2019年內(nèi)存將拖累集成電路市場？

無論是好是壞，DRAM和閃存對整個半導(dǎo)體市場的命運有著相當大的影響。雖然內(nèi)存在2017年和2018年提振了芯片銷售，但在2019年可能會產(chǎn)生負面影響。

市場研究公司IHS Markit預(yù)計，內(nèi)存市場今年將下降24%，即386億美元，而IHS Markit預(yù)計將下降22%。半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)IC Insights稱，這可能拖累半導(dǎo)體市場整體下滑9%。剔除內(nèi)存因素，2019年集成電路市場總體增長率預(yù)計將持平。

IHS稱，近期對市場狀況的擔憂，加上平均售價的大幅下滑，將導(dǎo)致DRAM市場在2019年僅達到770億美元。價格下跌和需求疲軟可能會持續(xù)到第三季度。

IC Insights表示，DRAM和NAND閃存市場周期繼續(xù)受到資本支出和產(chǎn)能波動的驅(qū)動。DRAM的極端易失性幾乎沒有改變。

DRAM市場規(guī)模為994億美元，是半導(dǎo)體行業(yè)迄今為止規(guī)模最大的單一產(chǎn)品類別，超過了規(guī)模為400億美元的第二大市場NAND flash(594億美元)。自2013年以來，內(nèi)存市場對全球集成電路市場年度總增長產(chǎn)生了積極影響，但只出現(xiàn)過一次逆風。

例如，IHS報告稱，2017年內(nèi)存市場激增64%，推動半導(dǎo)體市場總體增長14%。盡管第四季度增速放緩，但2018年內(nèi)存市場強勁增長26%，為全球集成電路市場全年增長帶來了非常可觀的6個百分點的積極影響。不過，預(yù)計2019年內(nèi)存將拖累集成電路市場。

IHS Markit副總監(jiān)Rachel Young表示:“面對需求停滯，Micron Technologies最近宣布削減內(nèi)存芯片產(chǎn)量的決定并不令人意外?！薄笆聦嵣希鄶?shù)內(nèi)存芯片制造商正在采取措施，管理供應(yīng)產(chǎn)出和庫存水平，以應(yīng)對需求疲軟?！?br />
通常情況下，內(nèi)存需求疲軟將刺激庫存拋售和在公開市場上的機會主義買盤。獨立分銷商Freedom的銷售總裁John McKay說，到目前為止情況并非如此。McKay說:“我們沒有看到太多過剩。此外，盡管一些設(shè)備在2018年已經(jīng)上市，但價格并沒有出現(xiàn)大幅下跌。McKay稱:"由于對前沿技術(shù)的需求和產(chǎn)能發(fā)生轉(zhuǎn)變，高端內(nèi)存可能會出現(xiàn)短缺。"但在市場的其它領(lǐng)域，沒有配置的理由。他補充說，自該公司宣布縮減生產(chǎn)以來，對微米部件的需求有所增加。

IHS稱，未來幾年供需增長將保持在20%左右，保持市場總體平衡。不過，預(yù)計會出現(xiàn)一些供應(yīng)過剩和供應(yīng)不足的時期，其中服務(wù)器和移動設(shè)備的需求將占主導(dǎo)地位。IHS表示，從長遠來看，對服務(wù)器DRAM的強勁需求——尤其是來自亞馬遜、微軟、Facebook、谷歌、騰訊、百度、阿里巴巴和其他超大規(guī)模公司的需求——意味著服務(wù)器部分占比特需求的比例將從2018年的28%左右增長到2023年的50%以上。自2016年以來，智能手機出貨量和內(nèi)容增長顯著放緩，但智能手機已成為第二大DRAM消費領(lǐng)域。在2019年至2023年間，智能手機將平均占DRAM比特總需求的28%。

Micron Technologies執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana最近表示，內(nèi)存市場最終可能會出現(xiàn)某種周期性的穩(wěn)定。他表示:“總體而言，5G、人工智能、機器學習，甚至自動駕駛等新興應(yīng)用，是內(nèi)存存儲市場長期前景看好的驅(qū)動因素。內(nèi)存芯片行業(yè)也在為未來10-20年的繁榮做準備。我們相信，未來幾年NAND鉆頭的需求量平均每年將增長35%左右，DRAM鉆頭的需求量將增長15%至19%。我們也相信記憶體晶片產(chǎn)業(yè)將走向不那么動蕩的結(jié)構(gòu)。"

Sadana也表示?！霸谛∮?0nm的時代，向新工藝節(jié)點過渡將面臨更多挑戰(zhàn)，而終端市場需求將由更多樣化的應(yīng)用程序驅(qū)動?！?br />