9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72
2019-11-25 17:21:555462 近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品已于7月初開始量產(chǎn)。 自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導體
2021-07-12 10:57:064340 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:351275 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 目前東芝已經(jīng)提出了創(chuàng)紀錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內(nèi)部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1424679 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423108 海力士總裁李石熙日前表示，該公司計劃將于明年下半年開始在利川廠區(qū)M16采用EUV光刻機生產(chǎn)第四代（1a nm）DRAM產(chǎn)品。 李石熙表示M16工廠將于今年底建成，明年上半年開始引入制造設(shè)備，目前實驗室正在進行準備工作，預計明年開始量產(chǎn)。 對內(nèi)存來說，它跟CPU邏輯工
2020-10-31 06:47:001341 3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
能用還是未知數(shù)。那么，4G網(wǎng)絡(luò)來襲，晶振的再次變革還會遠嗎?為此，松季電子提到4G網(wǎng)絡(luò)的到來，電子產(chǎn)品行業(yè)的再一次革新將就此展開，晶振行業(yè)也將迎來新的發(fā)展。 4G是第四代移動通信及其技術(shù)的簡稱。與傳統(tǒng)
2013-11-15 15:56:24
第四代移動通信技術(shù)是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
報道顯示，SK海力士將在世界上首次開發(fā)和量產(chǎn)128層1Tb級的TLC(Triple-Level cell，三層單元格)4D Nand閃存。據(jù)悉，在占據(jù)NAND市場85%以上的TLC產(chǎn)品中，SK海力士
2020-03-19 14:04:57
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
1.說明LT86102SXE是Lontium的第四代2端口HDMI / DVI分配器，可以將一個HDMI / DVI信號轉(zhuǎn)發(fā)到2個HDMI / DVI信號集，最多支持2個不同的HDMI / DVI
2022-03-05 11:59:06
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動通信領(lǐng)域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效結(jié)合可以克服多徑效應和頻率選擇性衰落帶來的不良影響，實現(xiàn)信號傳輸?shù)母叨瓤煽啃?，還可以增加系統(tǒng)容量，提高頻譜利用率，是第四代移動通信的熱點技術(shù)。
2019-06-18 07:12:10
采用BiCS4技術(shù)的96層3D NAND已經(jīng)出貨給零售商，早在6月底時我們已經(jīng)了解到西部數(shù)據(jù)的BiCS 4 NAND不僅會有TLC類型，而且會有QLC。使用BiCS 4技術(shù)的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
汽車存儲正在向SSD轉(zhuǎn)移，PC也是如此，手機當然也都是用的NAND Flash，比如eMMC、eMCP、UFS等，這就是趨勢。為了滿足市場對NAND Flash的需求，西部數(shù)據(jù)正在積極的推動第四代96層
2022-02-02 08:52:47
大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進行了對比，驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
SK海力士雖然并未有擴產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
娛樂等，未來AI實時應用、分析、移動性，對存儲要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
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2021-01-25 17:59:52
組合包括50多種解決方案，用于企業(yè)、數(shù)據(jù)通信、移動通信和顯示等應用中的物理層一致性測試、特性分析和調(diào)試。同時適用于第三代標準和第四代標準的解決方案，提供自動測試設(shè)置和執(zhí)行、內(nèi)置報告選項、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計思想和工作原理，對于國內(nèi)輕度混聯(lián)混合動力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
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2021-08-23 18:13:52
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機開機后，罐內(nèi)的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
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2021-01-29 17:52:55
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統(tǒng)，并簡單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動通信中的應用。
2009-11-28 11:46:59
42 Intel 第四代Xeon?可擴展處理器Intel第4代Xeon? 可擴展處理器設(shè)計旨在加速以下增長最快工作負載領(lǐng)域的性能：人工智能 (AI)、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡(luò)、存儲器和高性能計算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251378 第四代iPhone細節(jié)曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone細節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18354 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111032 
SK 海力士最先進72層3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-28 16:36:11766 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 據(jù)報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:11991 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當然也能拉低產(chǎn)品的售價。
2017-07-05 08:47:54573 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
SK
海力士預計
第四季度D-RAM和
NAND閃存需求不斷增長。公司計劃
第四季度批量生產(chǎn)10納米級D-RAM和
72層
NAND閃存，明年業(yè)績?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15595 報告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務知識與經(jīng)驗，介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器，為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:10:003684 
報告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務知識與經(jīng)驗，介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器，為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:30:003698 
報告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務知識與經(jīng)驗，介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器，為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:10:003701 
SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043196 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:004779 %的份額之差排在三星電子、東芝、西部數(shù)據(jù)之后，排名第四。在去年SK海力士的銷售額中，NAND閃存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，這一比例下降到了18%。
2018-11-09 15:49:514689 11月15日， 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 近日，據(jù)報道，傳海力士正在跟Intel談判，海力士想收購整個Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務。
2019-07-12 11:32:522847 .據(jù)日經(jīng)新聞報道，韓國內(nèi)存大廠SK海力士今日表明，為了應對日本對韓國部分關(guān)鍵半導體材料的出口管制，該公司在2019年NAND型閃存產(chǎn)量將比2018年時減產(chǎn)15％。
2019-07-26 15:39:412550 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲芯片將僅用于特定應用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:153853 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:47718 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級SSD固態(tài)硬盤，不過并沒有公布新品SSD的名稱，有限的信息為支持NVMe協(xié)議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達8 TB。
2019-12-09 11:43:571674 在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:552832 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:193527 SK海力士作為全球半導體領(lǐng)頭企業(yè)之一，旨在強化其NAND閃存解決方案相關(guān)競爭力，發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng)，進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:011833 10月20日，SK海力士和英特爾已經(jīng)達成協(xié)議，前者將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。 本次收購包括英特爾NANDSSD業(yè)務、NAND部件及晶圓業(yè)務，以及其在中國大連的NAND閃存制造
2020-10-20 17:18:286455 據(jù)國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133 10月20日，SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:167502 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321345 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 據(jù)悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務，包括固態(tài)硬盤業(yè)務、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說，剝離非核心業(yè)務將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:572505 。 EUV光刻機參與的將是SK海力士的第四代（1a nm）內(nèi)存，在內(nèi)存業(yè)內(nèi)，目前的代際劃分是1x、1y、1z和1a。 EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。 當然，EUV光刻機實在是香餑餑。唯一的制造商ASML（
2020-11-26 18:23:291761 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:271552 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091666 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務收購獲得了美國外國投資委員會(The Committee on Foreign Investment in the United States,簡稱CFIUS)的許可！
2021-03-19 14:19:222077 SK海力士今日宣布，已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段。
2021-12-30 10:09:13726 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務
2022-05-19 14:32:533107 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915363 服務器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級（1a）DDR5服務器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務器
2023-01-12 21:32:26610 在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導航年會（CSNC2022）上，第四代北斗芯片正式發(fā)布。
2023-04-28 09:46:52473 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運回韓國總部利川園區(qū)進行EUV處理，最后送回無錫工廠進行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認為增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:58418 已全部加載完成
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