不止邏輯芯片:臺(tái)積電探索更大的成長(zhǎng)空間

臺(tái)積電最為人所知的就是他們?cè)谶壿?a target="_blank">芯片上的表現(xiàn)，其實(shí)除了邏輯芯片外，他們還在多個(gè)領(lǐng)域全面開(kāi)花。

首先看RF方面，臺(tái)積電一方面在面向wifi和毫米波等市場(chǎng)，將工藝往16nm FinFET推進(jìn)，公司將通過(guò)工藝改造，讓整個(gè)節(jié)點(diǎn)擁有更好的表現(xiàn)。而按照他們的預(yù)估，spice/SDK會(huì)在2020年Q1推出。從下圖我們可以看到，臺(tái)積電甚至還將推出7nm的RF工藝，相關(guān)的spice和sdk也會(huì)在2020年下半年準(zhǔn)備就緒。臺(tái)積電同時(shí)還在RF-SOI上投資，以其獲得更全面的RF產(chǎn)品代工服務(wù)。

在模擬方面，臺(tái)積電也有廣泛的布局。

CIS代工也是臺(tái)積電表現(xiàn)不錯(cuò)的一個(gè)方面;

高敏感度麥克風(fēng)也是臺(tái)積電的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。

還有為高端OLED準(zhǔn)備的工藝。

為PMIC準(zhǔn)備的工藝也表現(xiàn)出色。

值得一提的是，臺(tái)積電還在eNVM上進(jìn)行投入，探索MCU等應(yīng)用上將eFLASH代替。據(jù)介紹，他們的40nm RRAM在2018年上半年就風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)了，而28nm/22 nm的RRAM也會(huì)在2019年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn);他們同時(shí)還擁有比eflash還快三倍寫(xiě)速度的22nm MRAM，這個(gè)工藝也在2018年下半年就風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

能獲得上述成功，正如前文所說(shuō)，臺(tái)積電的龐大投入功不可沒(méi)。

據(jù)介紹，臺(tái)積電近些年每年的研發(fā)投入都達(dá)到100億美金。在這些持續(xù)投入的推動(dòng)下，公司除了技術(shù)進(jìn)步外，產(chǎn)線的產(chǎn)能也做到了每月1200萬(wàn)片12寸晶圓和1100萬(wàn)的八英寸晶圓。

這些投入積累與臺(tái)積電聯(lián)手EDA和IP等企業(yè)打造的OIP(open innovation platform)一起，成為臺(tái)積電征戰(zhàn)未來(lái)市場(chǎng)的根本。