QLC的脆弱性。

正因為如此，美光推薦5210 ION系列用于讀取密集型場合，讀取負(fù)載占比至少有90%，比如人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、實時分析、大數(shù)據(jù)、媒體流等等。

假如每天全盤寫入只有0.1次（十天寫滿），維持5年質(zhì)保期限倒是不成問題。

美光5210 ION系列已經(jīng)開始出貨給特定客戶，今年秋天大規(guī)模上市，具體性能和價格也會在屆時才會公布。

另外，Intel和美光還聯(lián)合宣布，已經(jīng)完成第三代96層堆疊3D閃存，將帶來業(yè)界最高的單位面積容量。