明年Q2產(chǎn)能提高一倍,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)每月4萬(wàn)片

據(jù)EETimes報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近日表示，成為了國(guó)內(nèi)唯一的DRAM供應(yīng)商。

該報(bào)道指出，目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)完成了合肥Fab 1及研發(fā)設(shè)施建設(shè)，每月生產(chǎn)2萬(wàn)片，并計(jì)劃在2020年第二季度將產(chǎn)能提高一倍，達(dá)到每月4萬(wàn)片。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)利用19nm開始生產(chǎn)LPDDR4、DDR4 8Gbit DRAM系列產(chǎn)品。除此之外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠。長(zhǎng)鑫也在建設(shè)基礎(chǔ)設(shè)施，為多達(dá)3000名員工及其家人提供保障。

進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，長(zhǎng)鑫仍面臨挑戰(zhàn)

EETimes報(bào)道認(rèn)為，目前中國(guó)打入國(guó)際DRAM市場(chǎng)的難度頗大，一方面生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與專業(yè)知識(shí)方面的欠缺；另一方面是知識(shí)產(chǎn)權(quán)積累上存在欠缺。而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，也從人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面儲(chǔ)備，例如從韓國(guó)和***招募工程師、聘請(qǐng)此前奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)人員。

DRAM 技術(shù)其實(shí)有溝槽式和堆棧式兩種，雖然堆棧式技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)較好，但是由于早期的市場(chǎng)原因，該技術(shù)被擱淺。

奇夢(mèng)達(dá)的核心是溝槽電容工藝，現(xiàn)在被認(rèn)為是一種過(guò)時(shí)的DRAM技術(shù)。此前業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，長(zhǎng)鑫使用的是奇夢(mèng)達(dá)的舊技術(shù)。然而，長(zhǎng)鑫透露，它已經(jīng)開始使用堆疊電容工藝技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。

背靠奇夢(mèng)達(dá)，能否啃下知識(shí)產(chǎn)權(quán)“硬骨頭”？

EETimes報(bào)道指出，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)執(zhí)行副總裁表示，無(wú)論是高通、蘋果還是臺(tái)積電，科技公司必然會(huì)面臨知識(shí)產(chǎn)權(quán)的問(wèn)題。因此，在公司內(nèi)部實(shí)施嚴(yán)格的正當(dāng)程序至關(guān)重要。此外，他還透露，WiLAN現(xiàn)在擁有許多奇夢(mèng)達(dá)的專利。WiLAN可能是長(zhǎng)鑫正在談判的公司之一。

值得注意的是，12月5日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN 聯(lián)合宣布，就奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的 DRAM 專利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 Polaris 獲得大量 DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可。這些專利來(lái)自 Polaris 于2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購(gòu)得的專利組合。依據(jù)獨(dú)立的專利采購(gòu)協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 Polaris 購(gòu)得相當(dāng)數(shù)量的 DRAM 專利。此專利許可和專利采購(gòu)協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款在此不予披露。

分析師眼中的長(zhǎng)鑫

Object Analysis首席分析師Jim Handy認(rèn)為，長(zhǎng)鑫擁有比大多數(shù)人預(yù)期的中國(guó)DRAM制造商更高的專業(yè)水平。